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公开(公告)号:CN112432977A
公开(公告)日:2021-03-02
申请号:CN202011295179.X
申请日:2020-11-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本申请公开了一种有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法,所述有机场效应晶体管气体传感器包括绝缘层、气敏材料层、栅电极、源极和漏极;所述绝缘层形成于所述栅电极之上;所述气敏材料层用于与被检测气体反应,所述气敏材料层设于所述绝缘层上方;所述气敏材料层由掺杂有F4TCNQ的气敏材料制作而成;所述源极和所述漏极位于同一层,且均设于所述气敏材料层的上方。本申请通过掺杂有F4TCNQ的气敏材料,能够提高器件的信噪比,同时能够提高器件的灵敏度和选择性等性能。
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公开(公告)号:CN111551587A
公开(公告)日:2020-08-18
申请号:CN202010284655.1
申请日:2020-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/00
Abstract: 本申请提供一种气体传感器及其制备方法和调控气体传感器性能的方法,该气体传感器为有机场效应晶体管气体传感器,包括:绝缘层;敏感材料层;敏感材料层设于绝缘层的上表面;源极和漏极;源极和漏极采用叉指电极制备形成;叉指电极设于敏感材料层的上表面;本申请实施例提供的有机场效应晶体管气体传感器的敏感材料层的分子排布能够通过调整敏感材料层制备工艺进行调控;通过调控敏感材料的分子排布能够优化气体传感器的性能,且不同分子排布状态的敏感材料制备成的气体传感器能够进行不同气体分子的识别。
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公开(公告)号:CN110687068A
公开(公告)日:2020-01-14
申请号:CN201910875694.6
申请日:2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本发明涉及红外探测领域,特别涉及一种红外探测器及红外气体传感器,包括:滤波结构,用于红外光滤波,使至少一个预设波长的红外光通过所述滤波结构;探测芯片,用于将所述至少一个预设波长的红外光转化为电信号;其中,所述滤波结构为超材料滤波结构。本申请实施例所述的红外探测器,采用超材料作为滤波结构,通过设计超材料的结构和参数,使经过超材料滤波后的红外光,对应待测气体的多个红外特征吸收峰,探测器芯片将多个待测气体的红外特征吸收峰所对应波长的光信号转化为电信号,增强了信号的强度,提高了红外气体传感器的精度和气体识别能力。
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公开(公告)号:CN110687067A
公开(公告)日:2020-01-14
申请号:CN201910875684.2
申请日:2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本申请提供一种红外气体传感器,包括探测器,探测器包括一个探测器芯片和多种超材料,多种超材料设置在探测器芯片上方,每种超材料的中心波长对应待测气体的一个特征吸收峰,通过调整超材料结构进行待测气体某一特征吸收峰对应红外光透射强度的调整,从而改变待测气体某一特征吸收峰对应波长转化电信号占探测器芯片输出信号的权重;探测器芯片的输出信号为所述多种超材料对应的中心波长红外光转化电信号的总和。本申请提供的红外气体传感器的探测器包括一个芯片和多种超材料,使得探测器体积减小,从而减小红外气体传感器的体积,并且能够提高红外气体传感器的精度和识别能力。
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公开(公告)号:CN108011030B
公开(公告)日:2019-12-17
申请号:CN201711445344.3
申请日:2017-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种SiC热电堆型高温热流传感器及其制备方法,包括:硅衬底,具有第一表面和第二表面,在第一表面上设有沟槽以及由沟槽围绕形成的平台区域;复合介质膜,覆盖沟槽及平台区域;隔热腔体,设于硅衬底中,由第二表面向内凹入,位于平台区域的部分复合介质膜下方;P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块,位于平台区域位置的复合介质膜上,且局部位于隔热腔体上方;绝缘介质层,覆盖P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块以及复合介质膜;金属图层,形成于绝缘介质层上,包括电极及引线,将P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块连接形成热电堆。本发明采用具有优异高温性能的单晶SiC作为热电材料,可实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。
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公开(公告)号:CN107453052B
公开(公告)日:2019-11-26
申请号:CN201710685056.9
申请日:2017-08-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电磁吸收超材料,其上表面处于工作环境中,包括周期性谐振单元阵列,所述电磁吸收超材料所述电磁吸收超材料上表面设有一层电介质复合薄膜,该薄膜为固态电介质层按不同厚度比例的叠加所述电介质复合薄膜的材料选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氟化镁或硅中的至少两种。本发明的电磁吸收超材料通过选取不同种类的介质薄膜,并把他们按照一定比例叠加,可以获得折射率在选取介质中最大与最小折射率之间的介质薄膜,从而实现表面晶格共振的更加灵活和可控的调制;电介质复合薄膜为固态电介质层按不同厚度比例的叠加,所以几乎可以在任意工作环境下工作,甚至是液态或运动的环境。
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公开(公告)号:CN109752418A
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201910053633.1
申请日:2019-01-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/18
Abstract: 本发明涉及一种微型热导气体传感器,其包括:一下盖以及一与该下盖气密性键合的上盖,其中,所述下盖的上表面上设有:两个彼此相对设置的焊盘以及两个分别与两个所述焊盘连接且彼此相对设置的悬浮的热丝组件;所述上盖的下表面上设有:两组依次连通的第一浅槽气道、气体扩散腔和第二浅槽气道,其中,两个气体扩散腔分别与两个所述热丝组件的位置对应,且每个气体扩散腔中设有自所述上盖向下突起的隔离结构。本发明避免了流动的气体直吹热丝,从而使得整个微型热导气体传感器对流速不敏感,由此在无需进行后续补偿计算的情况下能够有效降低气路流速波动产生的噪声,进而实现高性能、功耗极低、体积极小的微型热导气体传感器。
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公开(公告)号:CN104084249B
公开(公告)日:2017-10-03
申请号:CN201410332258.1
申请日:2014-07-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明提供一种基于声子晶体的微流控结构、微流控器件及其制作方法,其中,所述基于声子晶体的微流控结构至少包括:声子晶体;所述声子晶体至少包括:固体基板,以及设于所述固体基板上的声学波散射结构和声学波控制区域;所述声学波控制区域适于通过设置所述声学波散射结构的形态和分布,来控制所述声学波在所述固体基板表面的传输和分布,以使所述微流体在所述声学波控制区域受到所述声学波的操控。本发明通过在微流控结构中引入声子晶体,能够有效控制声学波的传输和分布;采用该微流控结构的微流控器件,大大提高了声学波的控制效率,同时增加了声学波控制方式的多样性,能够形成独特的声场结构,实现了对微流体进行移动、离心、分离、检测等操作。
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公开(公告)号:CN106711121A
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201510770462.6
申请日:2015-11-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种硅柱通孔互连结构及其制作方法,该结构包括第一硅片以及与该第一硅片键合的第二硅片;所述第一硅片和第二硅片键合后形成接触孔部分金属引线的电连接和非接触孔部分金属环的密封结构;所述硅柱通孔和通孔上的金属层结构用于电连接,实现真空或气密封装时内部器件及结构与外部的电学互连;所述硅柱通孔外表面金属层用于降低硅柱电阻;所述固体基板上的金属层用于键合工艺,实现器件及结构的真空或气密封装。本发明通过硅柱通孔互连结构,能够优化现有真空或气密封装存在较大台阶时的电连接问题;可以实现真空或气密封装内部结构与器件与外部直接的电连接;完全平面化引线连接,可以实现多层堆叠;可以实现晶圆级的电学连接。
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公开(公告)号:CN102923642B
公开(公告)日:2015-11-04
申请号:CN201210442204.1
申请日:2012-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种高深宽比硅结构的侧壁平滑方法,先在硅衬底表面形成氧化硅掩膜,然后根据氧化硅掩膜于硅衬底中制作高深宽比硅结构,接着采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法或喷涂法于所述高深宽比硅结构侧壁形成含氟聚合物,最后去除氧化硅掩膜完成制备。本发明具有以下有益效果:1)本发明工艺简单,可控性强,且与现有半导体工艺完全兼容;2)本发明可实现对原结构完美薄膜包覆,快速提高侧壁的平滑度,且不影响高深宽比硅结构;3)特别适用于传感器件,模具或微流体沟道的应用场合,当高深宽比硅结构用作模具时,疏水性聚合物薄膜的沉积更利于脱模。
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