一种预成型焊片、立体互联结构及立体互联封装方法

    公开(公告)号:CN116387268A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202211432757.9

    申请日:2022-11-16

    摘要: 本发明公开了一种预成型焊片、立体互联结构及立体互联封装方法,焊片的环形主体上设有用于容纳焊盘的开口,互联焊盘位于所述开口内,互联焊盘上具有从边缘向所述开口内缘延伸的连接部,所述连接部远离互联焊盘一端与所述开口内缘连接。本发明的立体互联封装方法,用于立体互联结构的上下层电路整体焊接,通过上述预成型焊片,将互联焊盘预制在环形主体上,便于焊片的整体一体化加工,避免使用焊膏时高含量有机组分的影响,在焊接中,环形主体设计保证上下层电路之间芯片容纳空间的密封,并且焊接完成即满足气密封装要求,同时互联焊盘预制在环形主体上,焊接时利用焊材表面张力焊盘与主体分离,保证上下层电路互联焊接的可靠性。

    焊料微凸点阵列制备方法

    公开(公告)号:CN111883502A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010776085.8

    申请日:2020-08-03

    摘要: 本发明涉及芯片封装领域,具体涉及一种焊料微凸点阵列制备方法,包括如下步骤:贴焊片,将焊片贴合在载板上;切割,在焊片上切割出焊料柱阵列;剥离,将多余的焊片撕掉或剥离,只留下焊料柱阵列;倒装焊接,焊料柱阵列转移到需制作凸点面阵的焊盘上;回流,对带有焊料柱阵列的焊盘进行回流,使焊料柱阵列熔化成球,形成规则的焊料凸点阵列。本发明的优点在于:该方法工艺简单,效率高,灵活方便,可适用各种型号焊料,无需特制微球,成本低,不仅适用于晶圆整体制作,对划切好的芯片,转接板同样适用,而且无需特制植球模板,可大规模应用。

    一种无需临时键合的超薄硅转接板的制作方法

    公开(公告)号:CN108511327B

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN201810437582.8

    申请日:2018-05-09

    IPC分类号: H01L21/02 H01L21/027

    摘要: 本发明提供一种无需临时键合与解键合工艺的超薄硅转接板的制作方法,用于解决现有技术中设备成本高昂、工艺步骤多、胶体残留污染的问题。根据本发明提供的制作方法,超薄硅转接板形成在普通硅片的硅腔内,拿持及后续再布线层工艺、芯片贴装均可像普通硅晶圆一样进行操作,免去临时键合和解键合昂贵而繁杂的工艺步骤。本发明基于湿法腐蚀制作的硅腔底部平面具有光滑的表面,无须进行表面研磨抛光工艺步骤,结合喷胶和激光直写光刻工艺可以完成再布线层的制作,大大降低了工艺成本。本发明基于激光加工制作的硅通孔具有倾斜侧壁,有利于在硅通孔侧壁表面形成高质量的通孔阻挡层,并有利于在通孔内形成覆盖完整、连续的通孔侧壁金属层。

    一种无需临时键合的超薄硅转接板的制作方法

    公开(公告)号:CN108511327A

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201810437582.8

    申请日:2018-05-09

    IPC分类号: H01L21/02 H01L21/027

    摘要: 本发明提供一种无需临时键合与解键合工艺的超薄硅转接板的制作方法,用于解决现有技术中设备成本高昂、工艺步骤多、胶体残留污染的问题。根据本发明提供的制作方法,超薄硅转接板形成在普通硅片的硅腔内,拿持及后续再布线层工艺、芯片贴装均可像普通硅晶圆一样进行操作,免去临时键合和解键合昂贵而繁杂的工艺步骤。本发明基于湿法腐蚀制作的硅腔底部平面具有光滑的表面,无须进行表面研磨抛光工艺步骤,结合喷胶和激光直写光刻工艺可以完成再布线层的制作,大大降低了工艺成本。本发明基于激光加工制作的硅通孔具有倾斜侧壁,有利于在硅通孔侧壁表面形成高质量的通孔阻挡层,并有利于在通孔内形成覆盖完整、连续的通孔侧壁金属层。

    在氮化铝高温共烧陶瓷基板表面制作电阻的方法

    公开(公告)号:CN114783711A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210417123.X

    申请日:2022-04-20

    IPC分类号: H01C17/065 H01C17/00

    摘要: 本发明提供一种在氮化铝高温共烧陶瓷基板表面制作电阻的方法,涉及高温共烧陶瓷基板表面电阻制备的技术领域,具体包括以下步骤:S1.先在氮化铝共烧陶瓷基板表面印刷金属化导电浆料,再将氮化铝高温共烧陶瓷基板放置于激光加工平台上,再校对电阻成型位置;S2.根据所需的电阻值调整相关激光雕刻参数;S3.运行激光器发射激光,直接在氮化铝高温陶瓷基板表面的电阻待成型位置进行雕刻,雕刻完成后对制作的电阻进行阻值测试。本发明利用氮化铝高温共烧陶瓷基板自身的特性,通过氮化铝自身的氧化还原反应制作电阻,制备方法操作难度小、制备的电阻阻值精确度高。

    一种微波基片腔体激光直接加工成型方法

    公开(公告)号:CN108453392A

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201810502189.2

    申请日:2018-05-23

    IPC分类号: B23K26/362 B23K26/18 B81C1/00

    摘要: 本发明方法针对微波基片形成腔体结构存在的腐蚀锥度、腐蚀速率低以及腔体尺寸一致性等问题,提出采用聚焦的激光束进行硅基材料的去除从而形成腔体结构的方法。所述制作方法包括:(1)微波基片前处理及电路图形保护;(2)激光束刻蚀微波基片形成一定深度的腔体;(3)微波基片后处理;本发明通过激光束的移动刻蚀出沟槽,而沟槽的重叠可以实现一定区域的材料去除。在需要刻蚀的区域内重复加工实现一定的刻蚀深度,从而形成一定深度的腔体结构。进一步利用激光能量清洁腔体底部,在不损害基体的同时达到清洁的目的。本发明具有控制精度高,效率高,环境友好,腔壁垂直度好,与微波基片电路制作工艺兼容性好等优点。