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公开(公告)号：CN101065516A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200580040914.X
申请日：2005-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 铃木健二 , 以马利·P·盖德帝 , 格利特·J·莱乌辛克 , 原正道 , 黑岩大祐
IPC: C23C16/448
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/16
Abstract: 本发明描述了与高传导率蒸汽传输系统(40、140)相耦合的多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)，其用于通过增大固态前驱体(350)的暴露表面积来增大沉积速率。多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)包括基座盘(330)以及一个或多个上部盘(340)。每个盘(330、340)被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘(330、340)被配置为在加热膜前驱体(350)的同时提供膜前驱体(350)上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体(350)上方向内流动，并且垂直地向上经过可堆叠盘(340)内部的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)中的出口(322)。
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公开(公告)号：CN102725438B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201180007205.7
申请日：2011-03-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/16 , C23C16/4412 , C23C16/45591 , C23C16/45593 , H01L21/28556
Abstract: 使用包括有机金属化合物的原料气体形成薄膜的成膜装置具备：内部能够真空排气的处理容器（22）；载置被处理体（W），并且设置有对被处理体（W）进行加热的加热器（34）的载置台（28）；在载置台（28）的上方与载置台（28）相对设置，向着载置台（28）上的被处理体（W）外周端更外侧的区域导入原料气体的气体导入机构（80）；包围载置台（28）的上方的处理空间（S），划分处理空间的内外，并且以其下端部接近载置台（28）的方式设置，在下端部与载置台（28）的周边部之间形成气体出口（92）的内部划分壁（90）；在内部划分壁（90）的下端部，向着载置台（28）的半径方向的内方延伸设置，在与载置台（28）的周边部之间形成与气体出口（92）连通的孔口部（98）的孔口形成部件（96）。
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公开(公告)号：CN101802976B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880106639.0
申请日：2008-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C16/4586 , C23C16/52 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质。基板载置机构载置被处理基板，包括：加热器板21，其具有被处理基板载置面21a，并且埋设有将被处理基板W加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体21b；和调温护套22，其以至少覆盖加热器板21的被处理基板载置面21a以外的表面的方式形成，并且其温度为低于成膜温度的非成膜温度。
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公开(公告)号：CN101405433B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200780009285.3
申请日：2007-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/4481 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , C23C16/45574
Abstract: 本发明描述了用于减少沉积系统(1)中衬底(25)的粒子污染的方法和系统。沉积系统包括布置在其中并被配置来防止或部分地防止膜前驱体粒子的通过、或者打散或部分地打散膜前驱体粒子的一个或多个粒子扩散器(47)。粒子扩散器可以安装在膜前驱体蒸发系统(50)、或蒸汽传输系统(40)、或蒸汽分配系统(30)内，或者其中两者或更多者内。
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公开(公告)号：CN101978477A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110270.5
申请日：2009-01-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/16
CPC classification number: C23C16/45559 , C23C16/16 , H01L21/28562
Abstract: 一种成膜方法，其特征在于，使包含含羰基金属原料气体和含一氧化碳运载气体的处理气体，避开所述被处理基板表面而在比被处理基板的外周更靠直径方向上外侧的区域流动，从所述处理气体流使所述羰基金属向所述被处理基板表面扩散，在所述被处理基板表面进行金属膜的成膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101772590A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880100433.7
申请日：2008-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/4481 , Y10T137/8158 , Y10T137/8376
Abstract: 原料气体供给系统(6)，对成为减压环境的气体使用系统(2)供给原料气体。系统具有：存留液体原料或者固体原料的原料罐(40)、一端与原料罐连接而另一端与气体使用系统连接的原料通路(46)、向原料罐内供给运载气体的运载气体供给机构(54)、在原料通路的中途设置的开闭阀(48，50)、加热原料通路以及开闭阀的加热器(64)、控制加热器的温度控制部(92)。原料通路以及上述开闭阀使用具有良好导热性的金属材料形成。
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公开(公告)号：CN101652836A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200880010346.2
申请日：2008-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , C23C16/16
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C16/16 , C23C16/45523 , H01L21/28562 , H01L21/76807 , H01L21/76846 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供使用羰基原料的金属膜的成膜方法、多层配线构造的形成方法、半导体装置的制造方法、成膜装置，该成膜方法的特征在于，包括：第一工序，将金属元素的羰基原料以气相分子的形态与抑制上述气相分子的分解的气相成分一起供给至被处理基板表面，其中，将上述气相成分的分压设定为抑制上述羰基气相原料分子的分解的第一分压；和第二工序，使上述气相成分的分压在上述被处理基板表面变化为产生上述羰基原料的分解的第二分压，使上述金属元素沉积在上述被处理基板表面。
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公开(公告)号：CN101405433A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009285.3
申请日：2007-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/4481 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , C23C16/45574
Abstract: 本发明描述了用于减少沉积系统(1)中衬底(25)的粒子污染的方法和系统。沉积系统包括布置在其中并被配置来防止或部分地防止膜前驱体粒子的通过、或者打散或部分地打散膜前驱体粒子的一个或多个粒子扩散器(47)。粒子扩散器可以安装在膜前驱体蒸发系统(50)、或蒸汽传输系统(40)、或蒸汽分配系统(30)内，或者其中两者或更多者内。
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公开(公告)号：CN101384749A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005070.4
申请日：2007-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448
CPC classification number: C23C16/4481
Abstract: 本发明描述了与高传导率蒸汽传输系统(40)相耦合的多盘膜前驱体蒸发系统(1)，其用于通过增大膜前驱体的暴露表面积来增大沉积速率。多盘膜前驱体蒸发系统(50)包括一个或多个盘(340)。每个盘被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘被配置为在加热膜前驱体的同时提供膜前驱体上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体上方向内流动，并且竖直地向上经过可堆叠盘内的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统中的出口(322)。
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公开(公告)号：CN102725438A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007205.7
申请日：2011-03-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/16 , C23C16/4412 , C23C16/45591 , C23C16/45593 , H01L21/28556
Abstract: 使用包括有机金属化合物的原料气体形成薄膜的成膜装置具备：内部能够真空排气的处理容器（22）；载置被处理体（W），并且设置有对被处理体（W）进行加热的加热器（34）的载置台（28）；在载置台（28）的上方与载置台（28）相对设置，向着载置台（28）上的被处理体（W）外周端更外侧的区域导入原料气体的气体导入机构（80）；包围载置台（28）的上方的处理空间（S），划分处理空间的内外，并且以其下端部接近载置台（28）的方式设置，在下端部与载置台（28）的周边部之间形成气体出口（92）的内部划分壁（90）；在内部划分壁（90）的下端部，向着载置台（28）的半径方向的内方延伸设置，在与载置台（28）的周边部之间形成与气体出口（92）连通的孔口部（98）的孔口形成部件（96）。
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