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公开(公告)号：CN118668290A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411128467.4
申请日：2024-08-16
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种单晶光纤生长方法和系统，所述单晶光纤生长方法采用竖直设置的多级激光加热系统，一步实现了单晶光纤多次缩径的越级生长。采用本发明光纤生长方法，在制备小尺寸单晶光纤时，无需在每一级光纤生长前都进行光路调节、籽晶和光纤调中等操作，在制备之前仅需进行一次调节，即可制备出所需单晶光纤，生长结束后无需退火，制备过程简单，操作时间短，解决了单晶光纤难以越级生长的技术难点，实现了使用大直径光纤进行小直径单晶光纤的一次性生长，大大提高了直径小于100 um的单晶光纤制备效率，且保证了单晶光纤的生长质量，具有良好的经济效益。
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公开(公告)号：CN118773725A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410809866.0
申请日：2024-06-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种RIG薄膜连续制备装置，包括炉体，炉体内设置有外延区温场以及位于外延区温场顶部且连通的预热区温场，预热区温场顶部开设有通道，外延区温场内设置有坩埚，炉体顶部设置有能够循环移动的多个籽晶生长提拉装置，预热区温场的一侧还设置有与其连通的退火区温场，退火区温场为延伸设置的直线或曲线温场，其内部有设置有多个温度逐渐递减的退火温区，退火区温场的末端顶部开设有通道，炉体对应预热区温场通道和退火区温场通道的位置分别开设有炉口，退火区温场顶部开设有延伸至预热区温场的下移动通道，炉体顶部且位于下移动通道上方的位置开设有上移动通道，多个籽晶生长提拉装置能够依次循环操作RIC晶体的生长以及退火。
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公开(公告)号：CN115261975B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210962186.3
申请日：2022-08-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种温度梯度动态可调节的人工晶体生长温场结构及温场调节方法，包括炉体和位于炉体内的坩埚，在炉体内位于坩埚所在位置周围设有加热线圈，在加热线圈和坩埚之间设有温度调节机构，温度调节机构包括屏蔽环、调节杆和驱动装置，屏蔽环安装在调节杆上端并围绕坩埚周围设置，驱动装置位于炉体外并与调节杆下端连接以通过调节杆驱动屏蔽环上下运动；通过改变屏蔽环所处不同高度以选择性地遮挡坩埚从而屏蔽加热线圈的电涡流对坩埚的作用，以在坩埚被遮挡区域形成相对低温区。本发明能够实现晶体生长过程中晶体生长区域位置温度梯度全域动态可调，具有大幅度、平稳调节的功能。
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公开(公告)号：CN115261975A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210962186.3
申请日：2022-08-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种温度梯度动态可调节的人工晶体生长温场结构及温场调节方法，包括炉体和位于炉体内的坩埚，在炉体内位于坩埚所在位置周围设有加热线圈，在加热线圈和坩埚之间设有温度调节机构，温度调节机构包括屏蔽环、调节杆和驱动装置，屏蔽环安装在调节杆上端并围绕坩埚周围设置，驱动装置位于炉体外并与调节杆下端连接以通过调节杆驱动屏蔽环上下运动；通过改变屏蔽环所处不同高度以选择性地遮挡坩埚从而屏蔽加热线圈的电涡流对坩埚的作用，以在坩埚被遮挡区域形成相对低温区。本发明能够实现晶体生长过程中晶体生长区域位置温度梯度全域动态可调，具有大幅度、平稳调节的功能。
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