两相球形材料及其制造装置、制造方法及板材的制造方法

    公开(公告)号:CN108856703A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201810701199.9

    申请日:2018-06-29

    摘要: 本发明公开了一种两相球形材料,包括球形壳体及球形壳体内密封的气体,其中:球形壳体的外径取值范围为10微米‑5毫米,球形壳体的壁厚取值范围为20纳米‑1000微米,球形壳体内绝对压力的取值范围为0.1MPa‑100MPa。本发明中的两相材料外壳均选用高硬度、高强度结构材料,其空心结构大大降低了两相材料的密度,克服了外壳材料强度、硬度高,但密度也高的矛盾,充入的气体补偿了材料空心结构损失的大部分强度,同时空心正压球体结构大大改善了实心材料所缺少的可变形量,增加了该材料的塑性能力,使用该两相材料制作的板材或带材比现有的航空铝合金和钛合金的比强度提高了数倍。

    一种抗抖动的籽晶杆装置
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116770420A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310784337.5

    申请日:2023-06-29

    IPC分类号: C30B15/30 C30B15/32 C30B15/08

    摘要: 本发明公开了一种抗抖动的籽晶杆装置,包括竖直设置的籽晶杆以及竖直设于籽晶杆上端的籽晶,在籽晶杆上端设有导向套筒,所述导向套筒套设在籽晶杆上,便于在籽晶杆竖直方向移动过程中对籽晶杆进行导向,导向套筒顶端封闭且导向套筒顶端设有供籽晶通过的过孔;所述导向套筒外设有支撑结构,所述支撑结构用于对导向套筒进行支撑。该籽晶杆装置的结构稳定性高,能对籽晶杆和籽晶进行有效导向和扶持,减小抖动,从而能用于制备小直径、大尺寸且高质量的单晶光纤。

    一种用于晶体生长的坩埚装置及使用方法

    公开(公告)号:CN113897670A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202111342567.3

    申请日:2021-11-12

    IPC分类号: C30B15/10 C30B15/20

    摘要: 本发明属于晶体生长技术领域,具体涉及一种用于晶体生长的坩埚装置及使用方法;该装置包括:坩埚体以及至少两根导料管;所有的导料管均匀的设置在坩埚体的侧面;所述坩埚体的侧面设置有与导料管数量相同的坩埚通孔;导料管的下端管口与坩埚通孔连接,使得熔液能通过导料管流入坩埚体内部;本发明成本低,加热滞后性小,温场均匀性高,可实现生长高质量、大尺寸晶体的目标,具有良好的经济效益。

    两相球形材料及其制造装置、制造方法及板材的制造方法

    公开(公告)号:CN108856703B

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN201810701199.9

    申请日:2018-06-29

    摘要: 本发明公开了一种两相球形材料,包括球形壳体及球形壳体内密封的气体,其中:球形壳体的外径取值范围为10微米‑5毫米,球形壳体的壁厚取值范围为20纳米‑1000微米,球形壳体内绝对压力的取值范围为0.1MPa‑100MPa。本发明中的两相材料外壳均选用高硬度、高强度结构材料,其空心结构大大降低了两相材料的密度,克服了外壳材料强度、硬度高,但密度也高的矛盾,充入的气体补偿了材料空心结构损失的大部分强度,同时空心正压球体结构大大改善了实心材料所缺少的可变形量,增加了该材料的塑性能力,使用该两相材料制作的板材或带材比现有的航空铝合金和钛合金的比强度提高了数倍。

    一种直接成型蓝宝石整流罩的方法

    公开(公告)号:CN104088010B

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:CN201410373898.7

    申请日:2014-07-31

    IPC分类号: C30B15/34 C30B29/20

    摘要: 本发明公开了一种直接成型蓝宝石整流罩的方法,其具体加工步骤如下:1)在坩埚内加入蓝宝石晶体原料;2)使籽晶杆的轴心线与毛细管导模的轴心线重合,并与毛细管导模的上端具有30—50mm的间隙;3)通过控制系统控制炉体进行加热,直至坩埚内的蓝宝石晶体原料熔化,蓝宝石熔液随毛细管导模向上移动至籽晶杆的下端;4)通过坩埚旋转机构带动坩埚旋转,同时通过竖移机构向上提拉籽晶杆,并通过转动机构带动籽晶杆绕其轴心线转动;5)直到整流罩成型后,后对炉体进行降温,待降温后将整流罩与籽晶杆一起取下;最后将整流罩从籽晶杆上取下,进行后续打磨处理。本发明能够有效降低加工难度,提高生产效率。

    一种RIG薄膜连续制备装置
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118773725A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202410809866.0

    申请日:2024-06-21

    IPC分类号: C30B15/14 C30B33/02

    摘要: 本发明公开了一种RIG薄膜连续制备装置,包括炉体,炉体内设置有外延区温场以及位于外延区温场顶部且连通的预热区温场,预热区温场顶部开设有通道,外延区温场内设置有坩埚,炉体顶部设置有能够循环移动的多个籽晶生长提拉装置,预热区温场的一侧还设置有与其连通的退火区温场,退火区温场为延伸设置的直线或曲线温场,其内部有设置有多个温度逐渐递减的退火温区,退火区温场的末端顶部开设有通道,炉体对应预热区温场通道和退火区温场通道的位置分别开设有炉口,退火区温场顶部开设有延伸至预热区温场的下移动通道,炉体顶部且位于下移动通道上方的位置开设有上移动通道,多个籽晶生长提拉装置能够依次循环操作RIC晶体的生长以及退火。

    一种高压导模法晶体生长装置
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117431618A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202311463474.5

    申请日:2023-11-06

    IPC分类号: C30B15/00

    摘要: 本发明公开了一种高压导模法晶体生长装置,包括机架和设于机架上的晶体生长炉,晶体生长炉内设有坩埚、毛细管导模和加热机构,晶体生长炉上方设有第一罩体,第一罩体与晶体生长炉顶板密封连接,从而在晶体生长炉上方形成上腔室,晶体生长炉顶板设有供籽晶杆通过的第一通孔,并在上腔室内设有提拉机构和旋转机构,提拉机构与籽晶杆上端连接,用于带动籽晶杆竖直升降;旋转机构设于提拉机构上且与籽晶杆连接,便于随籽晶杆升降的同时带动籽晶杆旋转;上腔室对应的籽晶杆上套设有波纹管,波纹管下端与晶体生长炉顶板固定,波纹管上端与提拉机构下端连接。本发明能为晶体生长提供高压气体环境,同时能避免周围环境对晶体造成污染,保证晶体生长质量。