公开(公告)号：CN104833681B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201510242942.5

申请日：2015-05-13

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所

Inventor： 林文海 ,  邱颖霞 ,  闵志先 ,  宋夏 ,  汪锐

IPC: G01N21/956

Abstract: 本发明公开了一种快速测量MCM基板电路图形尺寸误差的装置及方法，光源环绕在镜头的周围，镜头垂直设置于载物台的上方，所述基板工装设置于载物台的顶部，所述镜头连接感应成像系统，所述感应成像系统将镜头接收到的光学信号转换为灰度图像，所述数据处理系统将感应成像系统生成的灰度图像进行数据提取和存储，所述判定系统将数据处理系统生成的数据特征进行判定，所述显示输出系统用于显示感应成像系统的成像结果、数据处理系统的数据处理结果、判定系统的数据特征比较结果。高效快速的对批量MCM基板上的电路图形的多个点之间的距离进行测量并判定是否满足组装需要。能在制造之前剔除不符合要求的MCM基板，提高制造成品率，减少昂贵的裸芯片报废。

公开(公告)号：CN106910694A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201710130120.7

申请日：2017-03-07

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所

Inventor： 吴伟 ,  邱颖霞 ,  闵志先 ,  林文海 ,  刘建军

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种自动检测集成电路器件翘曲度的方法，包括：获取器件的表面特征图像Fig0；提取待测器件的表面特征图像Fig1、Fig2、……FigN，逐个识别待测区域F1、F2、……Fn；对识别到的待测区域进行翘曲量扫描并计算翘曲度γ；将计算得到的翘曲度γ与设定的翘曲度标准值L进行比对，并计算容差；若待测器件计算得到的容差在设定的容差差值S的范围内，则判定该待测器件或集成电路产品为合格，否则，为不合格。本发明还公开了一种自动检测集成电路器件翘曲度的装置。本发明利用白光扫描干涉技术对待测区域进行扫描并进行翘曲量测量并计算翘曲度，整个过程无需人工操作，能够有效得自动判定电子元器件或集成电路产品是否合格。

公开(公告)号：CN106102339A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610481972.6

申请日：2016-06-24

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所

Inventor： 孙晓伟 ,  邱颖霞 ,  程明生 ,  陈该青 ,  蒋健乾

IPC: H05K3/32 ,  H05K3/34

CPC classification number: H05K3/32 ,  H05K3/328 ,  H05K3/34 ,  H05K3/341

Abstract: 本发明公开了一种用于深腔式微波组件表面组装方法，包括：获得去除氧化层的第一焊片的步骤；获得经过一次定位的盒体的步骤；获得印有焊膏的第一微带板、完成第一次焊膏印刷的盒体的步骤；获得贴装有元器件的第一微带板、完成第一次元器件贴装的盒体的步骤；获得装配有第一配压工装的盒体的步骤；获得完成一次焊接的盒体的步骤；获得完成二次焊接的盒体的步骤；将完成二次焊接的盒体取出并进行清洗，获得成品的步骤。有益的技术效果：本发明不仅使用一种焊料完成微波组件双面多次焊接，减少对不同焊料温度梯度的依赖，还实现表贴元器件的自动化组装，使微带板大面积接地焊接和元器件焊接同时进行，提高生产效率，减少装配误差与工艺难度。

公开(公告)号：CN105200400A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510596254.9

申请日：2015-09-18

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所

Inventor： 邱颖霞 ,  刘东光 ,  闵志先 ,  胡江华 ,  张孔

IPC: C23C18/18 ,  C23C18/34 ,  C23C18/40

Abstract: 本发明涉及一种高温共烧陶瓷钨金属化导体层的表面镀镍方法。具体操作步骤如下：将高温共烧陶瓷一次金属化的钨导体材料经碱性除油、酸微蚀刻、敏化活化、化学镀铜、表面调整处理、碱性化学镀镍。在高温共烧陶瓷一次金属化的钨导体表面形成厚度为2～3 μm镍材料层。采用酸的强氧化性使钨金属化导体层表面受轻微侵蚀达到微观粗化和具有亲水的作用。采用敏化活化一步法使材料表面形成具有催化活性的钯盐中心；利用表面调整处理使酸性化学镍镀层和基底之间形成很好的固溶扩散，增强界面结合力；利用两步镀铜镀镍形成多层金属层相结合的方法使材料表面镀层之间粘附力增强，使镀层应力得到释放，获得的镀层外观质量佳，可焊性优。

公开(公告)号：CN109461699B

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201811237761.3

申请日：2018-10-22

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所

Inventor： 王强文 ,  郭育华 ,  王运龙 ,  刘建军 ,  邱颖霞

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明公开一种同轴TSV结构转接板及其制作方法，包括步骤：对硅片晶圆进行预处理，所述硅片晶圆具有相对应的正面和反面；在所述正面加工内圈铜柱结构；在所述背面以所述内圈铜柱结构的金属铜柱为中心制作大外径的硅盲孔；在所述硅盲孔的侧壁表面加工形成外圈金属层；在具有所述外圈金属层的所述硅盲孔内填充中间介质层并固化；加工所述正面和所述背面至表面平坦化，在所述正面加工至直到露出所述中间介质层，在所述背面加工至露出所述内圈铜柱结构的所述金属铜柱；在所述正面和所述背面加工同轴TSV孔焊盘、同轴TSV孔互连传输线，形成具有TSV同轴结构的硅转接板；本发明简化聚合物介质的填充工艺，可控并且重复性好，利于实现批量化生产制作。

公开(公告)号：CN108436308B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201810217225.0

申请日：2018-03-16

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所

Inventor： 王运龙 ,  刘建军 ,  宋夏 ,  郭育华 ,  邱颖霞

IPC: B23K26/382 ,  B23K26/70 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明涉及一种用于微波陶瓷基板上微孔的CO2激光加工方法。采用直径0.15‑0.3mm光斑的CO2激光，在厚度0.25‑1mm的微波陶瓷基板上加工小于所述光斑尺寸的的通孔，操作步骤如下：1.微波陶瓷基板前处理，2.在金属微孔模板上采用紫外激光开设开模孔，并加工出定位标识，所述模孔的孔径大于陶瓷基板被加工孔径10‑20μm；3.将金属微孔模板贴敷于微波陶瓷基板上；4.采用CO2激光，使激光通过金属微孔模板上的模孔，实现在微波陶瓷基板上加工出对应的一个以上的被加工孔；5.将微波陶瓷基板抛光、超声清洗和干燥，完成微波陶瓷基板的微孔加工；金属微孔模板重复使用。本发明实现较小孔径和较低锥度的微孔加工。具有微孔加工质量高、操作简单、重复性能好等优点。

公开(公告)号：CN109152221A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811038090.8

申请日：2018-09-06

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所

Inventor： 张孔 ,  邱颖霞 ,  宋夏 ,  刘建军

IPC: H05K3/00 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及一种低温共烧陶瓷基板上浅层回路形腔体的成型方法。操作步骤如下：（1）在12‑30片印刷有内层电路图形的生瓷片堆叠、层压、热切，制得LTCC生坯；不完全烧结，获得初烧基板；（2）在初烧基板的顶面和底面分别沉积金属保护层和光刻胶，获得具有保护的初烧基板；（3）在需要开腔区域去除光刻胶，并紫外激光烧蚀，获得预开腔体基板；（4）采用缓蚀溶液对预开腔体腐蚀，使内层电路图形充分暴露；即获得带腔体基板；（5）去除带腔体基板上剩余的光刻胶的金属保护层；并印刷顶面电路图形和底面电路图形，烧结，获得具有浅层回路腔体的LTCC基板。本发明能方便快捷地制备出现环形、树状分支形等复杂结构的LTCC回路形盲腔。

公开(公告)号：CN108356374A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810089040.6

申请日：2018-01-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所

Inventor： 孙晓伟 ,  邱颖霞 ,  程明生 ,  蒋健乾

IPC: B23K1/008 ,  B23K1/20

Abstract: 本发明公开了一种含有无铅BGA器件的印制板焊接方法，包括以下步骤：步骤1：对印制板和无铅BGA器件分别进行烘烤；步骤2：在印制板待焊接BGA器件的焊盘上印刷有铅焊膏；步骤3：将无铅BGA器件贴装在印制板上；步骤4：将步骤3得到的印制板放入回流炉中进行焊接。本发明提供的一种含有无铅BGA器件的印制板焊接方法的优点在于：焊接可靠性高、回流曲线与有铅焊接类似，可操作性高、有效提高生产效率、适合推广使用。

公开(公告)号：CN105428266B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201510891490.3

申请日：2015-11-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所

Inventor： 闵志先 ,  邱颖霞 ,  胡骏 ,  林文海 ,  宋夏

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明公开了一种具有介质桥的芯片倒装共晶键合方法及获得的产物。所述方法包含底座成型、衬底预处理、压块成型、装配、共晶键合5个步骤；所述产物包含盖板、衬底、芯片和底座。有益的技术效果：本发明避免了组装过程对裸芯片图形层上介质桥的损伤；避免了托盘对芯片表面图形的污染和损伤；实现了芯片和衬底之间的高精度定位；实现了多个裸芯片同时进行共晶键合，避免了多芯片模块共晶键合过程中存在的过烧和焊料氧化，提供了组件的可靠性；提高了装配效率，降低了组装失效率。实现高可靠和高效率多芯片模块的批量组装。

公开(公告)号：CN104966678B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201510270691.1

申请日：2015-05-25

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所

Inventor： 宋夏 ,  邱颖霞 ,  林文海 ,  胡骏 ,  金家富

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种一体化封装微波器件阵列式平行焊接装置及方法，定位夹具的正面设有多个阵列式排布的焊接腔，所述焊接腔内焊接有绝缘散热基板，所述绝缘散热基板与定位夹具的正面平齐，所述夹具盖板上开设多个阵列式排布的固定通孔，所述固定通孔和待焊接器件的围框尺寸相匹配，所述夹具绝缘层覆盖在夹具盖板的背面，所述盖板绝缘层覆盖在定位夹具的焊接腔以外的正面。可实现一体化封装微波器件在阵列式平行缝焊过程中所产生的大量热量的快速散出。避免了阵列式排布的器件依次封盖过程中产生的热量相互之间扩散，导致器件温度迅速上升，器件内部焊料重熔，胶料老化，裸芯片失效等一系列隐患。