公开(公告)号：CN101385128A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005104.X

申请日：2007-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  菊地贵伦

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明提供一种能够有效地除去氧化物层以及有机物层的基板处理装置。基板处理装置(10)的第三工艺单元(36)具备框体状的处理室容器(腔室)(50)、氮气供给系统(190)和臭氧气体供给系统(191)。臭氧气体供给系统(191)具有臭氧气体供给部(195)、与该臭氧气体供给部(195)连接的臭氧气体供给管(196)。臭氧气体供给管(196)具有以与晶片(W)相对的方式开口的臭氧气体供给孔(197)，臭氧气体供给部(195)通过臭氧气体供给管(196)从臭氧气体供给孔(197)向腔室(50)内供给臭氧(O3)气体。

公开(公告)号：CN113936985B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202110757947.7

申请日：2021-07-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 进藤崇央 ,  冈本清一 ,  大友洋 ,  菊地贵伦 ,  松土龙夫 ,  森田靖 ,  佐久间隆

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够抑制对基片的离子冲击的同时高效地生成等离子体来进行等离子体处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置对基片实施等离子体处理，其包括：处理容器；设置在处理容器内的能够载置基片的基片载置台；基片载置台所包含的接地的下部电极；与下部电极相对地设置的上部电极；向上部电极与基片载置台之间供给处理气体的气体供给部；对上部电极施加高频电功率来生成处理气体的等离子体的高频电源；和电压波形整形部，其设置在高频电源与上部电极之间，对高频电源的电压波形进行整形，以抑制被施加于上部电极的高频电压中的正电压。

公开(公告)号：CN115485816A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180032421.0

申请日：2021-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤田成树 ,  光成正 ,  菊地贵伦

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/08 ,  C23C16/44 ,  H01L21/31

Abstract: 成膜方法包括下述(A)～(B)。(A)向表面包含相邻的凹部和凸部的基板的所述凹部供给液体。(B)向所述基板表面供给使所述液体发生化学变化的处理气体，通过所述处理气体与所述液体的反应使所述液体从所述凹部向所述凸部的顶面移动，来选择性地在所述基板的所述表面中的所述凸部的所述顶面形成膜。

公开(公告)号：CN101013654A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610142497.6

申请日：2006-10-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  菊地贵伦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/033 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 本发明提供一种能够高效率地除去氧化物层和有机物层的基板处理装置。基板处理装置(10)的第三处理单元(36)包括框体状的处理室容器(腔室)(50)、氧气供给系统(192)和天线装置(191)，氧气供给系统(192)通过氧气供给环(198)向收容有晶片(W)的腔室(50)内供给氧气，天线装置(191)向供给有氧气的腔室(50)内导入微波。