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公开(公告)号:CN119985200A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202411843208.X
申请日:2024-12-13
Applicant: 湖南治齐科技有限公司 , 中南大学 , 中铝环保节能科技(湖南)有限公司
IPC: G01N5/04
Abstract: 本发明公开了一种阳极涂料封闭性能的检测方法,包括:S1、准备试验碳块,对所述试验碳块进行称重;S2、配制待测涂料;S3、使用待测涂料对试验碳块进行涂覆并称重、干燥;S4、将干燥后的试验碳块进行烧制并称重;S5、计算试验碳块的封闭量损失率。本发明模拟电解高温环境下炭棒高温失重检测,能够快速且精准地判断出涂层材料的封闭性能、是否具备防氧化性能,为涂层材料性能检测与甄选提供依据,避免投入大量的成本和时间,且有效消除实验过程所产生的干扰值,提高了测试数据的准确性与可比性。
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公开(公告)号:CN113486764B
公开(公告)日:2022-05-03
申请号:CN202110737810.5
申请日:2021-06-30
Applicant: 中南大学
IPC: G06V20/56 , G06K9/62 , G06N3/04 , G06V10/762
Abstract: 本发明公开了一种基于改进的YOLOv3的坑洼检测方法,包括:S1、通过视觉采集系统采集坑洼图像,预处理后得到坑洼数据集,坑洼数据集包括预处理后的坑洼图像;S2、构建改进的YOLOv3坑洼检测网络模型;S3、将所述坑洼数据集的训练数据集输入所述改进的YOLOv3坑洼检测网络模型训练,当所述改进的损失函数趋近于零时,得到所述改进的YOLOv3坑洼检测网络模型的参数最优解;S4、将所述坑洼数据集输入代入了参数最优解的所述改进的YOLOv3坑洼检测网络模型,得到坑洼检测结果。本发明解决坑洼检测即要保证实时性,又要使得准确率进一步提高的问题。
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公开(公告)号:CN113487502A
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN202110748344.0
申请日:2021-06-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种坑洼图像的阴影去除方法,包括:S1、通过视觉采集系统采集路面图片,获取含有坑洼的图像,构建坑洼数据集的原始数据;S2、对坑洼数据集的原始数据进行灰度化处理;S3、对灰度化处理的图像进行阴影检测,分割成阴影区域和非阴影区域;S4、对分割后的图像采用改进的阴影去除模型去除所述阴影区域;解决灰度图处理中容易将阴影和坑洼误检,阴影去除效果有待改善,从而影响智能车辆的安全平稳驾驶的问题。
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公开(公告)号:CN111725196A
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN202010611852.X
申请日:2020-06-30
Applicant: 中南大学
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L29/16 , H01L31/0304 , G01J1/42 , G01J1/44
Abstract: 本发明这种高温原位紫外探测系统,包括有散热模块和原位日盲紫外探测器;散热模块会组成一个腔体,原位日盲紫外探测器包括有SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片、紫外探测器芯片、多块DBC板、集电极、发射极、栅极以及相对应的端子;其中SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片安装于散热模块的腔体内部,SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片通过焊接的方式固定于DBC板上,DBC板与散热模块的焊料层连接;紫外探测器芯片位于腔体外部,紫外探测器芯片通过焊接的方式固定于DBC板上,DBC板固定散热模块的顶部;SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片、紫外探测器芯片、DBC板、集电极、发射极子、栅极之间通过电路进行互连。本发明采用AlGaN基紫外探测器芯片最高使用温度可达到300℃。
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公开(公告)号:CN110797267A
公开(公告)日:2020-02-14
申请号:CN201911105268.0
申请日:2019-11-12
Applicant: 中南大学 , 长沙安牧泉智能科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装芯片封装中具有互连结构的底填方法,包括先将底填料放置于模具中,进行烘烤固化,脱模后得到底填料模板;在所得底填料模板表面刻蚀通孔,得到底填料预制板;在底填料预制板的通孔内沉积金属铜,形成带微凸点的底填料预制板;将基板与带微凸点的底填料预制板以及芯片按从下到上的顺序叠放,用超声热压焊接实现芯片与基板之间的电气连接。本发明提供的互连结构的底填方法解决了高密度微凸点封装中底填困难的问题,即解决了传统底填技术底填胶难以填满整个芯片微凸点之间的缝隙的问题,满足三维集成封装技术中以高密度凸点互连为核心的发展趋势,封装结构可靠性高。
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公开(公告)号:CN110707081A
公开(公告)日:2020-01-17
申请号:CN201911098629.3
申请日:2019-11-12
Applicant: 中南大学 , 长沙安牧泉智能科技有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种用于系统级封装的散热结构,包括:封装基板;模封材侧壁,所述模封材侧壁围绕所述封装基板顶面的边缘设置;散热装置,所述散热装置覆盖设置在所述模封材侧壁顶面;倒装芯片,所述倒装芯片粘接安装在所述所述散热装置的底面,所述倒装芯片的底部通过焊料球倒装焊在所述封装基板的表面与所述封装基板进行电连接;引线键合芯片,所述引线键合芯片粘接安装在所述封装基板的表面,所述引线键合芯片与封装基板间连接有引线键合线,所述引线键合芯片通过所述引线键合线与所述封装基板进行电连接;本发明结构简单,能够将不同封装形式的芯片整合到同一封装体中,并且散热效率高,能够优化芯片工作温度环境,提高芯片使用寿命。
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公开(公告)号:CN113487502B
公开(公告)日:2022-05-03
申请号:CN202110748344.0
申请日:2021-06-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种坑洼图像的阴影去除方法,包括:S1、通过视觉采集系统采集路面图片,获取含有坑洼的图像,构建坑洼数据集的原始数据;S2、对坑洼数据集的原始数据进行灰度化处理;S3、对灰度化处理的图像进行阴影检测,分割成阴影区域和非阴影区域;S4、对分割后的图像采用改进的阴影去除模型去除所述阴影区域;解决灰度图处理中容易将阴影和坑洼误检,阴影去除效果有待改善,从而影响智能车辆的安全平稳驾驶的问题。
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公开(公告)号:CN113486764A
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN202110737810.5
申请日:2021-06-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于改进的YOLOv3的坑洼检测方法,包括:S1、通过视觉采集系统采集坑洼图像,预处理后得到坑洼数据集,坑洼数据集包括预处理后的坑洼图像;S2、构建改进的YOLOv3坑洼检测网络模型;S3、将所述坑洼数据集的训练数据集输入所述改进的YOLOv3坑洼检测网络模型训练,当所述改进的损失函数趋近于零时,得到所述改进的YOLOv3坑洼检测网络模型的参数最优解;S4、将所述坑洼数据集输入代入了参数最优解的所述改进的YOLOv3坑洼检测网络模型,得到坑洼检测结果。本发明解决坑洼检测即要保证实时性,又要使得准确率进一步提高的问题。
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公开(公告)号:CN111180512A
公开(公告)日:2020-05-19
申请号:CN202010008661.4
申请日:2020-01-06
Applicant: 中南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种结合浮栅的IGBT器件结构,包括:IGBT结构及浮栅结构,所述IGBT结构包括有一金属集电极,所述金属集电极的上方依次设置有P+集电区、N型缓冲层、N-漂移区、P型基区、N+源区和金属发射极,所述金属发射极使得位于同侧的N+源区与P型基区短接,且所述金属发射极均接源极电位;所述浮栅结构由隧道氧化层、浮栅电极、栅氧化层和控制栅电极组成,所述浮栅电极通过所述隧道氧化层与所述N-漂移区、P型基区和N+源区隔离,所述控制栅电极通过所述栅氧化层与所述浮栅电极隔离;本发明具有缩短关断时间、提升关断稳定性和减小漏电流功能,同时不会增加导通电阻,并且浮栅结构制作工艺简单,拥有良好的应用效果。
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公开(公告)号:CN210443552U
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:CN201921940588.3
申请日:2019-11-12
Applicant: 中南大学 , 长沙安牧泉智能科技有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型提供了一种用于系统级封装的散热结构,包括:封装基板;模封材侧壁,所述模封材侧壁围绕所述封装基板顶面的边缘设置;散热装置,所述散热装置覆盖设置在所述模封材侧壁顶面;倒装芯片,所述倒装芯片粘接安装在所述所述散热装置的底面,所述倒装芯片的底部通过焊料球倒装焊在所述封装基板的表面与所述封装基板进行电连接;引线键合芯片,所述引线键合芯片粘接安装在所述封装基板的表面,所述引线键合芯片与封装基板间连接有引线键合线,所述引线键合芯片通过所述引线键合线与所述封装基板进行电连接;本实用新型结构简单,能够将不同封装形式的芯片整合到同一封装体中,并且散热效率高,能够优化芯片工作温度环境,提高芯片使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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