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公开(公告)号：CN102541102B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201110430694.9
申请日：2011-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45561 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32366 , H01J37/32385 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种处理装置，能够不用手工操作进行环状隔壁构件位置的改变或更换和处理气体喷出部自身的更换，改变处理气体的喷出位置。具有与载置台(4)对置设置在处理室(2)内并喷出处理气体的处理气体喷出部(5)；在处理气体喷出部(5)内通过隔壁(14)互相分隔设置的具有喷出处理气体喷出孔(16)的与被处理体面内的中心部分对应的第一空间(15a)、与被处理体面内的边缘部分对应的第二空间(15i)、设置在第一空间(15a)与第二空间(15i)之间的至少一个第三空间(15b)～(15h)；和包含连通这些空间的处理气体分配管(18a)～(18i)、开闭邻接的处理气体分配管(18a)～(18i)彼此之间的阀(19a)～(19h)的处理气体分配单元(12)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100555578C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200780000106.X
申请日：2007-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 手塚一幸
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/02 , H01J37/32431 , H01J2237/20 , H01L21/6831
Abstract: 一种等离子体处理装置，其具备当停止施加来自所述直流电源(13)的直流电压并将半导体晶片(W)从静电吸盘(10)举起时，检测吸附半导体晶片(W)的残留电荷的状态，进而检测静电吸盘(10)的交换时期的交换时期检测单元(64)。
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公开(公告)号：CN1906734A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001439.5
申请日：2005-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67167 , C23C16/455 , C23C16/45561
Abstract: 本发明提供一种半导体处理装置(1)，包括连接到公用搬运室(8)上的、用于对被处理基板(W)实施处理的多个处理室(2)。附设用于向各处理室(2)供给规定气体的气体供给系统(40)。气体供给系统(40)具有连接到规定气体源上的初级侧连接单元(23)和流量控制单元(13)。初级侧连接单元(23)配置在对应的处理室(2)的下侧。流量控制单元(13)配设到从初级侧连接单元(23)向对应的处理室(2)内供给气体的气体管道上。流量控制单元(13)被配置成至少一部分要重叠到初级侧连接单元(23)的上侧。
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公开(公告)号：CN1835200A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610008362.0
申请日：2006-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种在排气部不使用闸阀的真空装置中，能够准确地测量真空腔室泄漏率的泄漏率测量方法。该方法是对测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法，该真空装置包括：内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与真空腔室相连接的第一排气泵、连接在第一排气泵排气方向下游的第二阀门，该装置设有从所述第一排气泵和所述第二阀门之间的排气通道分支出来的、以连通状态与真空腔室相连接的循环通道，在所述第一阀门设定在规定的通导性，所述第二阀门闭合的状态下，由所述第一排气泵通过所述循环通道使气体向所述真空腔室循环，对所述真空腔室内的压力进行监测。
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公开(公告)号：CN3357043D
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03352204.9
申请日：2003-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 左视图与右视图相对称，省略左视图。
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