公开(公告)号：CN111007078B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN201911091011.4

申请日：2019-11-09

Applicant: 上海精密计量测试研究所

Inventor： 李娟 ,  李春 ,  朱敏尉 ,  刘楠 ,  张辉 ,  孔泽斌 ,  张超 ,  罗宇华 ,  祝伟明 ,  江芸 ,  楼建设

IPC: G01N21/95 ,  G01N1/28 ,  G01B21/00 ,  G01B21/20 ,  G01R31/12

Abstract: 本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法，包括对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求，避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品，保证产品装机后的可靠性。

公开(公告)号：CN114414972A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111530295.X

申请日：2021-12-14

Applicant: 上海精密计量测试研究所

Inventor： 汪波 ,  秦林生 ,  马林东 ,  刘伟鑫 ,  江芸 ,  孔泽斌 ,  祝伟明 ,  楼建设 ,  王昆黍

IPC: G01R31/26 ,  G01N23/04 ,  G01N27/00

Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法，其特征在于，包括第一步，选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为两组，计算A组、B组暗电流初值的平均值；第二步，对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验；第三步，取A组中一只器件对其进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算电离能损；第五步，对B组的CMOS图像传感器分别进行60Co‑γ射线辐照试验；第六步，计算空间质子位移损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第七步，拟合△μi‑Fi的变化曲线；第八步，得到定量的空间质子位移损伤。本发明消除电离损伤的影响、定量评价质子位移损伤，结合航天器轨道、倾角、发射年份预估器件抗质子位移损伤能力是否满足要求，对航天器在轨安全运行具有重要意义。