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公开(公告)号:CN116247003A
公开(公告)日:2023-06-09
申请号:CN202310196606.6
申请日:2023-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种金属互连线制备方法。该方法包括:(1)提供一基底,在基底的上表面形成材料层;(2)在材料层的上表面形成金属层,在金属层的上表面形成刻蚀阻挡层;(3)采用干法刻蚀工艺刻蚀所述刻蚀阻挡层之外的金属层,形成薄金属层;(4)用钝化工艺将所述薄金属层钝化形成钝化层;(5)用湿法刻蚀工艺刻蚀所述钝化层;(6)去除所述刻蚀阻挡层,留下互连线层。该方法可以减小干法刻蚀过程对目标衬底材料的损伤,保持材料的本征特性,有利于提升所制作器件的电学特性,扩展了金属互连线在二维材料、有机半导体、钙钛矿等脆弱材料的应用范围。