公开(公告)号：CN101523575A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036197.2

申请日：2007-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  小林岳志 ,  足立光 ,  北川淳一 ,  山本伸彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置和存储介质。该等离子体氧化处理方法包括：在配置在等离子体处理装置的处理容器内的载置台上载置表面具有硅的被处理体的工序；在处理容器内形成含氧的处理气体的等离子体的工序；在形成等离子体时，向载置台供给高频电力，向被处理体施加高频偏压的工序；和利用等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜的工序。

公开(公告)号：CN101523574B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200780036177.5

申请日：2007-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  北川淳一 ,  壁义郎 ,  盐泽俊彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252

Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置。该等离子体氧化处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，在处理气体中的氧的比例在20％以上、且处理压力在400Pa以上1333Pa以下的条件下形成等离子体，利用上述等离子体，对露出在被处理体的表面的硅进行氧化而形成硅氧化膜。

公开(公告)号：CN101681833A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880020112.6

申请日：2008-06-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  田村大辅

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板。微波等离子体处理装置(100)，其利用从平面天线(31)的微波放射孔(32)放射的、透过微波透过板(28)的微波在腔室(1)内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对载置于载置台(2)的被处理体(W)实施等离子体处理，其中，微波透过板(28)在其微波透过面的与被处理体的周缘部对应的部分具有凹凸状部(42)，与被处理体(W)的中央部对应的部分形成为平坦部(43)。

公开(公告)号：CN101523577A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036502.8

申请日：2007-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种等离子体氧化处理方法，维持在低压力、低氧浓度条件下的等离子体氧化处理的优点，并且使膜厚不依赖于图案疏密，而以均匀的膜厚形成硅氧化膜。在等离子体处理装置的处理室内，对具有凸凹图案的被处理体表面的硅作用处理气体的等离子体而进行氧化，形成硅氧化膜。以上述处理气体中的氧的比例为0.1％以上10％以下并且压力为0.133Pa以上133.3Pa以下的条件形成上述等离子体。在上述处理室内的等离子体产生区域和被处理体之间设置具有多个贯通开口的板而进行处理。

公开(公告)号：CN101405846A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009785.7

申请日：2007-08-27

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀胜 ,  盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明提供一种等离子体氧化处理方法。其是在等离子体处理装置的处理室内，利用含氧的处理气体，使用O(1D2)自由基的密度是1×1012[cm－3]以上的等离子体对被处理体的表面实施氧化处理，形成硅氧化膜。在等离子体氧化处理期间，利用VUV单色仪63测量等离子体中的O(1D2)自由基的密度，修正等离子体处理条件。

公开(公告)号：CN101681833B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200880020112.6

申请日：2008-06-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  田村大辅

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板。微波等离子体处理装置(100)，其利用从平面天线(31)的微波放射孔(32)放射的、透过微波透过板(28)的微波在腔室(1)内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对载置于载置台(2)的被处理体(W)实施等离子体处理，其中，微波透过板(28)在其微波透过面的与被处理体的周缘部对应的部分具有凹凸状部(42)，与被处理体(W)的中央部对应的部分形成为平坦部(43)。

公开(公告)号：CN101405846B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200780009785.7

申请日：2007-08-27

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀胜 ,  盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明提供一种等离子体氧化处理方法。其是在等离子体处理装置的处理室内，利用含氧的处理气体，使用O(1D2)自由基的密度是1×1012[cm-3]以上的等离子体对被处理体的表面实施氧化处理，形成硅氧化膜。在等离子体氧化处理期间，利用VUV单色仪63测量等离子体中的O(1D2)自由基的密度，修正等离子体处理条件。

公开(公告)号：CN101834133A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010163894.8

申请日：2005-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  古井真悟 ,  小林岳志 ,  北川淳一

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/00 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。

公开(公告)号：CN101095224B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200580045366.X

申请日：2005-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  古井真悟 ,  小林岳志 ,  北川淳一

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/318 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。

公开(公告)号：CN101652842A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200880011183.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/76232

Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置、以及存储介质，在等离子体处理装置的处理室内，在对具有凹凸图案的被处理体实施基于等离子体的氧化处理从而形成氧化硅膜时，在处理气体中的氧的比率是0.5％以上不足10％并且处理压力为1.3～665Pa的条件下，在向载置被处理体的载置台施加高频电力的同时形成等离子体。