-
公开(公告)号：CN112670358A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011535536.5
申请日：2020-12-23
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基紫外探测器，包括金刚石薄膜、第一电极、第二电极和绝缘层；金刚石薄膜包括金刚石微柱、第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，金刚石微柱在金刚石薄膜的表面周期性排布，金刚石微柱之间的空隙为第三沟槽，第三沟槽的两侧分别设与其联通的第一沟槽、第二沟槽；第一电极在第一沟槽、第三沟槽上；第二电极在第二沟槽、第三沟槽上方；绝缘层在第一电极、第二电极堆叠的区域之间。本发明还公开了一种金刚石基紫外探测器的制备方法。本发明利用沟槽设置堆叠的第一电极和第二电极，提高金刚石薄膜表面占空比，增加载流子数量并实现其有效收集，提高了灵敏度和响应度。
-
公开(公告)号：CN111697114B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010742093.0
申请日：2020-07-29
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，所述芯片包括第一n‑GaN层、图形化反射层、第二反射层、第二n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层和第二衬底；图形化反射层为间隔排列的凸形结构，图形化反射层为分布式布拉格反射镜。所述制法包括：在第一衬底上形成本征GaN层和第一n‑GaN层；覆盖第一反射层；刻蚀形成图形化反射层；覆盖第二反射层；刻蚀暴露出第一n‑GaN层未覆盖图形化反射层的表面；覆盖第二n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层；将p‑GaN层与第二衬底键合；剥离第一衬底、本征GaN层，露出第一n‑GaN层。本发明出光效率高，能够有效缓解大电流注入时的电流拥堵效应，电流分布均匀。
-
公开(公告)号：CN112925121B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110107317.5
申请日：2021-01-26
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种超表面透镜，依次包括介质层、导电层和电光调制材料层，电光调制材料层上设置若干互不联通的凹槽，凹槽内填充有金属电极；超表面透镜还包括电源，电源包括若干脉冲电压源，脉冲电压源的正极端与金属电极电性相连，负极端与导电层电性相连并接地，两两相邻的金属电极上加载的脉冲电压源的电压值互不相同。本发明还公开了一种空间光调制器，包括激光器和上述超表面透镜，超表面透镜设于激光器上。本发明能够通过电调构成超表面透镜的调制材料折射率，实现通过超表面透镜的光束的空间指向、光学焦距以及数值孔径的动态调节。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112670358B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202011535536.5
申请日：2020-12-23
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基紫外探测器，包括金刚石薄膜、第一电极、第二电极和绝缘层；金刚石薄膜包括金刚石微柱、第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，金刚石微柱在金刚石薄膜的表面周期性排布，金刚石微柱之间的空隙为第三沟槽，第三沟槽的两侧分别设与其联通的第一沟槽、第二沟槽；第一电极在第一沟槽、第三沟槽上；第二电极在第二沟槽、第三沟槽上方；绝缘层在第一电极、第二电极堆叠的区域之间。本发明还公开了一种金刚石基紫外探测器的制备方法。本发明利用沟槽设置堆叠的第一电极和第二电极，提高金刚石薄膜表面占空比，增加载流子数量并实现其有效收集，提高了灵敏度和响应度。
-
公开(公告)号：CN111969414B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010868364.7
申请日：2020-08-26
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01S5/183 , H01S5/02253 , H01S5/02345 , H01S5/042 , H01S5/42
Abstract: 本发明公开了一种VCSEL单元单独可控的激光器，包括驱动电路模块、VCSEL模块和微透镜模块，驱动电路模块和VCSEL模块电性连接，微透镜模块设于VCSEL模块上以实现光学聚焦；VCSEL模块包括VCSEL单元形成的VCSEL阵列和共阴极单元，共阴极单元设于VCSEL阵列的四周；VCSEL单元包括独立阳极和独立阴极，独立阴极均电性连接至共阴极单元，共阴极单元电性连接至驱动电路模块的地端，独立阳极电性连接至驱动电路模块的正极端。本发明能够单独控制各VCSEL单元，驱动电路模块、VCSEL模块和微透镜模块实现一体化集成式的空间堆叠，避免了部分VCSEL单元贴片高度不一致的问题。
-
公开(公告)号：CN111969414A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010868364.7
申请日：2020-08-26
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种VCSEL单元单独可控的激光器，包括驱动电路模块、VCSEL模块和微透镜模块，驱动电路模块和VCSEL模块电性连接，微透镜模块设于VCSEL模块上以实现光学聚焦；VCSEL模块包括VCSEL单元形成的VCSEL阵列和共阴极单元，共阴极单元设于VCSEL阵列的四周；VCSEL单元包括独立阳极和独立阴极，独立阴极均电性连接至共阴极单元，共阴极单元电性连接至驱动电路模块的地端，独立阳极电性连接至驱动电路模块的正极端。本发明能够单独控制各VCSEL单元，驱动电路模块、VCSEL模块和微透镜模块实现一体化集成式的空间堆叠，避免了部分VCSEL单元贴片高度不一致的问题。
-
公开(公告)号：CN111697114A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010742093.0
申请日：2020-07-29
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，所述芯片包括第一n-GaN层、图形化反射层、第二反射层、第二n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层和第二衬底；图形化反射层为间隔排列的凸形结构，图形化反射层为分布式布拉格反射镜。所述制法包括：在第一衬底上形成本征GaN层和第一n-GaN层；覆盖第一反射层；刻蚀形成图形化反射层；覆盖第二反射层；刻蚀暴露出第一n-GaN层未覆盖图形化反射层的表面；覆盖第二n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层；将p-GaN层与第二衬底键合；剥离第一衬底、本征GaN层，露出第一n-GaN层。本发明出光效率高，能够有效缓解大电流注入时的电流拥堵效应，电流分布均匀。
-
公开(公告)号：CN112925121A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110107317.5
申请日：2021-01-26
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种超表面透镜，依次包括介质层、导电层和电光调制材料层，电光调制材料层上设置若干互不联通的凹槽，凹槽内填充有金属电极；超表面透镜还包括电源，电源包括若干脉冲电压源，脉冲电压源的正极端与金属电极电性相连，负极端与导电层电性相连并接地，两两相邻的金属电极上加载的脉冲电压源的电压值互不相同。本发明还公开了一种空间光调制器，包括激光器和上述超表面透镜，超表面透镜设于激光器上。本发明能够通过电调构成超表面透镜的调制材料折射率，实现通过超表面透镜的光束的空间指向、光学焦距以及数值孔径的动态调节。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.023 seconds)
