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公开(公告)号：CN114018930A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111249604.6
申请日：2021-10-26
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅晶体原生缺陷的检测方法，包括：提供硅晶体，所述硅晶体具有原生缺陷；在所述硅晶体上生长外延层，所述外延层包括基于所述原生缺陷形成的外延缺陷；对所述外延层的表面进行光散射扫描，获取窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果；基于所述窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果确定外延缺陷类型；基于所述外延缺陷类型确定所述原生缺陷的类型。根据本发明提供的硅晶体原生缺陷的检测方法，利用外延生长将在硅晶体表面无法被探测的原生缺陷延伸至外延层表面，并对外延层的表面进行进行光散射扫描，基于获取的窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果确定所述外延缺陷的类型，进而确定所述原生缺陷的类型。
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公开(公告)号：CN113138195A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110412646.0
申请日：2021-04-16
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种晶体缺陷的监控方法及晶棒生长方法，包括：在晶棒上按照预设的硅片抽样频率进行硅片抽样；对所述硅片进行晶体缺陷显现处理，以显示出所述硅片的晶体缺陷；对所述硅片的晶体缺陷进行晶体缺陷观察表征，并提取出表征晶体缺陷的数值；通过表征结果得到所述硅片的密度径向分布并区分晶体缺陷类型；根据所述表征晶体缺陷的数值和晶体缺陷类型得到所述晶棒的晶体缺陷密度的等值线图，以显示完整的所述晶棒的晶体缺陷分布。本发明无需纵切破坏晶棒就可以获得完整的晶棒的晶体缺陷分布，根据所述晶棒的晶体缺陷分布，可调整晶棒生长的工艺，以获得指定缺陷特性的晶棒。
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公开(公告)号：CN113109363A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110260251.3
申请日：2021-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种表征硅晶体中缺陷的方法，所述方法包括：对硅晶体的表面进行蚀刻，以去除目标厚度的硅晶体；对蚀刻后的所述硅晶体的水平表面进行光散射扫描，以得到所述水平表面的光散射颗粒扫描图、缺陷的光散射等效尺寸以及缺陷体密度；根据所述水平表面的光散射颗粒扫描图、所述光散射等效尺寸和所述缺陷体密度中的至少一种确定硅晶体中存在的缺陷的类型和/或每种缺陷在水平面上存在的缺陷区间。所述方法可以减少缺陷表征周期、减少表征成本、同时表征多种缺陷(空洞，氧沉淀，位错)，还可以提高表征精度，能够实现缺陷类型与缺陷区间的区分，具有高可靠性，适用所有晶体缺陷类别，操作简便，为一种环境友好型的原生缺陷检测手段。
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公开(公告)号：CN111926379A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010621667.9
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种热屏障装置及熔炼炉，其中，热屏障机构包括屏底和屏壁，屏底中心设有通孔，通孔用于通过待提拉的熔体，屏底包括第一层板、第二层板和侧板，侧板的一端与第一层板连接，第一层板靠近坩埚，第二层板远离坩埚，侧板另一端与第二层板连接，侧板的一侧、第一层板和第二层板围成通孔，侧板的另一侧、第一层板、第二层板和屏壁围成容置空腔；隔热机构设置在容置空腔内，隔热机构包括隔热件和保温件，隔热件设置在侧板一侧，隔热件的高度不小于侧板高度的二分之一，隔热件用于隔绝坩埚的热量散发至待提拉的熔体，容置空腔内部除隔热件外，填充保温件；本发明能够提高热屏与坩埚之间温度梯度，便于快速形成硅晶棒，提高硅晶棒的生产效率。
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公开(公告)号：CN117393588A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311324353.2
申请日：2023-10-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/30 , C30B29/06 , C30B33/02 , C30B33/00 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆及其形成方法，单晶硅晶圆包括上表面以及距离上表面预定距离内的第一区域，所述第一区域内无自间隙型缺陷。采用无自间隙型缺陷的单晶硅晶圆制作的半导体器件，降低了器件漏电流以及提高击穿电压，提高了半导体器件的性能。进一步的，单晶硅晶圆的形成方法通过热处理工艺消除单晶硅晶圆汇总的自间隙型缺陷，热处理工艺包括快速热处理工艺和/或长时间热处理工艺。也即通过热处理工艺能够获得一种无自间隙型缺陷的单晶硅晶圆，提高了半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN116145238A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211734788.X
申请日：2022-12-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种晶体生长方法、装置及RF‑SOI基材，应用于晶体生长技术领域，其中晶体生长方法包括：控制第一超导线圈产生第一电流，以及控制第二超导线圈产生第二电流，其中第一电流的数值与第二电流的数值不相等，第一超导线圈和第二超导线圈为相对设置地分布于坩埚外且用于在坩埚内部产生磁场的超导线圈；基于所述第一电流和所述第二电流在所述坩埚内产生的非对称磁场进行单晶直拉生长。通过调整线圈电流比为1:n来获得非对称水平磁场，进而可以通过采用非对称水平磁场来抑制熔体流动，进而基于非对称水平磁场对熔体不同抑制作用可获得非对称对流结构，能够显著降低直拉法单晶硅晶体中的氧含量。
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公开(公告)号：CN114855263A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210357367.3
申请日：2022-04-01
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长方法，包括：当晶体生长进入等径阶段，坩埚以第一坩埚转速旋转，晶体以第一晶体转速旋转；当晶体生长至第一长度，坩埚以第二坩埚转速旋转，和/或晶体以第二晶体转速旋转；其中，所述第二坩埚转速小于所述第一坩埚转速，所述第二晶体转速小于所述第一晶体转速。根据本发明提供的晶体生长方法，通过在等径阶段晶体生长至第一长度之后，将坩埚从第一坩埚转速降低至第二坩埚转速，和/或将晶体从第一晶体转速降低至第二晶体转速，降低了晶体中的氧含量。
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公开(公告)号：CN114023667A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111247647.0
申请日：2021-10-26
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , G01N21/88 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种硅晶体原生缺陷的检测方法，包括：提供硅晶体，所述硅晶体具有原生缺陷；在所述硅晶体上生长外延层，所述外延层包括基于所述原生缺陷形成的一级外延缺陷；对所述外延层的表面进行刻蚀，以将所述一级外延缺陷放大形成二级外延缺陷；通过显微镜表征所述二级外延缺陷。根据本发明提供的硅晶体原生缺陷的检测方法，利用外延生长将在硅晶体表面无法被探测的原生缺陷延伸至外延层表面，并对外延层的表面进行刻蚀以放大外延缺陷，从而实现对原生缺陷的定位、确定原生缺陷的类型和缺陷范围。
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公开(公告)号：CN113721076A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110910092.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种硅片电阻率的测量方法，所述测量方法包括：选取待测量的硅片；对所述硅片进行热处理，去除所述硅片中的热施主；对所述硅片进行氧化处理，以在所述硅片上形成氧化表面；测量所述硅片的电阻率。在所述方法中首先对硅片进行氧化处理，以在所述硅片上得到氧化表面，从而在后续的放置过程中其表面变化很小，因此硅片表面测量的电阻率变化很小。
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公开(公告)号：CN113394126A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110407842.9
申请日：2021-04-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 本申请公开了一种检测半导体材料中缺陷的方法，所述方法包括：通过HF蚀刻液对半导体材料的表面进行清洗，以去除所述半导体材料表面的氧化层；对去除所述氧化层的所述半导体材料进行蚀刻，以显现所述半导体材料中的缺陷；对蚀刻后的所述半导体材料的水平表面进行光散射扫描，以确定所述半导体材料中存在的缺陷。在所述方法中先通过HF清洗去除半导体材料表面氧化层，然后再对所述半导体材料进行蚀刻，以显现半导体材料中的原生缺陷，通过所述方法可以探测到目前H2高温烘焙中未被显现的缺陷，半导体材料的区域缺陷密度大幅提高，可以提高气相刻蚀方法的探测精度。
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