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公开(公告)号：CN111524850A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010069144.8
申请日：2020-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , C23C16/458 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供载置台和基片处理装置。载置台具有基台，能够载置基片。上述基台具有：供第1温度的热媒流动的第1流路；配置于上述第1流路的下部的第1隔热层；和配置于上述第1隔热层的下部的密封部件。本发明抑制密封部件的密封性能降低。
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公开(公告)号：CN111133562A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201980004516.4
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，该部件的形成方法包括根据所述部件的表面状态一边供给该部件的原料，一边对所述原料照射能量束的工序。
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公开(公告)号：CN101231943A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810005545.6
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其具有：可以设置成有真空气氛的处理容器；与在所述处理容器内配置在规定位置的被处理基板相对向而环状地配置的第一上部电极；在所述第一上部电极的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置的第二上部电极；向所述处理容器内提供处理气体的处理气体供给部；输出第一高频的第一高频电源；把来自所述第一高频电源的所述第一高频以第一功率值提供给所述第一上部电极的第一供电部；把来自所述第一高频电源的所述第一高频，从所述第一供电部分出，以比所述第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极的第二供电部，所述第一上部电极具有与所述第二上部电极的下面相比还向下方突出的突出部分。
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公开(公告)号：CN1717788A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104292.3
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01L21/31116
Abstract: 一种等离子体处理装置，包含可设定成具有真空气氛的处理容器(10)。与在处理容器(10)内配置的被处理基板(W)相对面地配置上部电极(36、38)。具有与上部电极(36)在周围方向上实质上连续连接的第一筒形导电部件(50)的供电部，将来自第一高频电源(52)的第一高频供给上部电极(36)。
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公开(公告)号：CN119908025A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380067636.5
申请日：2023-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/455
Abstract: 一种基板处理方法，用于在基板处理装置中从气体供给部向基板处理空间供给气体来对基板进行处理，所述气体供给部具备：多个气体源；流路，其用于使所述气体从多个所述气体源流通至所述基板处理空间；以及阀，其设置于所述流路，用于将所述气体的流通在流通与断开之间进行切换，在该基板处理方法中，执行通过在所述阀中使所述气体的流通在流通和断开之间交替地重复来将所述气体的流通进行脉冲化的脉冲控制，在所述脉冲控制中，通过控制所述脉冲控制的持续时间和所述持续时间期间内的所述气体的流通的流通次数，来控制所述气体的流量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118969591A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411036974.5
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , B22F10/28 , B22F10/366 , B33Y10/00 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，该部件的形成方法包括根据所述部件的表面状态一边供给该部件的原料，一边对所述原料照射能量束的工序。
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公开(公告)号：CN111383898B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201911325098.7
申请日：2019-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，涉及能够控制离子的撞击能量的技术，其包括：处理容器；在所述处理容器内载置被处理体的电极；对所述处理容器内供给等离子体的等离子体生成源；对所述电极供给所希望的波形的偏置功率的偏置电源；暴露于所述处理容器内的等离子体的零件；对所述零件供给所希望的波形的电压的电源；具有包含第1控制顺序的程序的存储介质，该第1控制顺序使所述电压周期性地反复具有第1电压值的第1状态和具有比所述第1电压值高的第2电压值的第2状态，在所述电极的电位的各周期内的部分期间施加所述第1电压值，以所述第1状态与所述第2状态连续的方式施加所述第2电压值；和能够执行所述存储介质的程序的控制部。
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公开(公告)号：CN111133562B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201980004516.4
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，该部件的形成方法包括根据所述部件的表面状态一边供给该部件的原料，一边对所述原料照射能量束的工序。
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公开(公告)号：CN113808989A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110630640.0
申请日：2021-06-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明的课题在于提供一种导热良好，线膨胀系数低，并且分量轻的载置台。作为解决本发明课题的方法为提供一种载置台，其具有：由密度为5.0g/cm3以下的材料形成的第1构件；与上述第1构件接合，由线膨胀系数为5.0×10‑6/K以下，并且导热率为100W/mK以上的材料形成的第2构件；以及在上述第1构件和上述第2构件的至少任一者的内部形成的温度调节介质的流路。
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公开(公告)号：CN112670153A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011071885.6
申请日：2020-10-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , B22F3/105 , B22F3/24 , B22F1/00 , C25D11/04 , B33Y10/00 , B33Y40/20 , B33Y70/10 , B33Y80/00
Abstract: 本发明提供部件、部件的制造方法和基片处理装置，能够提高覆盖含硅的铝材的氧化膜的均匀性。所提供的部件是用于基片处理装置的部件，上述部件由含硅的铝形成，硅粒径为1μm以下。
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