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公开(公告)号：CN115513123A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211374642.9
申请日：2022-11-04
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上硅结构及其形成方法，绝缘体上硅结构的形成方法，通过活化处理增加键合工艺时的常温键合强度，降低了后续加固工艺所需的温度，从而降低了所述腐蚀停止层中的异质组分热扩散，保证了所述腐蚀停止层与器件层之间的界面清晰，进而避免了所述器件层在后续去除腐蚀停止层之后所述器件层的厚度均匀性恶化；还通过两次选择性腐蚀工艺控制腐蚀后器件层的均匀性，使得最终得到的绝缘体上硅结构的器件层的厚度均匀性小于10％；还通过牺牲氧化层的形成和去除使得器件层的表面没有高频腐蚀起伏的多孔形貌存在。
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公开(公告)号：CN114050123A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111271381.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种SOI晶圆及其最终处理方法，其对第一晶圆进行快速热退火得到第二晶圆；其中第一升温过程在氩气和氢气混合气氛中进行，且氢气的体积比例小于10％；第一退火过程在氩气和可任选的氢气气氛中进行，且可任选的氢气体积比例不大于10％；对第二晶圆进行长时间热退火，得到SOI晶圆成品；长时间热退火包括第二升温过程和第二退火过程，第二升温过程在氩气和氢气混合气氛中进行，且氢气的体积比例小于10％；第二退火过程在氩气和可任选的氢气气氛中进行，且氢气体积比例不大于10％。本发明还提供一种SOI晶圆，所述SOI晶圆的顶层硅表面粗糙度小于4埃，厚度均匀性在±1％以内，SPx检测阈值为37nm时的颗粒总数小于100个。本发明的处理方法最终得到具有更优异表面的SOI晶圆，为后摩尔时代硅基器件提供可行的衬底材料支持。
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公开(公告)号：CN114334792A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111274089.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供了一种SOI结构的半导体硅晶圆及其制备方法，属于半导体制造领域，具体包括步骤一，将半导体硅晶圆置于第一垂直炉管进行长时间热处理；步骤二，将长时间热处理后的所述半导体硅晶圆放入第二垂直炉管中，进行氧化减薄处理；步骤三，对氧化减薄后的所述半导体硅晶圆进行快速热退火处理，其中，在长时间热处理中，先将所述半导体硅晶圆置于纯氩气氛中进行保护，而后在1‑n％氩气+n％氢气的混合气氛升温至目标温度再进行退火阶段，退火阶段，气氛为1‑n％氩气+n％氢气的混合气氛或者纯氩气，n为不大于10的数值。通过本申请的处理方案，使半导体硅晶圆表面粗糙度小于5埃，且边缘无滑移线。
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公开(公告)号：CN113161229A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110389647.8
申请日：2021-04-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供了一种多晶硅薄膜衬底的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化硅层；对所述氧化硅层的表面进行氮化处理，以得到氮氧硅层；在所述氮氧硅层上形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜进行退火处理。形成的氮氧硅层可以减少多晶硅薄膜内应力释放，改善晶粒质量，从而改善多晶硅薄膜对外的应力，也就是说可以改善多晶硅薄膜对衬底的应力，并且，退火工艺还可以继续减小多晶硅薄膜对衬底的应力。多晶硅薄膜对衬底的应力减小，就可以使得衬底的翘曲度降低。
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公开(公告)号：CN114664657A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111269451.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种晶圆表面处理方法。本发明通过控制处理过程中各个阶段的气体配置以及相应的升温退火和降温氧化减薄过程，使最终晶圆表面粗糙度小于5A，有效减少了最终处理工艺成本，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114156179A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111269452.6
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种改善绝缘层上硅晶圆表面粗糙度的方法。本发明通过控制快速热处理过程中各个阶段的气体配置以及相应的升温退火过程，使最终晶圆表面粗糙度小于5A，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115662943A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211378498.6
申请日：2022-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上硅的制备方法，在p型掺杂单晶硅外延衬底上形成自下而上叠置的本征硅第一腐蚀停止层、锗硅合金第二腐蚀停止层及硅器件层，经氧化、键合、加固及研磨处理后，进行选择性腐蚀，通过p+/本征硅的选择性腐蚀，将位于锗硅合金第二腐蚀停止层上的本征硅第一腐蚀停止层的厚度偏差控制在100nm以内，继而通过第二次腐蚀以及第三次腐蚀，可将最终制备的绝缘体上硅薄膜的厚度偏差优化到小于5nm，表面粗糙度小于从而实现绝缘体上硅薄膜的平坦化制备。
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公开(公告)号：CN119545901A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411461368.8
申请日：2024-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅结构及其制备方法，包括衬底；所述衬底自下而上依次设置有不同孔隙率的多孔硅结构、氧化层、顶层硅层。制备方法包括如下步骤：(1)提供两片衬底，分别为第一衬底和第二衬底；(2)对第一衬底进行阳极氧化，通过改变工艺参数在第一衬底上形成不同孔隙率的多孔硅结构；(3)对第一衬底进行热处理，以稳定多孔硅结构；(4)将第一衬底与第二衬底键合，并通过热处理进行分离形成绝缘体上硅衬底；(5)对绝缘体上硅衬底表面进行热氧化处理，并用刻蚀剂去除氧化层以减薄顶层硅厚度；(6)对绝缘体上硅衬底表面进行高温热处理，得到平坦的顶层硅。本发明所制备的绝缘体上硅结构实现射频与光通信技术的单片集成。
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公开(公告)号：CN119545903A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411461389.X
申请日：2024-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅结构的制备方法，包括如下步骤：(1)提供两片衬底，分别为第一衬底和第二衬底；(2)对第一衬底进行电化学腐蚀，改变工艺参数，形成由第一多孔硅层和第二多孔硅层组成的双层多孔硅结构；(3)对第一衬底进行高温热处理；(4)在第一多孔硅层上外延过渡层；(5)在过渡层上外延器件层；(6)在器件层上进行热氧化形成埋氧层；(7)将第一衬底与第二衬底进行键合，并分离形成绝缘体上硅衬底和单晶硅衬底；(8)将绝缘体上硅衬底利用第一腐蚀剂去除双层多孔硅结构，利用第二腐蚀剂去除过渡层，形成绝缘体上硅结构。本发明绝缘体上硅结构的制备方法使得在多孔硅层处进行剥离时能够达到与离子注入相近的效果。
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公开(公告)号：CN115652427A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211360231.4
申请日：2022-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法，本发明控制硅片中的氧含量与电阻率匹配，实现完成器件制造后硅衬底导电类型不发生转变，且具有高的电阻率；可定氧含量改变掺杂量或定电阻率改变氧含量或两者同时改变，灵活操作，大大提高高阻硅晶体的良率。
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