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公开(公告)号：CN115156524B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202210992813.8
申请日：2022-08-18
Applicant: 中南大学
IPC: B22F1/054 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，公开了一种异位成核的双层二硫化钼纳米片及其制备方法。其采用三氧化钼、硫粉为前驱体，氯化钠为助熔剂，使用惰性气体氩气作为载气，在一定温度下反应。本发明通过简单方法引入对生长条件的扰动，即利用衬底硅片的特定倾角调控衬底表面气流方向以及局域反应剂浓度的变化，在加热和保温过程中，顶层二硫化钼的成核位点偏离底层二硫化钼的成核位点，形成了偏离底层中心成核点的双层堆叠方式。在未引入扰动的生长条件下，双层二硫化钼纳米片为同位成核生长。本发明可制备异位成核生长的双层二硫化钼纳米片，有效地减少热力学稳定的双层堆垛方式，实现对双层纳米片成核位置的调控，制备方法简单可行。
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公开(公告)号：CN115323350B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210994450.1
申请日：2022-08-18
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/52 , C23C16/448 , C23C16/455 , C30B29/46 , C30B25/14 , C30B25/16
Abstract: 膜，所制备的薄膜连续、表面平整、均一性好，且本发明公开了一种超小气流调控生长厘米 制备方法简单、可控。级二维硫化铬薄膜的方法。选用金属铬粉、硫粉作为原料，氯化钠作为助熔剂，将原料加热挥发，使用惰性气体氩气作为载气，在780‑850℃的生长温度下发生反应在衬底上获得厘米级大尺寸二维硫化铬薄膜。本发明方案中控制挥发源与衬底的距离，通过超小气流调控气体边界层，实现(56)对比文件Shasha Zhou等.Ultrathin Non-van derWaals Magnetic Rhombohedral Cr2S3: Space-Confined Chemical Vapor DepositionSynthesis and Raman ScatteringInvestigation《.ADVANCED FUNCTIONALMATERIALS》.2018,第29卷(第3期),第1-8页.Fangfang Cui等.Controlled Growth andThickness-Dependent Conduction-TypeTransition of 2D Ferrimagnetic Cr2S3Semiconductors《.ADVANCED MATERIALS》.2020,第32卷(第4期),第1-8页.文杨阳等.层状二硫化钼纳米薄膜的制备及其光学特性《.中国科学:技术科学》.2016,第46卷(第7期),第731-736页.
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公开(公告)号：CN112941627B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110123984.2
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直生长的超薄Cr2Te3单晶纳米片的制备方法：将碲源、铬源和基底放置于化学气相沉积炉中对应的温区，其中，所述基底是将多片SiO2/Si基片呈阶梯式错开叠放；加热，通入氩气和氢气作为载气进行化学气相沉积，沉积结束后，在基底上得到垂直生长的Cr2Te3单晶纳米片。本发明利用基片叠放方法控制微区气流方向，改变局域过饱和浓度，就可以制备面积大厚度薄的垂直生长的Cr2Te3单晶纳米片，解决了现有技术中难以制备垂直生长的非范德瓦尔斯二维晶体的技术难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115323482B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210994862.5
申请日：2022-08-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种水辅助的非层状二维In2S3的生长方法：其包括在含少量水蒸气的Ar载气中，将硫化铟粉末在800‑850℃的温度下加热挥发后物理气相沉积获得三硫化二铟单晶。本发明通过简单的物理气相沉积方法利用载气中的水蒸气进行辅助，可有效减少In2S3单晶纳米片生长过程中的成核数量，利于纳米片颗粒长大，从而获得非层状二维In2S3单晶纳米片，且所制备纳米片厚度薄，厚度范围为5‑10nm；单晶尺寸大，尺寸范围在20‑150μm，调控方法简单可行。
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公开(公告)号：CN114715940B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210450683.5
申请日：2022-04-27
Applicant: 中国石油大学(北京) , 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种2H晶型二硫化钼的改性方法、水溶性二硫化钼及其应用，该包括如下步骤：将摩尔比为1:(10‑15)的2H晶型二硫化钼和磷改性剂分别置于石英舟的下游和上游，所述石英舟置于反应炉中，通入氩气或抽真空后封闭石英舟；将炉体中心温度升温至240‑400℃并保温进行反应，反应结束后降温，收集产物并清洗表面吸附物，得到水溶性二硫化钼。本发明通过对2H晶型二硫化钼进行磷还原改性，减少二硫化钼纳米片的重复堆积并增加其层间距，同时实现二硫化钼晶型的转变，增加二硫化钼表面缺陷位点数量，从而增强二硫化钼的表面活性和亲水性，提升其作为纳米驱油剂的驱油效果。
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公开(公告)号：CN112850800A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110124434.2
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于化学气相沉积法制备二维CoS纳米片的方法：(1)将无水氯化钴和硫代乙酰胺分别放入到两个干净的瓷舟中；(2)将装有无水氯化钴的瓷舟放在单温区管式炉加热中心，并将衬底放于该瓷舟中心位置；将装有硫代乙酰胺的瓷舟放在单温区管式炉的上游；(3)向单温管式炉中通入Ar和H2，并将单温区管式炉的中心温度加热至520‑580℃，使盛放硫代乙酰胺的瓷舟所处的上游处温度从室温升到200‑300℃，保温10‑30分钟，冷却至室温，取出基片，获得二维层状CoS纳米片。本发明通过化学气相沉积法在基底上制备的CoS纳米片材料，厚度薄、纯度高，为CoS的微器件制作与催化特性研究提供了可靠原材料。
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公开(公告)号：CN119392364A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411546755.1
申请日：2024-11-01
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种二维铌酸钙介电材料的制备方法及其在微缩晶体管中的应用。本发明选用五氧化二铌粉末、含氧化钙的氧化铝板作为前驱体，使用氯化钠作为助熔剂，硒粉作为促生长因子，使用氩气和氢气的混合气体作为载气，基于痕量前驱体供给的常压化学气相沉积法，在750‑900℃的沉积温度下合成超薄二维铌酸钙纳米片。其具有本征的高介电常数、优异的介电漏电特性，可应用于电容器介电层及微缩场效应晶体管背栅介电层，具有优异的场效应调控能力。
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公开(公告)号：CN112941627A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110123984.2
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直生长的超薄Cr2Te3单晶纳米片的制备方法：将碲源、铬源和基底放置于化学气相沉积炉中对应的温区，其中，所述基底是将多片SiO2/Si基片呈阶梯式错开叠放；加热，通入氩气和氢气作为载气进行化学气相沉积，沉积结束后，在基底上得到垂直生长的Cr2Te3单晶纳米片。本发明利用基片叠放方法控制微区气流方向，改变局域过饱和浓度，就可以制备面积大厚度薄的垂直生长的Cr2Te3单晶纳米片，解决了现有技术中难以制备垂直生长的非范德瓦尔斯二维晶体的技术难题。
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