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公开(公告)号：CN102798468A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210168015.X
申请日：2012-05-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01N25/00 , F27B17/0025 , F27D19/00 , F27D21/00 , F27D2019/0025 , H01L21/67248 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供温度测量装置、温度测量方法和热处理装置。温度测量装置用于推断处理容器内的温度分布，包括：辐射温度测量部，沿着旋转台的径向扫描旋转台的一个面侧而能测量沿着径向的多个温度测量区域的温度；动作控制部，一边使旋转台相对于辐射温度测量部旋转，一边在旋转台的整个周向上重复进行测量多个温度测量区域的温度的处理而取得旋转台的径向和周向上的多个温度测量区域的温度；温度映射制作部，基于每一次扫描的温度测量区域的数量及旋转台的转速，指定温度测量区域的地址，使温度和地址相关联并存储到存储部中；温度数据显示处理部，基于存储部中的温度和地址，将旋转台的一个面侧的温度分布显示为处理容器内的温度分布的推断值。
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公开(公告)号：CN106191813B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201510493204.8
申请日：2015-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 诸井政幸
IPC: C23C16/455
Abstract: 在将包含使固体或液体原料气化得到的气体的原料气体供给成膜处理部时正确调节原料气体所含原料的气化流量。将载气供给收纳有原料的原料容器(3)，将包含已气化原料的原料气体与稀释气体一起间断供给原料的成膜处理部(2)。用质量流量测定仪(7)测定原料气体流量M1，从对该流量测定值在原料气体供给期间积分得到的积分值减去对流过质量流量测定仪(7)的载气流量测定值C1在供给期间积分得到的积分值求得原料气化量A。求出取得的气化量A与原料气化量A设定值的偏差分，为了将原料气化量A维持为设定值，将该偏差分作为修正值与载气流量设定值C1相加。为了使载气和稀释气体总流量一定，从稀释气体的流量设定值C2减去该偏差分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104947082B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510142689.6
申请日：2015-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45557 , C23C16/08 , C23C16/4481 , C23C16/45544 , C23C16/52
Abstract: 本发明以短时间且大流量供给由液体原料或固体原料生成的原料气体，并且避免原料的浪费。具备：收纳固体状或液体状的原料的原料容器(1)；在原料容器(1)中加热原料的加热器(2)；向原料容器(1)内供给载气的载气供给配管(3)；控制载气的流量的流量控制器(4)；向腔室(10)供给原料气体的原料气体供给配管(5)；设置于原料气体供给配管(5)的腔室(10)附近的原料气体供给·切断阀(6)；和气体供给控制器(8)，进行控制使得：控制流量控制器(4)，并且在关闭原料气体供给·切断阀(6)的状态下，通过流通载气，使原料容器(1)和原料气体供给配管(5)成为高压状态之后，打开原料气体供给·切断阀(6)。
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公开(公告)号：CN106191813A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510493204.8
申请日：2015-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 诸井政幸
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/14 , C23C16/4481 , C23C16/455 , C23C16/45525 , Y10T137/2499 , Y10T137/2501
Abstract: 在将包含使固体或液体原料气化得到的气体的原料气体供给成膜处理部时正确调节原料气体所含原料的气化流量。将载气供给收纳有原料的原料容器(3)，将包含已气化原料的原料气体与稀释气体一起间断供给原料的成膜处理部(2)。用质量流量测定仪(7)测定原料气体流量M1，从对该流量测定值在原料气体供给期间积分得到的积分值减去对流过质量流量测定仪(7)的载气流量测定值C1在供给期间积分得到的积分值求得原料气化量A。求出取得的气化量A与原料气化量A设定值的偏差分，为了将原料气化量A维持为设定值，将该偏差分作为修正值与载气流量设定值C1相加。为了使载气和稀释气体总流量一定，从稀释气体的流量设定值C2减去该偏差分。
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公开(公告)号：CN102798468B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210168015.X
申请日：2012-05-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01N25/00 , F27B17/0025 , F27D19/00 , F27D21/00 , F27D2019/0025 , H01L21/67248 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供温度测量装置、温度测量方法和热处理装置。温度测量装置用于推断处理容器内的温度分布，包括：辐射温度测量部，沿着旋转台的径向扫描旋转台的一个面侧而能测量沿着径向的多个温度测量区域的温度；动作控制部，一边使旋转台相对于辐射温度测量部旋转，一边在旋转台的整个周向上重复进行测量多个温度测量区域的温度的处理而取得旋转台的径向和周向上的多个温度测量区域的温度；温度映射制作部，基于每一次扫描的温度测量区域的数量及旋转台的转速，指定温度测量区域的地址，使温度和地址相关联并存储到存储部中；温度数据显示处理部，基于存储部中的温度和地址，将旋转台的一个面侧的温度分布显示为处理容器内的温度分布的推断值。
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公开(公告)号：CN103334091A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201210457238.8
申请日：2009-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/314 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/45544 , B29C66/71 , C23C16/45517 , C23C16/45527 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , H01L21/02164 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供真空处理装置。成膜装置通过在真空容器内多次执行交替地供给第一反应气体和第二反应气体并排气的循环而在基板的表面将薄膜成膜，其具有：设置在真空容器内、各自包含基板的载置区域的多个下部件；与多个下部件分别对置地设置，在与载置区域之间形成处理空间的多个上部件；向处理空间内供给气体的、第一反应气体供给部、第二反应气体供给部；以及用于在供给第一反应气体的时刻和供给第二反应气体的时刻之间供给吹扫气体的吹扫气体供给部；沿处理空间的周向形成，用于连通该处理空间内和作为该处理空间的外部的真空容器内的环境气氛的排气用开口部；用于将处理空间经由排气用开口部以及真空容器内的环境气氛进行真空排气的真空排气机构。
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公开(公告)号：CN101322226B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200780000475.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/409 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其包括：收容半导体晶片W的处理容器(2)；配置在处理容器(2)内、用于载置半导体晶片W的载置台(5)；设置在与该载置台(5)相对的位置处，用于向处理容器(2)内喷出处理气体的作为处理气体喷出机构的喷淋头(40)；和对处理容器(2)内进行排气的排气装置(101)，喷淋头(40)具有用于导入处理气体的气体流路，并且具有围绕气体流路的环状调温室(400)。
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