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公开(公告)号：CN109659398A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811603494.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/108
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基背入式MSM紫外焦平面阵列成像系统的制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：(1)在衬底上依次外延生长AlN缓冲层、AlGaN渐变缓冲层、AlxGa1-xN紫外光吸收层；(2)对衬底背面进行抛光；(3)在AlxGa1-xN紫外光吸收层上光刻，制作金属叉指电极；(4)在紫外焦平面阵列上制备In柱，与驱动电路，成像电路键合，制成AlGaN基背入式MSM紫外焦平面阵列成像系统。本发明通过外延材料和器件的设计，相比传统正入式PN紫外焦平面成像系统具有以下优点：避免AlN缓冲层、衬底、金属电极对紫外光的吸收；可获得较薄且高质量的紫外光吸收层，减少载流子的迁移距离，本发明可显著提高紫外FPA探测器焦平面成像系统的性能，包括信噪比，分辨率，和灵敏度。
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公开(公告)号：CN119789642A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411964784.X
申请日：2024-12-27
Applicant: 中南大学
IPC: H10H20/841 , H10H20/814 , H10H20/812 , H10H20/831 , H10H20/833 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种基于ITO台肩结构的Micro‑RCLED器件及其制备方法，其中器件包括由下至上依次布置的衬底层、键合金属层、第一反射镜层、ITO电流扩展层和氮化镓外延层，氮化镓外延层包括由下至上依次布置的p‑GaN层、MQW层和n‑GaN层，键合金属层、ITO电流扩展层和第一反射镜层的台面尺寸依次变小呈工字型布置，氮化镓外延层的台面尺寸不大于ITO电流扩展层，在第一反射镜层和ITO电流扩展层外的键合金属层上设有与ITO电流扩展层底部台肩面对接布置的金属电极层，在n‑GaN层上设有DBR反射镜层，DBR反射镜层对器件发射光源的反射率小于第一反射镜层。本发明大幅提高Micro‑RCLED芯片量产中的良率，并在衬底转移中，创新性提出CMP‑ICP‑CMP减薄谐振腔层方法，降低了器件断路和器件失效的现象。
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公开(公告)号：CN110581125B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910886527.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 中南大学
IPC: H01L25/16 , H01L31/02 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种集成CMOS探测器及制备工艺，属于半导体技术领域，本发明器件制作工艺简单，AlxGayIn2‑x‑yO3活性层生长工艺成熟，成本低，易于实施，可以大规模推广。在预先制作好CMOS电路和引出电极的Si衬底上，直接通过与Si基CMOS生长工艺兼容的方法生长AlxGayIn2‑x‑yO3材料作为探测器活性层。制作叉指电极与Si衬底的引出电极互连，且叉指电极在AlxGayIn2‑x‑yO3活性层材料的下面，入射光则从AlxGayIn2‑x‑yO3活性层材料上方入射，即相对叉指电极背入射，从而避免叉指电极对光的吸收。选择AlxGayIn2‑x‑yO3材料体系，可通过进一步调整Al,Ga,In各元素的组分，以及AlxGayIn2‑x‑yO3材料的生长位置，实现集成CMOS单芯片宽波段探测器阵列。
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公开(公告)号：CN111725401A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010611824.8
申请日：2020-06-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种光存储复合型忆阻器及其制备方法与应用，包括光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器，光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器共用一个衬底，光电探测器从衬底往上依次包括光电转化层和金属上电极，pn异质结构模拟型忆阻器从衬底往上依次包括金属下电极、p型氧化物薄膜层、n型氧化物薄膜层、金属上电极；光电探测器的金属上电极与pn异质结构模拟型忆阻器的金属上电极是连接在一起。本发明采用模拟型忆阻器(突触器件)与光电探测器复合制备成复合型忆阻器，可以通过不同光激发图像传感器光电导效应，精确调节模拟型忆阻器两端电压及电阻值，最终可以实现光信号对忆阻器阻值的精确调控，从而进一步实现更真实的人工视觉记忆仿生模拟。
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公开(公告)号：CN111725196A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010611852.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 中南大学
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L29/16 , H01L31/0304 , G01J1/42 , G01J1/44
Abstract: 本发明这种高温原位紫外探测系统，包括有散热模块和原位日盲紫外探测器；散热模块会组成一个腔体，原位日盲紫外探测器包括有SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片、紫外探测器芯片、多块DBC板、集电极、发射极、栅极以及相对应的端子；其中SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片安装于散热模块的腔体内部，SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片通过焊接的方式固定于DBC板上，DBC板与散热模块的焊料层连接；紫外探测器芯片位于腔体外部，紫外探测器芯片通过焊接的方式固定于DBC板上，DBC板固定散热模块的顶部；SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片、紫外探测器芯片、DBC板、集电极、发射极子、栅极之间通过电路进行互连。本发明采用AlGaN基紫外探测器芯片最高使用温度可达到300℃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111180557A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911356012.7
申请日：2019-12-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了基于p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO3异质结紫外发光二极管及制备方法，属于半导体技术领域，本发明器件制作工艺简单，n-AlxGayIn2-x-yO3层生长工艺成熟，成本低，易于实施，可以大规模推广。该异质结的紫外发光二极管主要包括p-Si层、介质层、n-AlxGayIn2-x-yO3和金属电极，其是在P型Si衬底上生长一层介质层，再生长n-AlxGayIn2-x-yO3薄膜形成异质pN结；本发明制备的p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO3异质pN结紫外发光二极管利用p-Si作为空穴注入源，大大提高了空穴的浓度，且抑制了载流子在间接带隙的p-Si区复合发光，具有较好的发光性能、以及较低的阈值电压，并且其发光强度很高。
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公开(公告)号：CN110581206A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910880984.X
申请日：2019-09-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种GaN基Micro-LED及其制备方法，所述Micro-LED包括GaN基Micro-LED芯片和Si衬底；所述芯片由下到上设有介质膜和n-GaN层；所述n-GaN层表面具有上台阶部和下台阶部；所述n-GaN层的上台阶部依次设有MQW层、p-GaN层和反射镜电极，所述n-GaN层的下台阶部设有欧姆接触金属；所述GaN基Micro-LED芯片通过In柱阵列倒装焊接在Si衬底上。上述GaN基Micro-LED具有垂直方向的谐振微腔结构，发光半高宽窄、发光方向性好、发光速度快；Micro-LED由GaN基材料组成，芯片厚度经减薄后，光提取效率得到提高、体积更小、集成度更高。
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公开(公告)号：CN110581125A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910886527.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 中南大学
IPC: H01L25/16 , H01L31/02 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种集成CMOS探测器及制备工艺，属于半导体技术领域，本发明器件制作工艺简单，AlxGayIn2-x-yO3活性层生长工艺成熟，成本低，易于实施，可以大规模推广。在预先制作好CMOS电路和引出电极的Si衬底上，直接通过与Si基CMOS生长工艺兼容的方法生长AlxGayIn2-x-yO3材料作为探测器活性层。制作叉指电极与Si衬底的引出电极互连，且叉指电极在AlxGayIn2-x-yO3活性层材料的下面，入射光则从AlxGayIn2-x-yO3活性层材料上方入射，即相对叉指电极背入射，从而避免叉指电极对光的吸收。选择AlxGayIn2-x-yO3材料体系，可通过进一步调整Al,Ga,In各元素的组分，以及AlxGayIn2-x-yO3材料的生长位置，实现集成CMOS单芯片宽波段探测器阵列。
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公开(公告)号：CN118263237A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410439230.1
申请日：2024-04-12
Applicant: 中南大学
IPC: H01L25/075 , B29C64/277 , B33Y30/00 , G02B27/09 , G02B3/00 , H01L33/58 , H01L33/00 , H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种紫外Micro‑LED芯片及其制备方法，其显示屏包括Micro‑LED阵列单元和设在该Micro‑LED阵列单元出光侧的微透镜阵列单元，所述Micro‑LED阵列单元包括第一基板和若干呈蜂窝状布置在该第一基板上的Micro‑LED，所述微透镜阵列单元包括设在Micro‑LED阵列单元表面的第二基板和若干布置在该第二基板上的微透镜，所述微透镜与各Micro‑LED一对一布置，各微透镜将对应Micro‑LED射出的光源压缩成平行于同一方向布置的椭圆形光斑，所述椭圆形光斑的长轴平行于同一方向上的两相邻Micro‑LED的轴心连接线布置，所述椭圆形光斑的长轴不小于两相邻Micro‑LED中心距的两倍。本发明在同等条件下，其打印精度更高。
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公开(公告)号：CN114566433A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111653668.2
申请日：2021-12-31
Applicant: 昆山弗莱吉电子科技有限公司 , 中南大学
Abstract: 本申请涉及芯片载体制造的领域，具体公开了一种多层铝合金引线框架的制备方法以及多层铝合金引线框架。多层铝合金引线框架的制备方法，包括以下步骤：取用于制备引线框架的铝合金板带，铝合金板带包括合金面层和厚铝面层；在合金面层和厚铝面层上分别设置掩膜层；采用第一刻蚀液对合金面层进行垂直喷淋刻蚀，采用第二刻蚀液对厚铝面层进行垂直喷淋刻蚀；刻蚀后对铝合金板带抛光，之后去除铝合金板带上的掩膜层。多层铝合金引线框架，采用上述多层铝合金引线框架的制备方法制备而得。本申请所得的引线框架具有较高的加工精度，是一种高反光、小间距的引线框架；本申请采用双面喷淋刻蚀液的加工方法有利于提高多层铝合金引线框架的加工精度。
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