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公开(公告)号：CN106504969A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610766213.4
申请日：2016-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: B24B37/32 , B24B37/20 , H01J37/32642
Abstract: 本发明的目的在于使聚焦环的吸附特性稳定化。本发明提供一种聚焦环，其在处理容器内配置于载置基板的下部电极的周缘部、与该下部电极的部件接触，上述聚焦环的接触面由含硅材料、氧化铝(Al2O3)和石英中的任一者形成，上述聚焦环的接触面和上述下部电极的部件的接触面中的至少一者为0.1μm以上的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN102376530B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201110239893.1
申请日：2011-08-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明提供基板处理装置和温度调节方法。基板处理装置包括设置空间较少、能够简化装置结构的温度调节部件。其包括：对基板实施等离子体处理的腔室(11)、在腔室内用于载置基板的基座(12)、以隔着处理空间(S)与基座相对的方式设置的喷淋头(14)、对处理空间施加高频电而使等离子体产生的高频电源(15)、在作为温度调节面的基座的表面(12a)的背面(12b)上形成水的润湿面的喷水装置(16)、将水的润湿面从周围的气氛隔离的蒸发室(17)、对蒸发室内的压力进行调整的压力调整装置(18、19)，其中，利用压力调整装置对蒸发室内的压力进行调整而使形成润湿面的水蒸发，利用水的蒸发潜热对基座的表面的温度进行控制。
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公开(公告)号：CN102751227B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210214785.3
申请日：2010-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67132 , Y10T29/49746 , Y10T428/219 , Y10T428/24777 , Y10T428/24843 , Y10T428/249982 , Y10T428/249985
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘装置，在静电卡盘装置的粘合剂层的侧面被侵蚀时，能够均匀地修补该侵蚀部分。一种静电卡盘装置，其在金属底座上至少具有粘合剂层和吸附层，其特征在于：在上述粘合剂层的侧面卷绕有线状的粘合剂，上述线状的粘合剂为与上述粘合剂层相同的成分。
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公开(公告)号：CN102741996A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080056197.0
申请日：2010-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 住友大阪水泥股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/32642 , H01J2237/332 , H01J2237/338 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘装置，其由以下部件构成：静电卡盘部；环状的聚焦环部，设置成包围该静电卡盘部；和冷却基部，冷却该静电卡盘部和聚焦环部。聚焦环部包括环状的聚焦环、环状的导热片、环状的陶瓷环、非磁性体的加热器以及向该加热器供电的电极部。
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公开(公告)号：CN100570820C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200710181281.5
申请日：2007-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/683 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘的诊断方法，其利用简单的方法对静电卡盘的寿命进行预测。在利用设置在载置台上部的静电卡盘对基板进行静电吸附、并且对该基板进行等离子体处理时，定期地对基板进行作为相同的等离子体处理的诊断用方案，对向静电卡盘的表面与基板的背面之间的间隙供给的背面气体的压力进行调整，使得此时的各基板的温度成为规定温度，记录该调整后的背面气体的压力，对该背面气体的压力的经时变化进行监视，由此，能够简便地预测静电卡盘的寿命。
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公开(公告)号：CN112103164B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010511103.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种载置台和等离子体处理装置，该载置台包括用于支承基片和边缘环的静电吸盘和支承所述静电吸盘的基座，所述静电吸盘具有：第1区域，其具有第1上表面，能够支承所述第1上表面之上所载置的基片；第2区域，其具有第2上表面，并设置成与所述第1区域的周围成为一体，能够支承所述第2上表面之上所载置的边缘环；设置在所述第1区域中的用于施加直流电压的第1电极；设置在所述第2区域中的用于施加直流电压的第2电极；和用于施加偏置电功率的第3电极。根据本发明，能够抑制向基片的下表面与静电吸盘的上表面之间供给的传热气体的放电。
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公开(公告)号：CN117795657A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280055398.1
申请日：2022-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘，其包括：用于支承基片的中央区域；形成在所述中央区域的至少1个贯通孔；配置在所述贯通孔的周围的第一基片接触部；和配置在所述第一基片接触部的周围的第二基片接触部，所述第一基片接触部和所述第二基片接触部具有从所述中央区域向上方突出的多个突起，在所述第一基片接触部，所述突起以第一密度配置，在所述第二基片接触部，所述突起以比所述第一密度小的第二密度配置。
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公开(公告)号：CN112687511A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011056120.5
申请日：2020-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明中公开的等离子体处理装置的基板支撑器具有保持边缘环的静电卡盘。静电卡盘包括第1电极及第2电极。对基板执行第1等离子体处理期间，在第1及第2电极分别设定彼此相同的电位及彼此不同的电位中的一种电位。对基板执行第2等离子体处理期间，在第1及第2电极分别设定另一种电位。在生成等离子体的状态下，第1电极及第2电极各自的电位从一种电位切换成另一种电位。
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公开(公告)号：CN112602176A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055656.4
申请日：2019-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种载置被实施规定处理的基片的载置台，其包括：静电吸附上述基片的静电吸盘；配置在上述基片的周围的可输送的第一边缘环；固定在上述第一边缘环的周围的第二边缘环；使上述第一边缘环升降的升降销；配置在上述静电吸盘的与上述第一边缘环相对的位置的、该第一边缘环的静电吸附用的第一电极；和配置在上述静电吸盘的与上述第二边缘环相对的位置的、该第二边缘环的静电吸附用的第二电极。
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公开(公告)号：CN112103164A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010511103.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种载置台和等离子体处理装置，该载置台包括用于支承基片和边缘环的静电吸盘和支承所述静电吸盘的基座，所述静电吸盘具有：第1区域，其具有第1上表面，能够支承所述第1上表面之上所载置的基片；第2区域，其具有第2上表面，并设置成与所述第1区域的周围成为一体，能够支承所述第2上表面之上所载置的边缘环；设置在所述第1区域中的用于施加直流电压的第1电极；设置在所述第2区域中的用于施加直流电压的第2电极；和用于施加偏置电功率的第3电极。根据本发明，能够抑制向基片的下表面与静电吸盘的上表面之间供给的传热气体的放电。
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