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发明公开
一种RIG薄膜连续制备装置审中-实审

公开(公告)号：CN118773725A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410809866.0

申请日：2024-06-21

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 李金 , 康世伟 , 武欢 , 佘建军 , 段超 , 彭敏

IPC分类号： C30B15/14 , C30B33/02

摘要： 本发明公开了一种RIG薄膜连续制备装置，包括炉体，炉体内设置有外延区温场以及位于外延区温场顶部且连通的预热区温场，预热区温场顶部开设有通道，外延区温场内设置有坩埚，炉体顶部设置有能够循环移动的多个籽晶生长提拉装置，预热区温场的一侧还设置有与其连通的退火区温场，退火区温场为延伸设置的直线或曲线温场，其内部有设置有多个温度逐渐递减的退火温区，退火区温场的末端顶部开设有通道，炉体对应预热区温场通道和退火区温场通道的位置分别开设有炉口，退火区温场顶部开设有延伸至预热区温场的下移动通道，炉体顶部且位于下移动通道上方的位置开设有上移动通道，多个籽晶生长提拉装置能够依次循环操作RIC晶体的生长以及退火。