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公开(公告)号：CN108384542A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810107070.5
申请日：2018-02-02
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明提供了一种红色荧光材料，其化学式为Ca2AlNbO6:Mn4+，发光中心为非稀土激活剂Mn4+。提供了上述红色荧光材料的制备方法，按元素摩尔比称取原料，进行高温固相反应，通过加入合适的助熔剂控制固相合成温度，通过引入适量的电荷补偿剂，在保证样品的纯相范围内，进一步改善该钙钛矿结构铌铝酸盐红色荧光材料发光性能，最终获得高效、稳定的红色荧光粉。本发明以钙钛矿结构铌铝酸盐为基质，以Mn4+为激活剂，不使用昂贵的稀土元素，且原料及最终产物均不含氟等有害物质，该荧光粉对紫外、蓝光波段的激发光有强的吸收，发射带宽适宜的红色光波，适合应用于紫外或蓝光LED芯片激发的暖白光LED器照明和显示领域。
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公开(公告)号：CN107163938A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710373079.6
申请日：2017-05-24
Applicant: 上海应用技术大学
CPC classification number: C09K11/7706 , C30B11/00 , C30B29/34
Abstract: 一种Ho掺杂硅酸铋绿光荧光体，其分子式为(Bi1‑xHox)4Si3O12，x为0.0005~0.05。还提供了上述荧光体的制备方法，称取反应原料，将原料充分混合，在700‑750 ℃预烧结，自然冷却后将原料进行研磨，再在800‑850℃下烧结，得到组分均匀的Ho掺杂硅酸铋多晶粉末烧结料；将合成的烧结料装入底部装有BSO籽晶的铂金坩埚中，再将坩埚装入下降炉中，调整到适当位置使原料处于炉膛高温区充分熔融；待晶体生长结束后，进行原位退火处理，将装有生长晶体的坩埚回升到炉膛内恒温区位置，在800‑900℃温度下退火，即得一种Ho掺杂硅酸铋绿光荧光体。通过本发明的方法得到的晶体材料完整性好、质量高。
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公开(公告)号：CN114032092B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202111533222.6
申请日：2021-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+掺杂的近红外波段3+发光材料及其制备方法。本发明的Cr 掺杂的近红外波段发光材料的化学通式为CsA3+1‑yB4+2O6:yCr3+，其中，A3+选自Al3+、Ga3+和In3+中的至少一种，B4+选自Si4+、Ge4+、Sn4+、Ti4+和Zr4+中的至少一种；0.01at％
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公开(公告)号：CN114250514B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111532634.8
申请日：2021-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂及基于该类助熔剂的晶体生长方法。本发明以B2O3‑碱金属氧化物为主，辅以少量钼的氧化物如MoO3、钼酸盐如K2Mo2O7、Na2Mo2O7等，作为β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂体系，其摩尔比为0.8～1.5：0.8～2.5：0～0.3。本发明提出的助熔剂体系，不含高温助熔剂中常用的氧化铅、氟化铅等有毒、有害成份，晶体生长温度区间为950‑1080℃，有效的降低了晶体的生长温度，溶剂粘度小、组分挥发少，高温溶液清澈透明，便于实时控制晶体生长过程，所获得的晶体质量较好，无包裹现象，易于获得高质量的β‑Ga2O3晶体。
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公开(公告)号：CN112322292B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202011389143.8
申请日：2020-12-02
Applicant: 上海应用技术大学 , 上海鼎晖科技股份有限公司
IPC: C09K11/79
Abstract: 本发明公开了一种Eu3+掺杂的荧光材料及其制备方法。所述Eu3+掺杂的荧光材料的化学通式为Ca3(Tb1‑xEux)7(BO4)(SiO4)5O，其发光中心为稀土离子Eu3+。制备方法：将原料进行混合、研磨均匀，得到反应前驱体；将研磨均匀的初始料装入氧化铝坩埚，在还原气氛中升温至进行预烧结，保温；将预烧结的样品取出，置于研钵中研磨混匀后，于还原气氛中煅烧，最后得到Eu3+掺杂的荧光材料。该荧光材料的原料及最终产物均不含氟等有害物质，且制备方法简单，生产成本低。该荧光材料在蓝光LED芯片激发时发出红光，具有很好的色饱和度和显色指数，适用于全光谱LED器件、植物照明和显示等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114214720A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111535091.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种二价金属离子掺杂的β‑Ga2O3晶体的助熔剂体系及基于该助熔剂体系的晶体生长方法。本发明采用铋氧化物‑碱金属氟化物体系为Ni2+、Cu2+、Zn2+等二价离子掺杂β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂，体系中铋氧化物和碱金属氟化物的摩尔比为(0.8～0.75)：(0～0.1)。本发明采用铋氧化物‑碱金属氟化物体系为助溶体系，该体系能够在900～1280℃下完全熔融原料中的Ga2O3和金属氧化物，在本发明的工艺条件下，最终能够生长出晶体尺寸可控、成分均一的高质量的Ni2+、Cu2+、Zn2+等二价金属离子掺杂的β‑Ga2O3晶体。
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公开(公告)号：CN111575002A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010435497.5
申请日：2020-05-21
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/78
Abstract: 本发明公开了一种在紫外光激发下植物补光照明用全光谱LED荧光粉及制备方法，该荧光粉的化学式为：TbxM3-xGa5O12:yMn4+(M＝Y,Gd,La,Lu,0≤x≤3,0.1≤y≤5at％)，其晶体结构属于立方晶系，Ia-3d空间群，激活离子为Mn4+。本发明还公开了这种荧光粉的制备方法，按化学计量比称取原料，利用溶剂热-固相合成法合成该荧光粉。引入适量的电荷补偿剂，进一步改善该材料的发光性能，最终获得高效、稳定的植物照明用全光谱LED荧光粉。本发明以铽镓石榴石为基质，以Mn4+为激活剂，原料及最终产物均不有毒有害物质，该荧光粉对紫外光具有较强吸收，发射谱带涵盖460-750nm的可见光波段，适合紫外LED芯片激发用于植物全光谱照明补光领域。
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公开(公告)号：CN111196925A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010017945.X
申请日：2020-01-08
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明涉及了一种Mn4+掺杂的红色荧光材料及其制备方法，该荧光材料的一般通式为(Mg1-yAy)2(Ti1-zBz)1-xO4:xMn4+(A＝Ca，Sr，Ba；B＝Zr，Si；0.01at％≤x≤1.0at％,0≤y≤5at％,0≤z≤10at％)，其制备方法是以MgO，CaCO3，SrCO3，BaCO3，TiO2，ZrO2，SiO2和MnO2为原料，按元素摩尔比称取原料，在玛瑙研钵中研磨均匀后进行高温固相反应，在保证纯相的条件下加入适量的助熔剂，最终得到Mn4+掺杂的红色荧光粉材料((Mg1-yAy)2(Ti1-zBz)1-xO4:xMn4+)，所得Mn4+掺杂的红色荧光材料具有优异的红色发光性能。本发明制备的红色荧光材料是以Mn4+作为激活剂，不含稀土元素，且原料及最终产物均不含氟等有害物质，且制备方法简单，生产成本低。该红色荧光粉在紫外、近紫外或蓝光LED等激发光源激发时，能发射波长范围在630～730nm的红色荧光，适合应用于暖白光LED器照明和显示领域。
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公开(公告)号：CN110746968A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911052023.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种在紫外光激发下发暖白光的荧光粉及其制备方法。所述荧光粉的表达通式为Tb3Al5(1-x)O12:xMn4+，激活离子为Mn4+，其中0.01at％≤x≤5at％。制备方法为：将原料在去离子水中溶解，搅拌混合均匀，搅拌混合5～30分钟；加入碱性溶液，得到前驱体固体样品；将前驱体固体样品过滤出，溶解于醇溶剂中，转移至反应釜中，在180～280℃条件下保温2～12小时；样品过滤，在50～100℃条件下烘干2～12小时，再研磨，得到在紫外光激发下发暖白光的荧光粉。本发明使用过程中不会释放任何有毒、有害物质，制备工艺简单、制备过程无任何污染，可直接在空气中制备合成。
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公开(公告)号：CN119410362A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411549966.0
申请日：2024-11-01
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/64
Abstract: 本发明涉及一种Cr3+掺杂的新型氟硫酸盐基质深红发光材料及其制备与应用。所述发光材料的化学通式为：K2(1‑a)A2aAl(1‑b)BbSO4F3:xCr3+，0≤a≤1，0≤b≤0.5，A为第一主族元素或一价Ag、Cu、Au中的至少一种，B包括Ga、In、TI、Sc的三价离子中的一种，发光中心为Cr3+。所述发光材料的制备方法为：根据各物质化学计量比称取原料，研磨使其混合均匀，预烧结后再次研磨，使混合更加均匀后再次煅烧，经过离心、烘干、过筛后得到所需发光材料。与现有技术相比，本发明制备的Cr3+掺杂的新型氟硫酸盐基质深红发光材料在合成工艺简单，此外，在合成过程中不需要对人类和环境有害的氢氟酸或者是有毒且加热易分解的氟化铵来提供氟源。
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