公开(公告)号：CN112432977A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202011295179.X

申请日：2020-11-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋健 ,  李铁 ,  刘萌 ,  王跃林

IPC: G01N27/12 ,  G01N27/414

Abstract: 本申请公开了一种有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法，所述有机场效应晶体管气体传感器包括绝缘层、气敏材料层、栅电极、源极和漏极；所述绝缘层形成于所述栅电极之上；所述气敏材料层用于与被检测气体反应，所述气敏材料层设于所述绝缘层上方；所述气敏材料层由掺杂有F4TCNQ的气敏材料制作而成；所述源极和所述漏极位于同一层，且均设于所述气敏材料层的上方。本申请通过掺杂有F4TCNQ的气敏材料，能够提高器件的信噪比，同时能够提高器件的灵敏度和选择性等性能。

公开(公告)号：CN112432977B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202011295179.X

申请日：2020-11-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋健 ,  李铁 ,  刘萌 ,  王跃林

IPC: G01N27/12 ,  G01N27/414

Abstract: 本申请公开了一种有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法，所述有机场效应晶体管气体传感器包括绝缘层、气敏材料层、栅电极、源极和漏极；所述绝缘层形成于所述栅电极之上；所述气敏材料层用于与被检测气体反应，所述气敏材料层设于所述绝缘层上方；所述气敏材料层由掺杂有F4TCNQ的气敏材料制作而成；所述源极和所述漏极位于同一层，且均设于所述气敏材料层的上方。本申请通过掺杂有F4TCNQ的气敏材料，能够提高器件的信噪比，同时能够提高器件的灵敏度和选择性等性能。