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公开(公告)号：CN115966462A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211665182.5
申请日：2022-12-23
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种复合工程衬底的制备方法，通过制备氮化铝陶瓷基底和内有阻挡层的硅衬底，分别在氮化铝陶瓷基底和上层硅衬底表面形成第一介质层和第二介质层，键合第一介质层和第二介质层，去除下层硅衬底和阻挡层，得到多晶的氮化铝陶瓷基底和单晶的硅衬底组合的复合工程衬底。上述复合工程衬底从下往上依次包括氮化铝陶瓷基底、组合介质层和硅衬底，组合介质层为电绝缘体。该复合工程衬底可以兼顾氮化铝陶瓷基底的高导热、同氮化物半导体材料热膨胀匹配以及硅衬底的外延生长兼容性、尺寸大等优点，提高了GaN功率器件的外延质量以及GaN功率器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN113594110A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110862262.9
申请日：2021-07-29
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01L23/373 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括多晶金刚石层，多晶金刚石层上覆盖单晶金刚石薄膜，单晶金刚石薄膜上依次堆叠介质层、缓冲层、势垒层和沟道层。本发明还公开了一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在原始衬底上形成有牺牲层；在牺牲层上形成多晶金刚石层；在籽晶层上形成单晶金刚石薄膜；将籽晶层和单晶金刚石薄膜倒置并键合到多晶金刚石层上；将籽晶层从单晶金刚石薄膜上分离；去除原始衬底和牺牲层；在临时衬底上形成缓冲层；在单晶金刚石薄膜上形成介质层，将单晶金刚石薄膜与缓冲层键合；去除临时衬底；在缓冲层上形成势垒层和沟道层。本发明改善散热性能和稳定性能，提高电学性能，改善器件良率，简化制备工艺，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN111969414B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010868364.7
申请日：2020-08-26
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01S5/183 , H01S5/02253 , H01S5/02345 , H01S5/042 , H01S5/42
Abstract: 本发明公开了一种VCSEL单元单独可控的激光器，包括驱动电路模块、VCSEL模块和微透镜模块，驱动电路模块和VCSEL模块电性连接，微透镜模块设于VCSEL模块上以实现光学聚焦；VCSEL模块包括VCSEL单元形成的VCSEL阵列和共阴极单元，共阴极单元设于VCSEL阵列的四周；VCSEL单元包括独立阳极和独立阴极，独立阴极均电性连接至共阴极单元，共阴极单元电性连接至驱动电路模块的地端，独立阳极电性连接至驱动电路模块的正极端。本发明能够单独控制各VCSEL单元，驱动电路模块、VCSEL模块和微透镜模块实现一体化集成式的空间堆叠，避免了部分VCSEL单元贴片高度不一致的问题。
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公开(公告)号：CN111969414A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010868364.7
申请日：2020-08-26
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种VCSEL单元单独可控的激光器，包括驱动电路模块、VCSEL模块和微透镜模块，驱动电路模块和VCSEL模块电性连接，微透镜模块设于VCSEL模块上以实现光学聚焦；VCSEL模块包括VCSEL单元形成的VCSEL阵列和共阴极单元，共阴极单元设于VCSEL阵列的四周；VCSEL单元包括独立阳极和独立阴极，独立阴极均电性连接至共阴极单元，共阴极单元电性连接至驱动电路模块的地端，独立阳极电性连接至驱动电路模块的正极端。本发明能够单独控制各VCSEL单元，驱动电路模块、VCSEL模块和微透镜模块实现一体化集成式的空间堆叠，避免了部分VCSEL单元贴片高度不一致的问题。
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公开(公告)号：CN119894180A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510055109.3
申请日：2025-01-14
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 东南大学
IPC: H10H20/01 , H10H20/833
Abstract: 本发明公开了一种用于Micro‑LED器件中优化p‑GaN与ITO接触的快速退火热处理方法。该方法通过在特定气氛下进行快速热处理(RTP)，在550℃下分别退火1分钟和5分钟，以提高p‑GaN与ITO之间的接触性能。实验结果表明，在O2气氛下退火1分钟时，单个Micro‑LED像素的电流密度达到0.4624A/cm2，透光率为80.33％。在优化RTP退火条件下，蓝光Micro‑LED的单个像素具有前向开启电压约为3V，发射波长的峰值为449.87nm，主波长为455.11nm，半宽为17.75nm。单个像素的侧壁在RTP优化后显示良好的外观，未出现ITO碎屑附着，表明该方法有效降低了因ITO刻蚀引起的侧壁损伤和漏电通道问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113594110B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202110862262.9
申请日：2021-07-29
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01L23/373 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括多晶金刚石层，多晶金刚石层上覆盖单晶金刚石薄膜，单晶金刚石薄膜上依次堆叠介质层、缓冲层、势垒层和沟道层。本发明还公开了一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在原始衬底上形成有牺牲层；在牺牲层上形成多晶金刚石层；在籽晶层上形成单晶金刚石薄膜；将籽晶层和单晶金刚石薄膜倒置并键合到多晶金刚石层上；将籽晶层从单晶金刚石薄膜上分离；去除原始衬底和牺牲层；在临时衬底上形成缓冲层；在单晶金刚石薄膜上形成介质层，将单晶金刚石薄膜与缓冲层键合；去除临时衬底；在缓冲层上形成势垒层和沟道层。本发明改善散热性能和稳定性能，提高电学性能，改善器件良率，简化制备工艺，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN117552111A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311533965.2
申请日：2023-11-16
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN单晶衬底的制备方法，包括以下步骤：在基板上依次生长阻挡层、第一键合层，在衬底上依次生长GaN外延薄膜、第二键合层；将第一键合层与第二键合层键合，形成键合层，去除衬底，得到自下而上的基板、阻挡层、键合层、GaN外延薄膜；通过湿法腐蚀使得GaN外延薄膜远离键合层的一侧表面形成具有(10‑11)晶面的GaN岛；在GaN岛上，采用HVPE法在800～1000℃生长GaN，形成GaN厚膜；通过HF或BOE法腐蚀去掉键合层，将基板与GaN厚膜分离；对GaN厚膜做表面研磨、抛光处理。本发明基板与GaN厚膜的热膨胀系数一致，不存在失配，长厚时不容易碎裂，能够制备大尺寸GaN单晶。
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公开(公告)号：CN116565054A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310446432.4
申请日：2023-04-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种位置调控的石墨烯‑硅异质结光致阻变器及其制备方法。属于半导体光电子器件和传感器领域，所述光致阻变器包括轻掺杂的硅衬底、石墨烯、金属电极以及给两电极提供电压的电源。本发明制备的石墨烯和硅的异质结可有效分离光生载流子，并在横向光电效应的作用下产生横向光生电动势；配合外部电源给石墨烯上两电极施加的电压可得到随位置变化的光致阻变器。本发明获得的光致阻变器件，在光照下，通过调节电压，不仅可在弱光下实现电阻随位置的线性变化，还可实现超过5个数量级电阻的突变，响应频率最高可达10kHz，且工作波长覆盖可见‑近红外波段。该器件在空间位移精密探测器、光电存储、光电逻辑操作等方向具有应用潜力。
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公开(公告)号：CN115966635A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211554722.2
申请日：2022-12-06
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种深紫外发光器件的制备方法，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上采用MOCVD法依次外延生长形核层、模板层，模板层为C轴取向，厚度为100～1000nm；将所得物每两组的外延面贴合叠放，在保护气氛、400～600torr压力下进行1600～1800℃超高温退火；将所得物在氢气气氛、1000～1200℃下进行处理表面，采用MOCVD法进行模板层重生长，以及依次外延生长N型接触层、有源发光层、P型层、P型接触层。本发明采用超高温退火处理，外延材料重结晶，材料层中的位错密度大幅减少，在退火后的模板层上外延生长的材料层的位错密度也相应的大幅减少，能够提高LED的发光效率，显著降低器件的漏电流。
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公开(公告)号：CN112925121B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110107317.5
申请日：2021-01-26
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种超表面透镜，依次包括介质层、导电层和电光调制材料层，电光调制材料层上设置若干互不联通的凹槽，凹槽内填充有金属电极；超表面透镜还包括电源，电源包括若干脉冲电压源，脉冲电压源的正极端与金属电极电性相连，负极端与导电层电性相连并接地，两两相邻的金属电极上加载的脉冲电压源的电压值互不相同。本发明还公开了一种空间光调制器，包括激光器和上述超表面透镜，超表面透镜设于激光器上。本发明能够通过电调构成超表面透镜的调制材料折射率，实现通过超表面透镜的光束的空间指向、光学焦距以及数值孔径的动态调节。
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