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公开(公告)号：CN1935630A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610117232.0
申请日：2006-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统芯片尺寸气密封装垂直互连结构及其制作，其特征在于提出了一种新颖的圆片级芯片尺寸封装结构。其中芯片互连采用了通孔垂直互连技术：KOH腐蚀和DRIE相结合的薄硅晶片通孔刻蚀技术、由下向上铜电镀的通孔金属化技术、纯Sn焊料气密键合和凸点制备相结合的通孔互连技术。整个工艺过程与IC工艺相匹配，并在圆片级的基础上完成，具有较高的垂直通孔互连密度。该结构在降低封装成本，提高封装密度的同时可有效地保护MEMS器件不受损伤，减小MEMS器件电连接的阻抗、寄生效应和噪声，提高MEMS器件输出信号的品质。
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