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公开(公告)号：CN107591186B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201710749389.3
申请日：2017-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法，包括：具有脉冲电流源模块、开关驱动模块、测试状态切换模块的电压电流测试自动切换电路；数字源表；探针台、第一待测相变电阻及第二待测相变电阻。电压测试时，电压电流测试自动切换电路接收单脉冲电压信号，并加载到第一待测相变电阻的两端，通过数字源表测量第一待测相变电阻的阻值；电流测试时，电压电流测试自动切换电路基于单脉冲电压信号及负直流电流信号产生单脉冲电流信号，并加载到第二待测相变电阻，通过数字源表测量第二待测相变电阻的阻值。本发明将分立的电压和电流测试系统合成到一起，通过电压和电流的自动切换实现工程测试的自动化，同时减小噪音干扰。
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公开(公告)号：CN107068198A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710256187.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法，包括：产生第一、第二脉冲电流源的脉冲电流源产生电路；控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降的电容；输出所述输出驱动电流的负载相变电阻；控制电容充放电的开关管；及对单脉冲驱动电压反相的反相器。基于负直流电流及单脉冲驱动电压产生第一、第二脉冲电流源；在单脉冲驱动电压为高电平时，第一脉冲电流源为电容充电；第二脉冲电流源流经负载相变电阻，作为输出驱动电流的高电平信号；在单脉冲电压为低电平时，电容为负载相变电阻供电，使输出驱动电流的下降沿缓慢下降。本发明利用RC放电效应，控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降，以此每个存储单元都能作用在最优SET操作的参数下。
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公开(公告)号：CN118613141A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410844936.6
申请日：2024-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种SeTe选通管材料及选通管器件，所述SeTe选通管材料的化学式为SexTe1‑x，其中0.1≤x≤0.9。本发明是一种双向阈值开关型选通管材料，提高选通管的热稳定性，降低选通管的漏电流，增强选通管的寿命和可靠性，在非挥发性存储器、电子开关和可重构电路等领域具有重要的应用前景，可为电子设备提供更高性能、更低功耗的解决方案。
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公开(公告)号：CN110061131B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201910329526.7
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变材料、相变存储单元及其制备方法，其中，相变材料包括钽元素、锑元素及碲元素，相变材料的化学式为TaxSbyTez，其中，x、y、z均指元素的原子百分比，且1≤x≤25，0.5≤y:z≤3，x+y+z＝100。本发明的TaxSbyTez相变薄膜材料具有相变速度快、热稳定性突出、数据保持能力强、循环寿命长、成品率高等特点，其中，Ta5.7Sb37.7Te56.6具有165℃的十年数据保持力，将其应用于相变存储器中器件单元具有6ns的操作速度和高于100万次的擦写次数。同时，本发明的TaxSbyTez相变材料的晶粒非常小，在400℃退火处理30分钟后，晶粒尺寸依然小于30纳米，这对于器件的稳定性、低功耗、成品率非常重要。本发明的相变存储器单元的制备方法与CMOS工艺相兼容，便于精确控制相变材料的成分。
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公开(公告)号：CN112133824A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010907768.2
申请日：2020-09-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变材料、相变存储单元及其制备方法。该相变材料的化学式为TaaInbSbcTed。该单元包括下电极层，上电极层以及位于所述下电极层与所述上电极层之间的相变材料层。该单元的制备方法为：制备下电极层；制备相变材料层于下电极层上；制备上电极层于相变材料层上。该相变材料具有晶粒小、相变速度快、热稳定性突出、数据保持能力强、循环寿命长、成品率高等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108648782B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201810364565.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，包括基于待测相变存储器，设定待优化脉冲、各待优化脉冲对应的预设操作条件及影响因子；其中，各待优化脉冲对应的预设操作条件的个数相同；基于各预设操作条件生成N组测试数据，以分别对待测相变存储器进行RESET操作和SET操作，并获取各测试数据对应的RESET分布电阻及SET分布电阻；分别对RESET分布电阻和影响因子及SET分布电阻和影响因子进行回归分析，获取RESET响应模型及SET响应模型；基于RESET响应模型及SET响应模型对各待优化脉冲的操作条件进行预测，获取最优脉冲操作条件。通过本发明解决了传统“试错法”存在费时、筛选结果不准确的问题。
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公开(公告)号：CN108110026B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201711385751.X
申请日：2017-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种Ge‑Te‑Al‑As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法，所述Ge‑Te‑Al‑As材料的化学通式为(GexTe100‑x)100‑z(Al100‑yAsy)z，其中10≤x≤30，50≤y≤90，0≤z≤30。本发明提供的基于Ge‑Te‑Al‑As阈值开关材料的阈值开关器件单元，在外部能量的作用下，能够实现高电阻态到低电阻态的瞬时转变；撤去外部能量时，能够立即由低电阻态向高电阻态转变。并且，本发明的阈值开关器件单元具有阈值电压低、开关比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。
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公开(公告)号：CN111564553A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010270672.X
申请日：2020-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，本发明公开了一种钽-锑-碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法，该钽-锑-碲相变材料的沉积方法包括提供一基底(1)；在该基底(1)上沉积钽(Ta)前驱体，得到Ta基底，该钽(Ta)前驱体包括TaCl5；在该Ta基底上沉积锑(Te)前驱体，得到Te基底，该锑(Te)前驱体包括Te(C4H9)2；在该Te基底上沉积碲(Sb)前驱体，得到该钽-锑-碲相变材料，该碲(Sb)前驱体包括Sb[(CH3)2N]3；该沉积的方法为原子层沉积(ALD)。本发明提供的钽-锑-碲相变材料的沉积方法具有填充能力强、厚度精确可控和薄膜致密性好的特点。
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公开(公告)号：CN108648782A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810364565.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，包括基于待测相变存储器，设定待优化脉冲、各待优化脉冲对应的预设操作条件及影响因子；其中，各待优化脉冲对应的预设操作条件的个数相同；基于各预设操作条件生成N组测试数据，以分别对待测相变存储器进行RESET操作和SET操作，并获取各测试数据对应的RESET分布电阻及SET分布电阻；分别对RESET分布电阻和影响因子及SET分布电阻和影响因子进行回归分析，获取RESET响应模型及SET响应模型；基于RESET响应模型及SET响应模型对各待优化脉冲的操作条件进行预测，获取最优脉冲操作条件。通过本发明解决了传统“试错法”存在费时、筛选结果不准确的问题。
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公开(公告)号：CN108110026A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711385751.X
申请日：2017-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种Ge‑Te‑Al‑As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法，所述Ge‑Te‑Al‑As材料的化学通式为(GexTe100‑x)100‑z(Al100‑yAsy)z，其中10≤x≤30，50≤y≤90，0≤z≤30。本发明提供的基于Ge‑Te‑Al‑As阈值开关材料的阈值开关器件单元，在外部能量的作用下，能够实现高电阻态到低电阻态的瞬时转变；撤去外部能量时，能够立即由低电阻态向高电阻态转变。并且，本发明的阈值开关器件单元具有阈值电压低、开关比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。
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