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公开(公告)号：CN106452379B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610833786.4
申请日：2016-09-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种覆盖C‑Ku频段的GaN MMIC放大器，涉及MMIC放大器技术领域。所述放大器包括多级放大电路，前级有源器件与后级有源器件之间通过匹配网络进行连接，所述匹配网络包括电容C1‑C4、电阻R1以及电感L1，所述电容C3的一端为所述匹配网络的输入端，所述电容C3的另一端分为两路，第一路依次经电容C2、电容C1接地，电阻R1与电容C2并联，所述电容C1与电容C2的结点为所述匹配网络的输出端，第二路依次经电感L1以及电容C4后接地。所述放大器拓宽了匹配网络的带宽，补偿了器件随频率的增益滚降，增加了级间隔离度，提升了放大器的稳定性。
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公开(公告)号：CN106452379A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610833786.4
申请日：2016-09-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H03F3/42 , H03F1/42 , H03F1/565 , H03F2200/225
Abstract: 本发明公开了一种覆盖C-Ku频段的GaN MMIC放大器，涉及MMIC放大器技术领域。所述放大器包括多级放大电路，前级有源器件与后级有源器件之间通过匹配网络进行连接，所述匹配网络包括电容C1-C4、电阻R1以及电感L1，所述电容C3的一端为所述匹配网络的输入端，所述电容C3的另一端分为两路，第一路依次经电容C2、电容C1接地，电阻R1与电容C2并联，所述电容C1与电容C2的结点为所述匹配网络的输出端，第二路依次经电感L1以及电容C4后接地。所述放大器拓宽了匹配网络的带宽，补偿了器件随频率的增益滚降，增加了级间隔离度，提升了放大器的稳定性。
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公开(公告)号：CN104866902A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510323649.1
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法，涉及太赫兹器件建模方法技术领域。所述方法在单纯神经网络建模的基础上加上空间映射的方法，将粗模型的输入电压通过神经网络映射到最终的精确模型的输入电压，由太赫兹有源器件的粗模型、输入端的神经网络修正模块、输出端的神经网络修正模块以及各个流控电流源和流控电压源等构成。所述方法针对传统经验模型在太赫兹频段的缺陷，通过神经网络的学习，自动地映射新、旧模型的输入和输出关系以修正粗模型，使得新模型与器件在太赫兹频段的测量特性相吻合，得到适用于太赫兹频段的神经网络模型，且新模型可定标。
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公开(公告)号：CN104865421A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510323002.9
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R1/04
Abstract: 本发明公开了一种在片微波探针测试夹具及在片微波探针测试方法，涉及微波在片测试方法技术领域。所述测试夹具包括第一测试PAD、第二测试PAD、第三测试PAD、第一对位标记、第二对位标记、第三对位标记和第四对位标记。所述测试方法使用上述测试夹具，通过测试夹具上的对位标记，在测试的过程中能够保证被测件的参考面与校准件的测量参考面相一致，从而避免探针扎针的不一致性导致额外的误差引入，提高了测量的精确度。
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公开(公告)号：CN109164406B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201811283843.1
申请日：2018-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明适用于微波测量及校准技术领域，提供了一种测试夹具的散射参数提取方法，包括：根据被测微波功率器件的封装形式，制作不包括馈线的TRL校准件，并计算所述TRL校准件的传输矩阵参数；根据微波功率器件的封装形式及工作频段，制作测试夹具；将所述测试夹具与所述TRL校准件级联，并根据TRL校准件的传输矩阵参数计算测试夹具的散射参数。本发明能够利用已知散射参数的不包含馈线的TRL校准件夹具与测试夹具直接级联测试，可快速准确的提取测试夹具的散射参数，从而无需重新制作基于新测试夹具且包含馈线的TRL校准件，减小了测试夹具散射参数的误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110286345B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201910429556.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了矢量网络分析仪在片S参数的校准方法、系统及设备，方法包括：获取矢量网络分析仪测量的第一串扰校准件的第一参数；基于第一串扰校准件的第一参数和第一串扰校准件的标定参数获得主串扰误差项；获取矢量网络分析仪基于主串扰误差项测量的第二串扰校准件的第二参数；基于第二串扰校准件的第二参数和所述第二串扰校准件的标定参数获得次串扰误差项，主串扰误差项和次串扰误差项用于校准矢量网络分析仪。通过主串扰误差项，在矢量网络分析仪测量被测件的在片S参数时进行修正，解决了测量时探针与探针之间的主要串扰误差，通过次串扰误差项，解决了主串扰误差项修正不完善引起的剩余误差，提高了在片S参数校准的准确度。
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公开(公告)号：CN108268705A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711486767.X
申请日：2017-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微波电路技术领域，提供了微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备。该方法包括：在输出端口的反射系数为第一固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功率波和出射功率波；在输出端口的反射系数为第二固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功率波和出射功率波；根据输出端口的负载阻抗、输出端口的入射功率波和出射功率波以及输入端口的入射功率波和出射功率波，建立被测件的非线性模型。上述方法能够减少模型参数的个数，降低模型参数提取的难度。
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公开(公告)号：CN107315098A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710392364.2
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R1/067
Abstract: 本发明公开了一种微波共面测试探针及其制作方法，属于微波通讯器件技术领域。本发明包括同轴设置的外导体和内导体，在外导体和内导体之间设有绝缘层，外导体的端部设有转接器，内导体向外延伸形成信号线触头，外导体向外延伸形成两个地线触头，两个地线触头相对于信号线触头对称。该探针具有制作简单、成本低廉、维修便利的特点。
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公开(公告)号：CN204666731U
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201520406029.X
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种太赫兹在片散射参数测量校准件，涉及太赫兹器件散射参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底，所述衬底的上表面制作有一个直通标准件、一个反射标准件和至少一个传输线标准件，所述衬底的下表面制作有背面金属层，所述衬底作为整个校准件和被测件的共同衬底。所述校准件不仅可以解决衬底和被测件衬底不匹配的问题，提高了测量的精确度，还可以将校准后的参考平面移到管芯根部，不需要做去嵌入处理，并且采用共面波导结构还可以减小损耗。
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公开(公告)号：CN204666669U
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201520406028.5
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R1/04
Abstract: 本实用新型公开了一种在片微波探针测试夹具，涉及微波在片测试方法技术领域。所述测试夹具包括第一测试PAD、第二测试PAD、第三测试PAD、第一对位标记、第二对位标记、第三对位标记和第四对位标记。通过测试夹具上的对位标记，在测试的过程中能够保证被测件的参考面与校准件的测量参考面相一致，从而避免探针扎针的不一致性导致额外的误差引入，提高了测量的精确度。
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