公开(公告)号：CN103898472B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201310741893.0

申请日：2013-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大部智行 ,  宫原孝广 ,  永田朋幸

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种硅膜的成膜方法以及成膜装置，所述成膜方法在基底上形成包含硅膜的膜，其具备：将该基底加热，在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在基底表面上形成晶种层的工序；以及，将基底加热，在加热了的基底表面的晶种层上供给不含氨基的硅烷系气体，在晶种层上形成硅膜的工序，前述晶种层的形成工序所使用的氨基硅烷系气体的分子中包含2个以上的硅。

公开(公告)号：CN101812724B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201010115673.3

申请日：2010-02-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野吕尚孝 ,  宫原孝广

IPC: C30B25/02 ,  C23F1/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B25/02 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/4404 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种硅成膜装置及其使用方法。该硅成膜装置的使用方法按照下述的顺序进行各种处理：用硅涂层膜覆盖反应管的预涂层处理、对产品用被处理体上的自然氧化膜进行蚀刻的蚀刻处理、在产品用被处理体上形成硅产品膜的硅成膜处理、以及对反应管上的硅膜进行蚀刻的清除处理。在预涂层处理中，一边对反应管向上方排气，一边从在处理区域的下侧的第1位置具有最下开口部的第1供给口将硅源气体供给到反应管内。在蚀刻处理中，一边对反应管向上方排气，一边从在处理区域和第1位置之间具有最下开口部的第2供给口将蚀刻气体供给到反应管内。

公开(公告)号：CN103898601A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310741406.0

申请日：2013-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大部智行 ,  宫原孝广 ,  永田朋幸

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种晶种层的形成方法、硅膜的成膜方法以及成膜装置，所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备下述工序：（1）将基底加热，在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在基底表面上形成第一晶种层；以及（2）将基底加热，在加热了的基底表面上供给乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在形成有第一晶种层的基底表面上形成第二晶种层，将前述（1）工序中的处理温度设为不足400℃且前述氨基硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在前述基底表面上的温度以上，将前述（2）工序中的处理温度设为不足400℃且前述乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在形成有前述第一晶种层的前述基底表面上的温度以上。

公开(公告)号：CN101409232B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200810167500.9

申请日：2008-10-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  宫原孝广 ,  西村俊治

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667

Abstract: 本发明涉及一种多晶硅膜的形成方法，用于形成掺杂有磷或硼的多晶硅膜，该方法的特征在于，具有下述工序：将被处理基板配置在反应容器内，一边在减压气氛下对被处理基板进行加热，一边向上述反应容器内导入硅成膜用气体、用于向膜中掺杂磷或硼的气体、和含有防止多晶硅结晶柱状化并促进多晶硅结晶微细化的成分的粒径调整用气体，在上述被处理基板上堆积掺杂有磷或硼的硅膜。