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公开(公告)号：CN117043918A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280021365.5
申请日：2022-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐藤直行
IPC: H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置，其具备：处理腔室；基板支承部，其设于所述处理腔室内，用于保持基板；板，其与所述基板支承部相对，并具有气体导入口；以及圆筒构件，其支承所述板，并包围所述基板的周围，所述板和所述圆筒构件是具有利用CVD成膜而成的SiC膜的SiC构件的部件，其中，所述圆筒构件具有相对于载荷能够变形的第1部分。
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公开(公告)号：CN111799146A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010217975.5
申请日：2020-03-25
Applicant: 日本钨合金株式会社 , 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用部件、具备该部件的等离子体处理装置及烧结体的使用方法。等离子体处理装置用部件具有碳化钨相及副相，该副相包含选自由相I、相II、相III、相IV及相V构成的组中的至少一种，相I为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的碳化物相，相II为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的氮化物相，相III为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的碳氮化物相，相IV为碳相，相V为由WxMyCz的式表示的复合碳化物相，碳化钨相的含有比例为99体积％以上，副相的含有比例为1体积％以下，孔隙率为2体积％以下。
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公开(公告)号：CN102931056B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210391650.4
申请日：2010-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C8/36 , C23C8/80 , C23C16/325 , C23C16/4404 , C23C16/56 , H01J2237/31
Abstract: 本发明提供表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置。该表面处理方法是表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的表面处理方法，其特征在于，具有：准备表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的工序；在氧等离子体中加热上述破碎层，使部件表面的碳化硅进行SiOxCy化的工序；和对进行了上述SiOxCy化的部件表面进行氢氟酸处理将其溶析而除去的工序，通过将由上述破碎层构成的部件表面改性为致密层，使在将上述部件应用于等离子体处理装置时从上述部件表面释放出的粒子数减少。
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公开(公告)号：CN102931056A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210391650.4
申请日：2010-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C8/36 , C23C8/80 , C23C16/325 , C23C16/4404 , C23C16/56 , H01J2237/31
Abstract: 本发明提供表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置。该表面处理方法是表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的表面处理方法，其特征在于，具有：准备表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的工序；在氧等离子体中加热上述破碎层，使部件表面的碳化硅进行SiOxCy化的工序；和对进行了上述SiOxCy化的部件表面进行氢氟酸处理将其溶析而除去的工序，通过将由上述破碎层构成的部件表面改性为致密层，使在将上述部件应用于等离子体处理装置时从上述部件表面释放出的粒子数减少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101950721B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010226907.1
申请日：2010-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/324 , H01L21/263
CPC classification number: C23C8/36 , C23C8/80 , C23C16/325 , C23C16/4404 , C23C16/56 , H01J2237/31
Abstract: 本发明提供能够容易地消除形成在部件表面特别是台阶部的破碎层的表面处理方法。对表面具有破碎层25h的由碳化硅形成的聚焦环25，向表面照射电子束45，或使用等离子体喷枪50加热表面，或将其收容于退火处理装置60进行加热，从而将聚焦环25的表面加热到碳化硅的重结晶温度，例如1100℃～1300℃，使该部分的碳化硅重结晶从而改性为致密层，使当将聚焦环25应用于等离子体处理装置10时的从聚焦环25的表面释放出的粒子数减少。
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公开(公告)号：CN101920256B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010203984.5
申请日：2010-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B09B3/00
CPC classification number: H01L21/465 , C23C16/0227 , C23C16/325 , C23C16/4418 , H01J37/32467 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供能够消除浪费的等离子体处理装置用的消耗部件的再利用方法。通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(41)，加工碳化硅块(41)制造聚焦环(25)，在将所制造的聚焦环(25)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数，对在等离子体蚀刻处理中消耗的聚焦环(25’)的表面进行酸清洗，向被清洗的聚焦环(25)的表面通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(42)，加工碳化硅块(42)再制造聚焦环(25”)，在将再制造的聚焦环(25”)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数。
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公开(公告)号：CN101920256A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010203984.5
申请日：2010-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B09B3/00
CPC classification number: H01L21/465 , C23C16/0227 , C23C16/325 , C23C16/4418 , H01J37/32467 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供能够消除浪费的等离子体处理装置用的消耗部件的再利用方法。通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(41)，加工碳化硅块(41)制造聚焦环(25)，在将所制造的聚焦环(25)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数，对在等离子体蚀刻处理中消耗的聚焦环(25’)的表面进行酸清洗，向被清洗的聚焦环(25)的表面通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(42)，加工碳化硅块(42)再制造聚焦环(25”)，在将再制造的聚焦环(25”)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数。
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公开(公告)号：CN111383986B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN201911314810.3
申请日：2019-12-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 例示性实施方式所涉及的基板载置台具备基座及设置于基座上的静电卡盘。静电卡盘具备层叠部、中间层及包覆层。层叠部设置于基座上。中间层设置于层叠部上。包覆层设置于中间层上。层叠部具备第1层、电极层及第2层。第1层设置于基座上。电极层设置于第1层上。第2层设置于电极层上。中间层设置于第2层与包覆层之间，且与第2层和包覆层紧贴。第2层为树脂层。包覆层为陶瓷。
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公开(公告)号：CN111799145A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010217971.7
申请日：2020-03-25
Applicant: 日本钨合金株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用部件、具备该部件的等离子体处理装置及烧结体的使用方法。等离子体处理装置用部件仅由碳化钨相构成，并且包含选自由Fe原子、Co原子及Ni原子构成的组中的至少一种原子，这些原子的含量的合计为30～3300原子ppm。
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