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公开(公告)号：CN113568100A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110786320.4
申请日：2021-07-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于中红外波段的悬空型偏振分束器，包括条形硅波导和亚波长光栅平板波导结构，所述条形硅波导包括第一波导、第二波导和第三波导，所述亚波长光栅平板波导结构作为支撑结构，用于支撑所述第一波导、第二波导和第三波导；所述第二波导位于第一波导和第三波导之间，且分别与所述第一波导的耦合区域和第三波导的耦合区域耦合；所述第三波导的第一端作为所述悬空型偏振分束器的输入端，第二端作为所述悬空型偏振分束器的直通端；所述第一波导的第二端作为所述悬空型偏振分束器的交叉端。本发明可以降低二氧化硅衬底的吸收损耗。
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公开(公告)号：CN112305667B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910689392.X
申请日：2019-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供一种光波导器件及其制备方法。制备方法包括：形成图形化的复合衬底，其自下而上依次包括底部半导体层、绝缘层及顶部半导体层；复合衬底内形成有凹槽，凹槽贯穿绝缘层且被顶部半导体层所覆盖；对凹槽上方的顶部半导体层进行光刻刻蚀以形成光波导；对光波导进行第一浓度的离子注入以于光波导中形成第一P型注入区和与第一P型注入区相邻的第一N型注入区；对光波导外围的顶部半导体层进行第二浓度的离子注入以分别形成第二P型注入区和第二N型注入区；于第二P型注入区及所述第二N型注入区表面形成金属电极。本发明有利于简化光波导器件的制备工艺和降低生产成本，有助于提高器件性能。
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公开(公告)号：CN111679364A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010487984.6
申请日：2020-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明涉及一种应用于中红外波段的悬空型边缘耦合器，包括三端口倒锥形耦合器(1)、悬空脊型波导(2)和悬梁臂支撑结构(3)。本发明通过独特的结构设计增大了耦合效率，同时增大了工艺容差，也为测试带来了极大的方便，解决了中红外波段波导-光纤耦合损耗大的问题，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119535821A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411528559.1
申请日：2024-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于电吸收调制器的2.5D/3D光电共封装装置及其制备方法，包括锗硅电吸收调制器(1)。本发明通过面向高性能计算的光互连架构设计、利用波分复用技术拓宽单光纤通道数、多波长下稳定工作的高性能锗硅电吸收调制器设计、带有高质量选择性外延生长的单晶锗硅材料的有源转接板工艺开发，实现面向光IO的高速率、大带宽、小体积的TSV有源硅转接板2.5D/3D光引擎。
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公开(公告)号：CN119492691A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311059430.6
申请日：2023-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光声传感器及其制作方法，该光声传感器包括：第一衬底、条形波导、平板波导及振动膜，其中第一衬底包括依次层叠的基底、埋氧层、顶层半导体层及介质层；条形波导位于埋氧层上方，包括间隔第一预设距离的环形部以及条形部，条形波导周围设有显露出埋氧层且隔离顶层半导体层与条形波导的外围间隙，环形部的内圆环绕区域与环形部主体构成显露出埋氧层的空腔；平板波导位于条形波导上方，且平板波导下表面与条形波导上表面间隔第二预设距离；振动膜位于环形部上方且覆盖平板波导上表面。本发明的光声传感器及其制作方法，制作工艺与CMOS工艺兼容，简化了制作工艺，提升了光声传感器的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118210103A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410186255.5
申请日：2024-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种有源硅光转接板芯片及其制备方法，由下至上包括：钝化保护层(1)；硅衬底(2)、边缘耦合器(3)、电光调制器(4)、光电探测器(5)、二氧化硅保护层(6)、停止层(7)、硅通孔(8)、再分布层(9)、微凸点(10)、金属电极(11)。本发明结构紧凑，同时可支持边缘耦合器及加热器结构的掏空，提升光模场耦合效率并提升热光调制效率。将该光芯片应用于光模块中，可以有效的降低光模块的尺寸及功耗，提高光模块的集成度和速率，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116819682A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310766639.X
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于异质集成的三层耦合器结构及其制备方法，由下至上包括第一波导层、第二波导层和第三波导层。本发明可以利用不同材料之间相对参数选择的灵活性，为相关异质集成器件或异质集成平台增加一个设计维度，进一步拓展器件的实际应用。
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公开(公告)号：CN112305785A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910690187.5
申请日：2019-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供一种基于SOI衬底的热光相移器的制备方法，包括步骤：形成图形化的SOI衬底，所述SOI衬底自下而上依次包括底硅层、绝缘层及顶硅层，所述SOI衬底内具有凹槽，所述凹槽的下表面与所述底硅层的下表面具有间距，所述顶硅层覆盖所述凹槽；对所述凹槽上方的所述顶硅层进行光刻刻蚀以形成硅波导；形成介质层、加热电阻及金属电极；所述介质层至少覆盖所述硅波导；所述加热电阻位于所述硅波导的上方或位于所述硅波导的一侧，所述加热电阻与所述硅波导之间具有间距；所述金属电极与所述加热电阻相连接。本发明有助于生产良率和器件性能的提高，有利于制备流程的进一步简化和生产成本的降低。
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公开(公告)号：CN118348698A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410544529.3
申请日：2024-05-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于薄膜铌酸锂平台的折叠型电光调制器，包括光波导(1)、金属电极(2)、交叉波导(3)、多模干涉耦合器(4)和铌酸锂‑氮化硅‑硅层间耦合器(5)。本发明使用交叉波导和双转折信号电极，可以有效减少电光调制器的光学损耗与射频损耗，工艺要求低，降低了射频信号的不连续性，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112305667A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910689392.X
申请日：2019-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供一种光波导器件及其制备方法。制备方法包括：形成图形化的复合衬底，其自下而上依次包括底部半导体层、绝缘层及顶部半导体层；复合衬底内形成有凹槽，凹槽贯穿绝缘层且被顶部半导体层所覆盖；对凹槽上方的顶部半导体层进行光刻刻蚀以形成光波导；对光波导进行第一浓度的离子注入以于光波导中形成第一P型注入区和与第一P型注入区相邻的第一N型注入区；对光波导外围的顶部半导体层进行第二浓度的离子注入以分别形成第二P型注入区和第二N型注入区；于第二P型注入区及所述第二N型注入区表面形成金属电极。本发明有利于简化光波导器件的制备工艺和降低生产成本，有助于提高器件性能。
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