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公开(公告)号：CN113345786A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110191972.3
申请日：2021-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理系统和边缘环的更换方法。该等离子体处理系统包括等离子体处理装置、输送装置和控制装置，控制装置进行控制以执行以下步骤：将支承着边缘环的覆盖环向升降部件交接的步骤；使被支承部支承的治具在环状部件载置面与覆盖环之间移动的步骤；将治具向其他升降部件交接的步骤；支承部退避后，使升降部件和其他升降部件相对地移动，将边缘环从覆盖环向治具交接的步骤；仅使升降部件下降，将覆盖环向环状部件载置面交接的步骤；将支承着边缘环的治具从其他升降部件交接到支承部的步骤；和将支承着边缘环的治具从处理容器送出的步骤。根据本发明，能够选择性地进行被支承于覆盖环的状态下的更换和边缘环单体的更换。
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公开(公告)号：CN102541102B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201110430694.9
申请日：2011-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45561 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32366 , H01J37/32385 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种处理装置，能够不用手工操作进行环状隔壁构件位置的改变或更换和处理气体喷出部自身的更换，改变处理气体的喷出位置。具有与载置台(4)对置设置在处理室(2)内并喷出处理气体的处理气体喷出部(5)；在处理气体喷出部(5)内通过隔壁(14)互相分隔设置的具有喷出处理气体喷出孔(16)的与被处理体面内的中心部分对应的第一空间(15a)、与被处理体面内的边缘部分对应的第二空间(15i)、设置在第一空间(15a)与第二空间(15i)之间的至少一个第三空间(15b)～(15h)；和包含连通这些空间的处理气体分配管(18a)～(18i)、开闭邻接的处理气体分配管(18a)～(18i)彼此之间的阀(19a)～(19h)的处理气体分配单元(12)。
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公开(公告)号：CN113345830A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110224626.0
申请日：2021-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供基片支承台、等离子体处理系统和环状部件的安装方法。基片支承台包括：载置基片的基片载置面；环状部件载置面，其载置以包围保持于基片载置面的基片的方式配置的环状部件；三个以上的升降部件，其构成为能够从环状部件载置面伸出，并以可调节从环状部件载置面起的伸出量的方式升降；和使升降部件升降的升降机构，在环状部件的底面的与各个升降部件对应的位置，设有由向上方凹陷的凹面形成的凹部，俯视时，凹部比向环状部件载置面的上方输送环状部件的输送精度大，且比升降部件的上端部大，升降部件的上端部形成为随着去往上方而逐渐变细的半球状，形成凹部的凹面与升降部件的上端部的形成半球状的凸面相比曲率小。
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公开(公告)号：CN100543960C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710168038.X
申请日：2007-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/00 , H01J37/32 , H05H1/00 , B08B7/00 , C23F4/00 , C23C16/44
Abstract: 本发明的目的在于提供一种不会对被处理体产生重金属污染，而且经过长时间静电卡盘不会引起绝缘破坏的载置装置。本发明的载置装置，采用作为上述电极层的表面侧的绝缘层的静电卡盘层通过等离子体喷镀而形成，由厚度为200μm～280μm的氧化钇喷镀层构成，表面形成依存于喷镀的氧化钇的粒径的表面粗糙度的结构。这样的结构，对等离子体的耐久性在增高，并且不会引起重金属污染。
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公开(公告)号：CN101179045A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710168038.X
申请日：2007-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/00 , H01J37/32 , H05H1/00 , B08B7/00 , C23F4/00 , C23C16/44
Abstract: 本发明的目的在于提供一种不会对被处理体产生重金属污染，而且经过长时间静电卡盘不会引起绝缘破坏的载置装置。本发明的载置装置，采用作为上述电极层的表面侧的绝缘层的静电卡盘层通过等离子体喷镀而形成，由厚度为200μm～280μm的氧化钇喷镀层构成，表面形成依存于喷镀的氧化钇的粒径的表面粗糙度的结构。这样的结构，对等离子体的耐久性在增高，并且不会引起重金属污染。
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公开(公告)号：CN102541102A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110430694.9
申请日：2011-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45561 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32366 , H01J37/32385 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种处理装置，能够不用手工操作进行环状隔壁构件位置的改变或更换和处理气体喷出部自身的更换，改变处理气体的喷出位置。具有与载置台(4)对置设置在处理室(2)内并喷出处理气体的处理气体喷出部(5)；在处理气体喷出部(5)内通过隔壁(14)互相分隔设置的具有喷出处理气体喷出孔(16)的与被处理体面内的中心部分对应的第一空间(15a)、与被处理体面内的边缘部分对应的第二空间(15i)、设置在第一空间(15a)与第二空间(15i)之间的至少一个第三空间(15b)～(15h)；和包含连通这些空间的处理气体分配管(18a)～(18i)、开闭邻接的处理气体分配管(18a)～(18i)彼此之间的阀(19a)～(19h)的处理气体分配单元(12)。
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