本发明公开了一种高压导模法晶体生长装置，包括机架和设于机架上的晶体生长炉，晶体生长炉内设有坩埚、毛细管导模和加热机构，晶体生长炉上方设有第一罩体，第一罩体与晶体生长炉顶板密封连接，从而在晶体生长炉上方形成上腔室，晶体生长炉顶板设有供籽晶杆通过的第一通孔，并在上腔室内设有提拉机构和旋转机构，提拉机构与籽晶杆上端连接，用于带动籽晶杆竖直升降；旋转机构设于提拉机构上且与籽晶杆连接，便于随籽晶杆升降的同时带动籽晶杆旋转；上腔室对应的籽晶杆上套设有波纹管，波纹管下端与晶体生长炉顶板固定，波纹管上端与提拉机构下端连接。本发明能为晶体生长提供高压气体环境，同时能避免周围环境对晶体造成污染，保证晶体生长质量。