公开(公告)号：CN108666981A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201710193706.8

申请日：2017-03-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐大伟 ,  李新昌 ,  朱弘月 ,  程新红

IPC: H02H7/20 ,  G01R19/165

CPC classification number: H02H7/20 ,  G01R19/16571

Abstract: 本发明提供一种IGBT过流保护电路及方法，包括：检测待测IGBT的米勒平台的米勒平台识别模块；采集待测IGBT的米勒平台栅极电压，并得到过流保护信号的米勒平台栅极电压提取模块；过流保护信号起效时，将待测IGBT关闭的IGBT栅驱动模块。检测待测IGBT的栅极电压，当检测到米勒平台时，提取待测IGBT的米勒平台栅极电压，并基于待测IGBT的米勒平台栅极电压判断待测IGBT的集电极是否过流，若过流，则关断待测IGBT，实现过流保护。本发明避免使用高压大电流器件，利用IGBT的米勒平台效应，以及IGBT的米勒平台栅极电流与IGBT的集电极电流存在的特定关系，通过检测IGBT的米勒平台栅极电压间接实现对IGBT的集电极电流进行检测，进而实现过流保护，检测成本低、占用体积小、效率高。

公开(公告)号：CN108508342A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810522926.5

申请日：2018-05-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐大伟 ,  李新昌 ,  程新红 ,  董业民 ,  朱弘月 ,  徐超

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种IGBT短路过流检测电路，其包括：带通滤波器，其与所述第一IGBT的栅极连接；第一比较器，其与所述带通滤波器连接，并接收第一基准电压；T触发器，其与所述第一比较器连接，并输出第一逻辑信号；第二比较器，其与所述第一IGBT的栅极连接，并接收第二基准电压，输出第二逻辑信号；与门，其接收所述第一逻辑信号和第二逻辑信号，并输出硬开启错误检测信号；第三比较器，其与所述第一IGBT的栅极连接，并接收第三基准电压；以及RS触发器，其与所述第三比较器连接，并输出带载短路错误检测信号。本发明可以同时实现IGBT硬开启错误检测和IGBT带载短路检测，并且结构简单易行，节省成本。

公开(公告)号：CN105680107A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610150614.7

申请日：2016-03-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  李新昌 ,  吴忠昊 ,  徐大伟 ,  羊志强 ,  俞跃辉

IPC: H01M10/42 ,  H01L27/02 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01M10/42

Abstract: 本发明提供一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路，所述电池管理芯片电路包括高压多路选通器MUX、电压基准电路、Sigma-delta ADC（包括模拟调制器以及数字滤波器）、SPI通讯电路、以及功能控制电路与电压值寄存器。所述电池管理芯片电路为基于SOI高压工艺集成，尤其是所述电池管理芯片电路采用的高压MOS管为基于SOI工艺的高压MOS器件单元。另外，本发明重点突出了高压多路选通器MUX与Sigma-delta ADC的接口电路-斩波电路的设计，以阐述本发明采用SOI工艺设计与流片时会带来电路设计难度降低以及版图面积减小等诸多优势。