公开(公告)号：CN104030274B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201410231250.6

申请日：2014-05-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈志蓥 ,  于广辉 ,  张燕辉 ,  隋妍萍 ,  张浩然 ,  张亚欠 ,  汤春苗 ,  朱博 ,  李晓良

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明涉及一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法，其特征在于包括先在金属衬底和石墨烯的结合体上沉积一层金属，在金属上表面涂一层有机胶体，然后放到腐蚀液中，得到有机胶体、金属层和石墨烯层的结合体，再将三者的结合体转移到目标衬底上并去除有机胶体，将得到的金属和石墨烯的结合体再次放到腐蚀液中，待金属层被去除，即得到转移好的石墨烯。与传统的湿法腐蚀化学转移方法相比，本方法在旋涂有机胶体之前在石墨烯表面沉积一层金属，阻挡石墨烯和有机胶体的直接接触，有效地避免了转移后有机胶体在石墨烯表面的残留。

公开(公告)号：CN103900870A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410075073.7

申请日：2014-03-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈志蓥 ,  于广辉 ,  张燕辉 ,  隋妍萍 ,  王斌 ,  张浩然 ,  张亚欠 ,  汤春苗 ,  朱博 ,  李晓良

IPC: G01N1/28 ,  G01N21/84

Abstract: 本发明涉及一种辨别石墨烯连续膜完整性的方法，包括：在金属催化衬底和石墨烯膜的结合体上涂一层有机胶体，然后放入腐蚀液中，得到有机胶体层和石墨烯膜的结合体；将上述有机胶体层和石墨烯膜的结合体放入去离子水中漂洗然后静置，观察，无褶皱则为完整的石墨烯膜。本发明重复性高、简单易行，可以准确表征规模化生产的石墨烯连续膜的完整性；本发明能够从宏观上准确判断大面积石墨烯膜的完整性而不需要借助光学显微镜、扫描电子显微镜等表征手段。

公开(公告)号：CN101488475B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200910046376.5

申请日：2009-02-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王新中 ,  于广辉 ,  林朝通 ,  曹明霞 ,  卢海峰 ,  李晓良 ,  巩航 ,  齐鸣 ,  李爱珍

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  C01G15/00

Abstract: 本发明涉及一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法，其特征在于采用了带有钝化层超大纳米孔径GaN作为厚膜的模板。在生长厚膜GaN之前，在(0001)面蓝宝石衬底上，沉积一层GaN薄膜，然后在其上蒸发一层金属Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，然后将其刻蚀成多孔状，接着往多孔GaN孔中沉积一层介质SiO2或SiNx薄层，这样就在GaN模板上得到了带有钝化层超大纳米孔径的结构，经过清洗后，最后把这个多孔衬底置于HVPE反应腔内生长GaN厚膜。本发明提供的方法避免了光刻制作掩膜的复杂工艺，而且将孔隙尺寸缩小到纳米量级，金属Al和SiO2层均可采用电子束蒸发、溅射等方法来制备。