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公开(公告)号：CN101404179B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810202405.8
申请日：2008-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明是一种提升相变存储器编程速度的方法及实现方法。其特征在于在存储器编程空闲时间对无数据或未存储数据部分的存储单元或者存储单元块进行全局性的SET编程操作；所述的空闲时间为存储器单元处于待机状态，没有编程的任务状态；所述的全局性的SET编程操作使所有的存储单元或者存储单元块都处于数据“1”状态。本发明还包括全局SET法的电路实现：在读、写、擦操作完成后的固有时间内监测是否有下一读、写、擦操作，如果有，则认为存储器繁忙，不进行全局SET；如果没有，则认为存储器空闲，此时启动全局SET操作。
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公开(公告)号：CN101826463A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010138167.6
申请日：2010-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L29/872 , H01L45/00
Abstract: 本发明提供的共用金属层的肖特基二极管和相变存储阵列的制造方法在制造形成肖特基二极管结构后，以肖特基二极管的金属层作为相变存储器的下电极，在其金属层上继续沉积不具有下电极的相变存储器结构，由此实现肖特基二极管和相变存储器的金属层共享，通过这种驱动二极管和相变存储器共用金属层的结构，可以有较少的工艺步骤制造了二极管和相变存储器阵列，有效节省了光刻次数，提高器件稳定性，通过采用特定的半导体，使得电极金属和半导体层之间形成稳定的肖特基接触。作为本发明的一部分，还包括采用前述方法所形成的肖特基二极管和相变存储器的共用金属层的结构。
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公开(公告)号：CN101626061A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910053519.5
申请日：2009-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种开发和筛选相变存储材料的方法，包括下列步骤：(1)在单一的基底上制备出至少2个成份的相变材料组份；(2)采用激光对数据进行处理、编程和数据读取，从而获得基底上的各种组份相变材料的性能；(3)通过得到的各种相变材料组份性能的比较，获得优化组份，并绘制相变材料精细相图。本发明提供表征相变存储材料材料芯片的方法，获得各个相变材料组份的相变速率和相变功耗，高效地开发、筛选高性能存储材料。
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公开(公告)号：CN100565955C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200810032862.7
申请日：2008-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的过渡层位于相变材料和电极材料之间；过渡层材料的电阻率在10-6欧姆米和1016欧姆米之间，过渡层材料的热导率在0.01W/m·k到30W/m·k之间。过渡层的厚度＜10nm，且与相变材料或电极材料间具有黏附力。所述的单层或多层结构的过渡层可有效阻地挡相变材料和电极间的相互扩散，提升电极的加热效率，同时减少了向电极和氧化物的扩散的热量，使更多的热量被用在相变材料加热上。不仅提高了热量的利用率，降低了功耗，而且增加了相变存储器高、低阻间的差异；将相变材料中的最高温度区域向加热电极移动，有效将相变材料的熔化控制在电极周围，提升了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN100547396C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710040418.5
申请日：2007-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于生物微质量检测的硅基压电薄膜传感器及制备方法。本发明特征是在(100)取向的硅片上，先后沉积具有λ/4(λ为波长)厚度的Bragg反射层；接着在Bragg反射层上沉积压电薄膜层和金电极层；采用相关电极图形化工艺，在其上制作与标准微波测量相匹配的电极结构；经相关退火温度得到硅基压电薄膜传感器；在硅基压电薄膜传感器上先后涂敷系列生物探针，结合清洗后，采用三明治夹心技术点样特异性结合生物体微量，可测出传感器谐振频率的相应变化。进而由相应公式换算得到待测生物体的微质量。这种多功能集成传感技术与现代生物技术相结合，可使微量生物测量的高通量、强特异性、高灵敏分析成为可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101504949A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200810202824.1
申请日：2008-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G11C16/02 , G11C11/56
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，所述电阻转换存储器包括：基底、逻辑电路、字线、位线、若干分立的存储单元、隔离单元；通过扩散效应，使所述存储单元中存储材料的部分原子扩散到第一导电类型的半导体字线中，在接触界面形成对半导体字线的综合效应为第二导电类型的掺杂；经存储材料原子扩散掺杂形成的第二导电类型区域与第一导电类型半导体字线之间形成二极管，该二极管作为选通单元对上方的存储单元进行选通。电阻转换存储器所采用的存储材料在器件中具有多种功能，既作为高、低电阻转换的媒介材料，同时也是杂质材料，能通过扩散效应对与其接触的半导体进行掺杂，从而用简便的方法形成二极管作为逻辑单元选通存储器单元。
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公开(公告)号：CN101488514A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910046487.6
申请日：2009-02-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/762 , G11C16/02
Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器，包括选通单元、数据存储单元；所述选通单元为PN二极管、或肖特基二极管、或双极型晶体管；所述电阻转换存储器采用的选通单元被至少两个深度不同的浅沟道相互隔离开。本发明提供几种电阻转换存储器的器件结构，包括了PN二极管、肖特基二极管和双极型晶体管的器件结构，这些结构的特点在于构造简单，因此其制造方法简便，且与半导体工艺完全兼容，有助于降低成本，使采用该技术的高密度电阻转换存储器更具竞争力。
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公开(公告)号：CN101477987A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910045084.X
申请日：2009-01-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示一种三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法。电阻转换存储器包括基底、若干第一布线、若干第二布线、若干存储单元阵列。多个平行设置的第一布线设置于基底上；多个相互平行的第二布线设置于基底上、与第一布线绝缘分离、并与第一布线交叉配置；呈矩阵排列的存储单元阵列层叠设置于基底上，上下相邻的两个存储单元阵列之间、存储单元阵列与基底之间至少设置第一布线、第二布线中的一个；存储单元阵列包括电阻转换存储单元、多晶半导体肖特基二极管。本方法可形成高质量的金属－半导体接触，成本较低，有望在三维高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。
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公开(公告)号：CN101388401A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810201901.1
申请日：2008-10-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法，包括基底、设置在基底上的第一导电类型半导体、设置在半导体上的具有电阻转换能力的存储单元以及设置在电阻转换存储单元上的电极；所述第一导电类型半导体与存储单元相邻的表面具有第二导电类型掺杂，所述第二导电类型掺杂与未被掺杂的第一导电类型半导体构成驱动二极管结构，进而对上方的存储单元进行选通和驱动。本发明通过扩散工艺使存储器材料扩散到半导体中形成二极管结构，从而大幅度提高存储器的存储密度，而且本发明的工艺简便，成本低，能够增强二极管驱动电阻转换存储器单元的市场竞争能力。
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公开(公告)号：CN1314974C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410053566.7
申请日：2004-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法。它是在硅衬底材料上先沉积底电极材料，然后沉积电介质材料，曝光，刻蚀成多孔状，孔径在50-200nm，间距2-5μm，接着向孔内沉积相变材料，化学机械抛光，覆盖掩膜板，沉积上电极。于是薄膜就被掩膜板分成很多小单元，而每个单元大小差不多，引线，简单封装，每个单元内的小器件处于并联状态，然后测试每个单元的性能。此外，可以通过改变掩模板的大小，把上电极做成各种尺寸，画出一次函数关系，通过外延法得出截距，从而得到纳米器件的本征性能。本发明解决了纳米器件测量引线难的问题。由于这些小器件是并联的，不会增加工作电压，准确的反映出器件本身的性能。
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