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公开(公告)号：CN119964470A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411965933.4
申请日：2024-12-30
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种倒装结构红光micro‑LED及其光学优化方法，具体结构包括：在倒装结构红光micro‑LED的顶部设计分布式布拉格反射镜(DBR)，通过控制DBR的层数和每层材料的折射率及厚度，实现对特定波长红光的反射增强，同时与位于底部的Ag金属反射镜共同构成谐振腔，有效增强红光micro‑LED在垂直方向的出光；在micro‑LED的侧壁设置Ag金属反射镜，以减少光线在侧壁的损失，并抑制像素之间的光串扰问题。本发明通过谐振腔的增强效应和侧壁反射镜的减损作用，实现了对micro‑LED出光效率及光学性能的双重提升，适用于各种需要高亮度、高对比度和低串扰的micro‑LED显示和照明应用。
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公开(公告)号：CN119630155A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411724431.2
申请日：2024-11-28
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 南京信息工程大学 , 东南大学
Inventor： 潘江涌 , 陆佳 , 沈润杰 , 丁文浩 , 高正浩 , 魏宇炀 , 陈名湛 , 汪丽茜 , 吕俊鹏 , 苏志成 , 张宇宁 , 苏玉民 , 沈忠文 , 苏中方 , 周玮琦 , 梅泽 , 何乃龙
IPC: H10H29/30 , H10H29/851 , H10K59/90 , H10K59/80 , H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种基于界面修饰的钙钛矿量子点Micro‑LED及其制备方法。Micro‑LED的结构包括分布式布拉格反射器、量子点色转换单元、GaN蓝光LED和CMOS集成电路基板。GaN蓝光发光单元由多个蓝光LED像素点组成，并集成在CMOS集成电路基板上。量子点色转换单元从下至上依次包含玻璃基底、金属电极、电极修饰层、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层、空穴注入层、透明电极和封装膜，用于将蓝光转换为所需颜色，实现更广泛的色域。其中，在电子传输层上添加了双官能团醚进行优化。本研究不仅能够解决传统技术中存在的多个问题，还可显著提升器件的发光效率和环境稳定性，为下一代高性能Micro‑LED的开发提供了新颖而有前景的技术解决方案。
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公开(公告)号：CN119317289A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411406461.9
申请日：2024-10-10
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 南京信息工程大学 , 东南大学
IPC: H10H29/851 , H10H20/84 , H10H29/01 , H01L25/16 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开一种基于双配体策略的钙钛矿量子点Micro‑LED及其制备方法，Micro‑LED的结构包括：分布式布拉格反射器、量子点色转换单元、GaN蓝光LED和CMOS集成电路基板。GaN蓝光发光单元由多个蓝光LED像素点组成，并集成在CMOS集成电路基板上。量子点色转换单元从下至上依次包含：玻璃基底、金属电极、电极修饰层、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层、空穴注入层、透明电极和封装膜，用于将蓝光转换为所需的颜色，实现更广泛的色域。钙钛矿量子点层的发光材料为CsPbX3+PEABr+含氟取代苯基酮，其中X为卤素元素Br、I、Cl。本发明不仅可以解决传统技术中的诸多问题，还能够显著提升器件的发光效率和环境稳定性，为下一代高性Micro‑LED的开发提供新的技术解决方案和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119894180A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510055109.3
申请日：2025-01-14
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 东南大学
IPC: H10H20/01 , H10H20/833
Abstract: 本发明公开了一种用于Micro‑LED器件中优化p‑GaN与ITO接触的快速退火热处理方法。该方法通过在特定气氛下进行快速热处理(RTP)，在550℃下分别退火1分钟和5分钟，以提高p‑GaN与ITO之间的接触性能。实验结果表明，在O2气氛下退火1分钟时，单个Micro‑LED像素的电流密度达到0.4624A/cm2，透光率为80.33％。在优化RTP退火条件下，蓝光Micro‑LED的单个像素具有前向开启电压约为3V，发射波长的峰值为449.87nm，主波长为455.11nm，半宽为17.75nm。单个像素的侧壁在RTP优化后显示良好的外观，未出现ITO碎屑附着，表明该方法有效降低了因ITO刻蚀引起的侧壁损伤和漏电通道问题。
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公开(公告)号：CN120076472A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510221843.2
申请日：2025-02-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/硅异质结的空间信息提取器，包括感光区域、环形电极和半导体衬底；感光区域由P型表面层和石墨烯薄膜组成，环形电极均匀分布在感光区域的四周；P型表面层和石墨烯薄膜形成光载流子的横向传输路径；本发明还公开了一种动作感知的方法，在目标动作的多个关键点处均布置一LED光源，使目标的光学图像投射到空间信息提取器的感光区域，通过环形电极得到与目标相关联的电压及其分布；将与目标相关联的电压映射到极坐标中，根据与目标相关联的电压分布，得到极坐标中的形状信息；从中提取趋势相关的参量和形状相关的参量，得到趋势因子和形状因子；根据趋势因子和形状因子，实现对单帧目标进行识别和目标动作进行感知。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119827823A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510170619.5
申请日：2025-02-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种针对光电材料的瞬态光电流测量系统及测量方法，包括：双脉冲飞秒激光探测系统以及瞬态光电流高分辨采集系统；双脉冲飞秒激光探测系统用于输出两束时序可调飞秒脉冲光，分别作为泵浦光和探测光，将泵浦光照射在光电材料上，将探测光照射在超快光开关材料上，并调控两束光到达样品的光程差；瞬态光电流高分辨采集系统用于对光电材料的瞬态光电流进行皮秒级时间分辨的提取。本发明能够实现皮秒级别的时间分辨率，简化的电极结构设计不仅降低了制造成本和复杂性，还提高了系统的稳定性和可靠性，使得该技术能够适应更多种类的材料和应用场景，器件结构兼容传统方法进行器件带宽的测试，为构建器件性能与工作机制间的联系提供了便捷的研究方法。
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公开(公告)号：CN119826972A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411983410.2
申请日：2024-12-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可调节可重构超表面的超光谱成像芯片、装置及系统，芯片包括超表面单元阵列、超表面重构模块、超表面调节模块、CMOS图像传感器和光谱重建与识别模块，超表面单元阵列包括若干设置在硅层上的超表面单元；超表面重构模块用于调整可重构超表面单元阵列中包括的超表面单元个数；超表面调节模块用于通过导线连接超表面单元阵列的硅层，用于通过调节导线的电压改变超表面单元的光谱响应；CMOS图像传感器用于探测来自可重构超表面单元阵列调制后的光信号；光谱重建与识别模块用于根据CMOS图像传感器探测的光信号，进行超光谱重建和成像。本发明光谱响应可调节、具有超高光谱分辨率、实时动态监测能力和自适应成像能力。
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公开(公告)号：CN118837997A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411219291.3
申请日：2024-09-02
Applicant: 东南大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种多通道硅基波分复用90度光混频芯片，该硅基波分复用90度光混频芯片包括：信号光输入波导、本振光输入波导、一个90度光混频器、四个阵列波导光栅(AWG)和输出波导，其中90度光混频器和四个AWG均设有加热电极。信号光和本振光在90度光混频器中进行相干混频，形成一组同相信号和一组正交信号，其中90度光混频器的同相信号输出端分别与AWG1和AWG4的输入端相连，正交信号输出端分别与AWG2和AWG3的输入端相连，四个AWG的输出波导与光纤阵列进行耦合。本发明基于90度光混频器、阵列波导光栅和热移相器，实现了对90度混频信号的波分复用，具有相位不均衡度低、插损小、工作波长可调等优点，可以对使用QPSK，QAM等方式调制的数据进行相干解调。
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公开(公告)号：CN118782690A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410006427.6
申请日：2024-01-03
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/00 , H01L33/26 , H01L31/18 , H01L31/101 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种基于二维异质结的连续宽范围能带调控光电器件及其制备方法，包括以下步骤：(1)利用化学气相沉积生长制备异质结衬底材料WSe2纳米片：(2)将Bi2Se3或者Bi2Te3前驱体以特定摩尔比例混合放入双温区管式炉中心加热，将步骤(1)中获得的衬底材料WSe2纳米片置于管内下游，通过调控管式炉生长温度气体等参数制备WSe2/Bi2Te3‑xSex(0≤x≤3)异质结，再在所述异质结表面沉积金属电极。本发明制备出的光电探测器件在激光波长为535nm的探测性能优异并且稳定重复性高；且在相同波长光激发下响应度和比探测率较高(x＝3)，响应时间较短(x＝0)。制备出的发光二极管器件在单个二维异质结构发光二极管器件中表现出最高的亮度，并且比基于二维过渡金属硫族化合物的所有其他p‑n二极管具有更高的电致发光量子效率。
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公开(公告)号：CN118443590A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410550469.6
申请日：2024-05-06
Applicant: 东南大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明公开了一种多入射角快速切换的高速光谱型双光梳椭偏测量仪器，包括双光梳产生模块、第一光开关模块、第一准直模块组件、第二准直模块组件、样品支架、样品台、第二光开关等；该方案基于高速光谱型双光梳椭偏测量原理，利用光开关模块在亚微秒时间内快速切换信号光与本振光的入射角，既显著缩短了传统椭偏仪机械调节入射角与反射角的时间，又避免了传统椭偏仪机械调节角度过程中引入的系统误差，并且能够在不同入射角的情况下以微秒级到纳秒级时间内对样品进行椭偏测量，最终反演推算出薄膜的光学折射率、消光系数、厚度。整体结构简单、成本低、稳定可靠、测量速度快，适用于半导体薄膜制备过程的动态监测，能够实时掌握薄膜状态。
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