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公开(公告)号：CN103187312A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110448249.5
申请日：2011-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明提供一种圆片级封装结构中的重布线层的制备方法及形成的结构。其中，根据基于介质薄膜来制备圆片级封装结构中的重布线层的方法，先将预制的介质薄膜黏贴在已涂覆粘接剂的待封装的圆片表面；随后再基于所述待封装的圆片表面的电气连接点的数量在所述介质薄膜表面制作重布线导线层，形成相应数量的相互隔离的导电区域，且使每一个导电区域电气连接一个电气连接点；随后在每一个导电区域表面形成一个导电凸点，由此形成圆片级封装结构。本发明的优点包括：不需要高温固化过程，可以有效降低圆片翘曲与内应力，可以很容易实现多层重布线结构，同时该结构还允许内嵌其他无源器件。
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公开(公告)号：CN102569032A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210012849.1
申请日：2012-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L23/522
Abstract: 本发明涉及一种多层金属化薄膜叠加制作电感元件的方法，其特征在于在基板或衬底上溅射种子层，光刻形成掩膜，电镀金属形成第一层金属互连传输线及第一电感金属层，去除光刻胶及种子层；旋涂光敏介质层，曝光显影形成金属互连通孔及第二电感金属沟槽图形，第二电感金属沟槽图形与第一电感线图形相同，退火，等离子体干刻去除显影残余部分，电镀金属形成金属互连通孔及第二电感线金属层；形成第二层金属互连线及第三电感金属层，并形成最外层金属通孔；从而形成多层金属化薄膜叠加的电感元件。本发明与圆片级封装中重布线工艺兼容，在不增加工艺步骤的情况下，低成本制造出的电感比传统圆片级集成电感金属层更厚即寄生电阻更小，从而提高了电感的品质因数。
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公开(公告)号：CN102507669A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110369062.6
申请日：2011-11-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明涉及一种基于聚酰亚胺和填充物腐蚀的湿度传感器结构改进及方法，其特征在于在电极板之间的聚酰亚胺层中填充材料后腐蚀制作出多孔薄膜，经光刻后a)沿电极板方向制作单个空腔；b)沿电极板方向制作多个空腔；c)垂直电极板方向制作多个空腔；d)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中多个独立的空腔；或e)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中保留多个独立的聚酰亚胺块。制作是首先在硅圆片上溅射金属层作为种子层，然后电镀出电容电极板，再涂覆聚酰亚胺胶作为电容的介电材料，并在聚酰亚胺中填充光纤、玻璃粉末或金属颗粒材料，最后腐蚀聚酰亚胺中的填充材料获得多孔聚酰亚胺薄膜；最后，采用光刻的方法，形成空腔，增加多孔薄膜与空气的接触面积，提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN102431963A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110419770.6
申请日：2011-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种低温条件下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺，其特征在于①首先进行载片与图像传感器器件晶圆之间的键合，以保护芯片晶圆有源面并为器件晶圆减薄提供支撑；②然后通过研磨方法使器件晶圆减薄至一定厚度；③再通过砷化镓湿法腐蚀方法形成器件晶圆背面到焊盘的通路；④旋涂光敏有机树脂，填充步骤③形成的通路并均匀覆盖在器件晶圆背面；⑤接着对光敏有机树脂进行光刻形成垂直互连通孔；⑥进行金属化并制作焊盘、RDL、钝化层和凸点；⑦最后划片形成独立的封装器件。本发明在于在不使用高温工艺和高能量等离子体工艺条件下，解决了砷化镓的绝缘和通孔金属化难题。
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公开(公告)号：CN101847592A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010143745.5
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/0361 , H01L2224/11 , H01L2224/1147 , H01L2224/11472 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列的方法，其特征在于在制作种子层之前先进行一次薄胶光刻，然后制作种子层，在需要沉积铟的地方，涂覆厚正光刻胶，光刻出“模子”，形成薄胶/种子层/厚胶的结构，以电镀的方法在“模子”中沉积所需高度的铟柱，借助于超声将种子层剥离，最后在温度可控的退火炉中实现铟凸点回流，获得铟焊球阵列。本发明提供一种全新的去除种子层工艺，成功制备出质量高的小间距、小焊球、大阵列的铟焊球。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101834159A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010156047.9
申请日：2010-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种采用BCB辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺，其特征在于本发明利用有机物BCB低温键合的支撑晶圆辅助下将晶圆减薄后制作TSV封装(Through？Silicon？Via，穿硅通孔)的方法，所述的TSV封装的制作工艺步骤是：在裸支撑晶圆上溅射金属层，再涂覆一层BCB后进行光刻；TSV晶圆正面DRIE刻蚀出TSV阵列；支撑晶圆带有BCB的一面与TSV晶圆正面经对准后在键合机中进行BCB低温键合；将TSV晶圆减薄后制作TSV后续工艺。本发明提供的TSV封装制作工艺具有较高的可靠性，采用的设备和工艺均为半导体加工的常规工艺和设备。
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公开(公告)号：CN101704497A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910198656.8
申请日：2009-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构及方法，其特征在于在硅盖板上，在玻璃浆料密封环落入的区域内有一条环状的腐蚀槽。所述的环状腐蚀槽的宽度为玻璃浆料密封环宽度的1.3-1.5倍。所述腐蚀槽的深度为8-12μm。所述的封装方法是先在丝网印刷前，硅盖板上用刻蚀工艺刻蚀出环状的腐蚀槽阵列，然后丝网印刷机定位印刷到硅盖板的单腐蚀槽内，然后与带有MEMS器件阵列的硅片实现键合。由于单腐蚀槽的结构严格限制了玻璃浆料的键合尺寸，因而大大提高气密封装的成品率。
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公开(公告)号：CN100483622C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200710041402.6
申请日：2007-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种利用阳极氧化方法来控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的制作方法，其特征在于提出了利用沉积在氮化钽薄膜电阻上面的铝膜阳极氧化过程来控制薄膜电阻方块电阻、结构和电阻温度系数的方法。其中氮化钽薄膜电阻图形采用先反应溅射后Ion-beam刻蚀工艺制备，再利用直流溅射工艺将铝膜沉积在电阻薄膜之后进行铝多孔阳极氧化，电阻表面的铝膜被完全氧化，通过控制薄膜电阻溅射厚度和铝阳极氧化电压，可以得到精确的氮化钽薄膜电阻，其电阻温度系数为-200～-50×10-6/℃。能够在室温～200℃的温度范围内保持线性，经过室温～200℃的10次温度循环后电阻值变化小于1%。可精确控制氮化钽薄膜电阻，适用于高密度MCM-D基板的无源电阻埋置。
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公开(公告)号：CN101071766A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710041402.6
申请日：2007-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种利用阳极氧化方法来控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的制作方法，其特征在于提出了利用沉积在氮化钽薄膜电阻上面的铝膜阳极氧化过程来控制薄膜电阻方块电阻、结构和电阻温度系数的方法。其中氮化钽薄膜电阻图形采用先反应溅射后Ion－beam刻蚀工艺制备，再利用直流溅射工艺将铝膜沉积在电阻薄膜之后进行铝多孔阳极氧化，电阻表面的铝膜被完全氧化，通过控制薄膜电阻溅射厚度和铝阳极氧化电压，可以得到精确的氮化钽薄膜电阻，其电阻温度系数为－200～－50×10－6/℃。能够在室温～200℃的温度范围内保持线性，经过室温～200℃的10次温度循环后电阻值变化小于1％。可精确控制氮化钽薄膜电阻，适用于高密度MCM－D基板的无源电阻埋置。
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公开(公告)号：CN1935630A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610117232.0
申请日：2006-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统芯片尺寸气密封装垂直互连结构及其制作，其特征在于提出了一种新颖的圆片级芯片尺寸封装结构。其中芯片互连采用了通孔垂直互连技术：KOH腐蚀和DRIE相结合的薄硅晶片通孔刻蚀技术、由下向上铜电镀的通孔金属化技术、纯Sn焊料气密键合和凸点制备相结合的通孔互连技术。整个工艺过程与IC工艺相匹配，并在圆片级的基础上完成，具有较高的垂直通孔互连密度。该结构在降低封装成本，提高封装密度的同时可有效地保护MEMS器件不受损伤，减小MEMS器件电连接的阻抗、寄生效应和噪声，提高MEMS器件输出信号的品质。
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