公开(公告)号：CN116247003A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310196606.6

申请日：2023-03-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  田子傲 ,  洪伟达 ,  刘冠宇 ,  张杰军

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种金属互连线制备方法。该方法包括：(1)提供一基底，在基底的上表面形成材料层；(2)在材料层的上表面形成金属层，在金属层的上表面形成刻蚀阻挡层；(3)采用干法刻蚀工艺刻蚀所述刻蚀阻挡层之外的金属层，形成薄金属层；(4)用钝化工艺将所述薄金属层钝化形成钝化层；(5)用湿法刻蚀工艺刻蚀所述钝化层；(6)去除所述刻蚀阻挡层，留下互连线层。该方法可以减小干法刻蚀过程对目标衬底材料的损伤，保持材料的本征特性，有利于提升所制作器件的电学特性，扩展了金属互连线在二维材料、有机半导体、钙钛矿等脆弱材料的应用范围。

公开(公告)号：CN114975084A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210604165.4

申请日：2022-05-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  刘冠宇 ,  田子傲 ,  姜海涛 ,  薛忠营 ,  张苗

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种薄膜材料集成方法，包括提供一基底；形成石墨烯层于所述基底的上表面；形成至少一功能材料层于所述石墨烯层的上表面；形成刚性临时基底层于所述石墨烯层的上表面，所述刚性临时基底层覆盖所述功能材料层；将由所述刚性临时基底层、所述功能材料层组成的叠层结构从所述石墨烯层表面机械剥离；将所述叠层结构转移至目标衬底，所述功能材料层与所述目标衬底的表面接触；去除所述刚性临时基底层，并使所述功能材料层留在所述目标衬底的表面。本发明通过选用刚性临时基底，有利于减小功能材料层在工艺过程中的变形，实现与目标衬底的晶圆级对准集成。

公开(公告)号：CN109509705B

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201811243153.3

申请日：2018-10-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  刘冠宇 ,  张苗 ,  薛忠营

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种低势垒高度肖特基二极管及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一基底；2)于基底的表面形成石墨烯薄膜；3)对石墨烯薄膜进行氟化处理以形成氟化石墨烯绝缘层；4)于氟化石墨烯绝缘层表面沉积金属电极；5)去除肖特基结所在区域之外的氟化石墨烯绝缘层；6)于裸露的基底表面形成欧姆接触电极。本发明利用氟化石墨烯绝缘层作为金属电极与基底之间的插层，氟化石墨烯绝缘层不会在基底中产生MIGS钉扎效应；氟化石墨烯绝缘层可以阻挡金属电极与基底之间的互相扩散，可以形成均匀性极高的肖特基结面；可以大大降低金属电极对基底的费米能级钉扎效应，从而降低肖特基二极管中基底与金属电极之间形成的肖特基结势垒高度。

公开(公告)号：CN109509705A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811243153.3

申请日：2018-10-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  刘冠宇 ,  张苗 ,  薛忠营

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种低势垒高度肖特基二极管及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一基底；2)于基底的表面形成石墨烯薄膜；3)对石墨烯薄膜进行氟化处理以形成氟化石墨烯绝缘层；4)于氟化石墨烯绝缘层表面沉积金属电极；5)去除肖特基结所在区域之外的氟化石墨烯绝缘层；6)于裸露的基底表面形成欧姆接触电极。本发明利用氟化石墨烯绝缘层作为金属电极与基底之间的插层，氟化石墨烯绝缘层不会在基底中产生MIGS钉扎效应；氟化石墨烯绝缘层可以阻挡金属电极与基底之间的互相扩散，可以形成均匀性极高的肖特基结面；可以大大降低金属电极对基底的费米能级钉扎效应，从而降低肖特基二极管中基底与金属电极之间形成的肖特基结势垒高度。

公开(公告)号：CN113078044B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202110320623.7

申请日：2021-03-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  刘冠宇 ,  薛忠营 ,  田子傲 ,  张苗

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种介电材料的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一介电材料层及支撑层；将由介电材料层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，介电材料与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使介电材料层留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作介电材料层，利用石墨烯与介电材料层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意介电材料层的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了介电材料层的可应用范围，减少了介电材料层制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低介电材料层的制作成本。

公开(公告)号：CN109473506A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811243151.4

申请日：2018-10-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  刘冠宇 ,  杨悦昆 ,  张苗 ,  薛忠营

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供一种高敏感度中红外光电探测器及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一基底；2)于基底的上表面形成石墨烯层；3)于石墨烯层的上表面形成量子点；4)于形成有量子点的石墨烯层上表面形成第一电极及第二电极，第一电极与第二电极之间具有导通沟道区域；5)去除导通沟道区域之外裸露的量子点及导通沟道区域之外裸露的石墨烯层，并保留位于导通沟道区域内的量子点及石墨烯层。本发明通过在石墨烯层上生长量子点，可以显著提高石墨烯层在中红外波段的探测灵敏度，在中红外探测领域具有广阔的应用前景；同时，可以减少了载流子复合，提高了载流子寿命，因此可以提升光探测器件的响应灵敏度。