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公开(公告)号：CN106062929B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201580009762.0
申请日：2015-03-10
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/08 , H01L21/205 , H01L21/265
Abstract: 将进行过机械加工的SiC基板(40)在SiC气氛下进行加热处理而对该SiC基板(40)进行蚀刻之际，通过调整SiC基板(40)的周围的惰性气体压力来控制蚀刻速度。由此，在SiC基板(40)存在潜伤等的情况下，能够除去该潜伤等。因此，即使进行外延生长和热处理等，SiC基板(40)的表面也不会粗糙不平，所以能够制造高品质的SiC基板。
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公开(公告)号：CN108140574A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058070.X
申请日：2016-10-06
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 加热处理容器(1)具备支撑部件(6)，该支撑部件(6)在蚀刻处理对象物即圆板状的SiC基板(2)时支撑该SiC基板(2)。支撑部件(6)具有用以支撑SiC基板(2)的下面的端缘(2E)的倾斜面(6F)，该倾斜面(6F)以随着越朝下方越靠近SiC基板(2)的中心线的方式倾斜。更具体地说，支撑部件(6)被形成为随着越朝下方而直径变得越大的圆锥状，且其圆周面即圆锥面构成所述倾斜面(6F)。此倾斜面(6F)的上下中途部接触于SiC基板(2)的下面的端缘(2E)。
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公开(公告)号：CN107002288A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063339.9
申请日：2015-11-17
IPC: C30B33/12 , C30B29/36 , H01L21/302
Abstract: 提供一种碳化硅基板(40)的表面处理方法，其能对有无台阶束的产生或产生的台阶束的种类进行控制。于通过在Si蒸汽压下加热碳化硅基板(40)而对该碳化硅基板(40)的表面进行蚀刻的表面处理方法中，通过控制至少根据蚀刻速度而决定的蚀刻模式及蚀刻深度来进行碳化硅基板(40)的蚀刻，从而对蚀刻处理后的碳化硅基板(40)的表面形状进行控制。
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公开(公告)号：CN103282557A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062368.5
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: H01L29/04 , C30B19/00 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02598 , H01L29/1608
Abstract: 本发明降低单晶碳化硅的液相外延生长所需要的成本。供料件（11），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。种晶件（12），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。
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公开(公告)号：CN107004592B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201580062705.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/12
Abstract: 提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110431654A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880019339.2
申请日：2018-03-20
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 在改性SiC晶片(41)的制造方法(SiC晶片的表面处理方法)中，且于制造改性SiC晶片(41)的方法中进行以下的表面改性工序，其中，该改性SiC晶片(41)，处理形成外延层(42)之前的处理前SiC晶片(40)而将表面改性。也就是说，处理前SiC晶片(40)含有平行于(0001)面的位错即BPD、和TED，且以处理前SiC晶片(40)的表面的属BPD的部分在外延层(42)的形成时作为TED进行传播的比例变高的方式使表面的性质变化。
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公开(公告)号：CN106029960B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201580009773.9
申请日：2015-03-10
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种即使在使用切断加工过的SiC籽晶进行MSE法的情况下也不会降低生长速度的方法。将作为亚稳定溶剂外延法(Metastable solvent epitaxy：MSE法)的籽晶使用的SiC籽晶通过在Si气氛下进行加热而对表面进行蚀刻，除去因切断加工产生的加工变质层。由于已经知道SiC籽晶产生的加工变质层会阻碍MSE法的生长，所以通过除去该加工变质层能够防止生长速度的降低。
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公开(公告)号：CN108474139A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680076536.9
申请日：2016-12-28
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 提供一种在利用溶液生长法使单晶碳化硅生长的情况下，制造高纯度的单晶碳化硅的方法。本制造方法中，在通过溶液生长法使外延层在至少表面由SiC组成的种子材料上生长而制造单晶碳化硅的方法中，以利用二次离子质谱分析法量测的杂质浓度变得非常低的方式使单晶碳化硅生长。另外，提供一种收容容器，是用以通过使用Si熔液的溶液生长法而使单晶碳化硅生长的收容容器，其中至少在表面设置有将作为追加原料的SiC及C的至少一者追加于Si熔液内的供给材料。由此，通过使用此收容容器进行溶液生长法，可不用进行特别的处理而制造高纯度的单晶碳化硅。
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公开(公告)号：CN103270202B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201180062380.6
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶基板12具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的使激发波长为532nm的拉曼分光解析，作为源自结晶多型为3C的多晶碳化硅的衍射峰，观察到T0峰和L0峰以外的峰。
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公开(公告)号：CN106062929A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580009762.0
申请日：2015-03-10
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/08 , H01L21/205 , H01L21/265
Abstract: 将进行过机械加工的SiC基板(40)在SiC气氛下进行加热处理而对该SiC基板(40)进行蚀刻之际，通过调整SiC基板(40)的周围的惰性气体压力来控制蚀刻速度。由此，在SiC基板(40)存在潜伤等的情况下，能够除去该潜伤等。因此，即使进行外延生长和热处理等，SiC基板(40)的表面也不会粗糙不平，所以能够制造高品质的SiC基板。
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