公开(公告)号：CN103400859A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310352264.9

申请日：2013-08-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  吴天如 ,  孙秋娟 ,  王慧山 ,  宋阳曦 ,  刘晓宇 ,  唐述杰 ,  谢晓明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法，所述单元至少包括衬底；所述衬底上自下而上依次包括底栅电极、第一电介质层、底层石墨烯、绝缘阻挡层、顶层石墨烯、第二电介质层及顶栅电极；所述底层石墨烯及所述顶层石墨烯为带状石墨烯或石墨烯纳米带；所述带状石墨烯的宽度大于100nm；所述石墨烯纳米带的宽度范围为1~100nm。本发明通过在底层石墨烯及顶层石墨烯之间引入绝缘阻挡层，这样底层石墨烯及顶层石墨烯中载流子浓度可以分别通过加在底栅电极和顶栅电极上的电压进行调节，从而实现器件的较高的开关比。同时顶栅电极和底栅电极可以进行精确的单元选址，实现大规模器件集成运用。

公开(公告)号：CN102433544B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210007583.1

申请日：2012-01-11

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  南京航空航天大学

Inventor： 谢晓明 ,  沈鸿烈 ,  吴天如 ,  丁古巧 ,  孙雷 ,  唐述杰 ,  江绵恒

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/52 ,  C23C16/02

CPC classification number: C23C16/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186

Abstract: 本发明公开了一种多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的制备方法，以多苯环芳香族碳氢化合物作为碳源，采用碳源分解法或碳源旋涂法在铜箔表面生长出石墨烯。制得的石墨烯表面光滑平整、面积大、层数可控。相比传统的高温CVD法制备石墨烯薄层的方法，其制造成本大大降低，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射电子器件等方面具有巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN102336588B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110247262.4

申请日：2011-08-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 丁古巧 ,  唐述杰 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: C01B35/08

Abstract: 本发明提供了一种具有单原子层台阶的六角氮化硼（hBN）基底及其制备方法，将hBN基底表面解理得到新鲜的解理面，然后用氢气高温下刻蚀六角氮化硼，得到可控的、规则的单原子层台阶。本发明利用了氢气对hBN的各向异性刻蚀作用，通过调节氢气比例、退火温度、退火时间来控制hBN的刻蚀速率和刻蚀程度，达到刻蚀出规则单原子台阶的目的。该制备工艺和化学气相沉积法制备石墨烯的工艺相兼容，可以用于石墨烯纳米带的制备。主要应用于新型石墨烯电子器件。

公开(公告)号：CN102392225A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110206608.6

申请日：2011-07-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 唐述杰 ,  丁古巧 ,  谢晓明 ,  陈吉 ,  王陈 ,  江绵恒

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/065

Abstract: 本发明提供了一种在具有原子级平整度解理面的绝缘基底上生长石墨烯纳米带的方法，属于低维材料和新材料领域。该方法包括如下步骤：第一步解理绝缘基底得到具有原子级平整度的解理面并制备单原子层台阶；第二步以具有规则单原子台阶的绝缘基底直接生长石墨烯纳米带。本发明利用了石墨烯在原子台阶和平整解理面上成核功不同的特点，通过调节温度、压强、活性碳原子过饱和度等条件使石墨烯仅沿台阶边缘生长，生长成为尺寸可调的石墨烯纳米带。主要应用于新型石墨烯光电器件领域。