基板处理装置和温度调节方法

    公开(公告)号:CN102376530B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201110239893.1

    申请日:2011-08-19

    CPC classification number: H01L21/67109

    Abstract: 本发明提供基板处理装置和温度调节方法。基板处理装置包括设置空间较少、能够简化装置结构的温度调节部件。其包括:对基板实施等离子体处理的腔室(11)、在腔室内用于载置基板的基座(12)、以隔着处理空间(S)与基座相对的方式设置的喷淋头(14)、对处理空间施加高频电而使等离子体产生的高频电源(15)、在作为温度调节面的基座的表面(12a)的背面(12b)上形成水的润湿面的喷水装置(16)、将水的润湿面从周围的气氛隔离的蒸发室(17)、对蒸发室内的压力进行调整的压力调整装置(18、19),其中,利用压力调整装置对蒸发室内的压力进行调整而使形成润湿面的水蒸发,利用水的蒸发潜热对基座的表面的温度进行控制。

    冷却机构、处理室、处理室内部件和冷却方法

    公开(公告)号:CN102646614A

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201210035621.4

    申请日:2012-02-16

    CPC classification number: H01L21/67109 H01L21/67017 H01L21/67253

    Abstract: 本发明提供一种冷却机构和冷却方法,其能够减少真空汽化冷却所必要的热介质,并高效地冷却被冷却部件。该冷却机构,是将被冷却部件的温度冷却到目标温度的冷却机构(6),其包括:与上述被冷却部件以能够传热的方式连接的减压室(60);向减压室(60)的内表面喷雾上述目标温度以下的液相的热介质的喷雾部(64);产生用于使从喷雾部(64)喷雾的热介质附着于减压室(60)的内表面的电场的电场产生部(68);和为了使减压室(60)的内压成为在上述目标温度时的上述热介质的饱和蒸气压以下,而对减压室(60)进行排气的排气部。

    等离子体处理装置
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101601125B

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN200780049914.5

    申请日:2007-12-27

    Abstract: 本发明在于提供一种处理容器的侧壁的温度控制性优异,并且能够抑制等离子体对基板的损伤的等离子体处理装置。等离子体装置(1)具有设置于处理容器(11)上部的与载置台(2)相对置的第1电极(31)以及第2电极(32)、对第1电极(31)和第2电极(32)之间供给处理气体的气体供给部(4)、为了将第1电极(31)和第2电极(32)之间供给的处理气体等离子体化而对电极(31、32)之间施加高频电力的高频电源部(33)、以及自处理容器(11)下部对处理容器(11)内的气氛进行真空排气的排气装置(14)。载置台(2)上的基板B附近的等离子体的电子温度降低,能够抑制等离子体对基板B的损伤,另外由于能够使用金属作为处理容器(11)的材料,其温度控制性良好。

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