公开(公告)号：CN103000663A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210585902.7

申请日：2012-12-28

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 徐小丽 ,  陈苏杰 ,  李思莹 ,  崔晴宇 ,  郭小军

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/77

Abstract: 一种AMOLED的集成结构，其由分别制备在两个独立的基板上的底发光结构的OLED面板和驱动电路背板构成；所述OLED面板包括基板和依次层叠在该基板上的阳极层、功能层和阴极层；所述驱动电路背板包括绝缘基板、驱动电路、信号输出端连接点、封装层和扩展电极，其中，绝缘基板位于最底层，驱动电路和信号输出端连接点相互连接且位于绝缘基板之上，封装层位于驱动电路和信号输出端连接点之上，扩展电极位于封装层之上且伸出端穿过封装层与信号输出端连接点相连接；所述OLED面板的阴极层面向对准驱动电路背板的扩展电极并相互叠层粘合。本发明具有良好的工艺兼容性和冗余度，简化了工艺、提高了生产效率，能够促进AMOLED的产业化应用。

公开(公告)号：CN102881828A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210382861.1

申请日：2012-10-10

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 唐伟 ,  冯林润 ,  徐小丽 ,  陈苏杰 ,  郭小军

IPC: H01L51/40

Abstract: 一种短沟道有机薄膜晶体管的制备方法，该有机薄膜晶体管为底栅底接触型结构，自下而上依次包括衬底、栅极、介质层、自组装单分子层、源极、漏极以及有机半导体层，该源极与漏极之间的沟道的长度不超过5微米，所述制备方法的各工艺步骤全部采用包括溶液涂布方法和印刷方法的溶液法，具体步骤如下：在衬底上制备栅极；在衬底和栅极上制备介质层；在介质层上表面生长疏水性自组装单分子层；采用紫外光垂直通过光掩膜照射疏水性自组装单分子层，除去源极和漏极区域的疏水性自组装单分子层并在该区域生长亲水性自组装单分子层；在介质层的亲水区域上形成漏极和栅极；在源极、漏极以及沟道之上制备有机半导体层。本发明效率高、成本低，提升了短沟道有机薄膜晶体管的品质。

公开(公告)号：CN102610756A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210091404.7

申请日：2012-03-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 郭小军 ,  冯林润 ,  唐伟 ,  徐小丽

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 一种溶液法低电压高性能有机薄膜晶体管，其包括：绝缘衬底、栅电极、栅极绝缘层、源电极、漏电极、电极修饰材料和有机半导体层，其中，绝缘衬底位于有机薄膜晶体管的最底层，栅电极和栅极绝缘层自下而上地依次叠覆于该绝缘衬底之上，源电极和漏电极分离地位于栅极绝缘层之上，电极修饰材料分别包覆在该源电极和漏电极的表面上，有机半导体层覆盖在栅极绝缘层和电极修饰材料之上且位于有机薄膜晶体管的最顶层。本发明选择合适的材料体系和工艺，不受限于绝缘层的厚度和介电常数，通过降低器件的亚阈值摆幅来得到低电压(2V)的溶液法有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN103413891A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310370777.2

申请日：2013-08-22

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 唐伟 ,  郭小军 ,  冯林润 ,  赵家庆 ,  徐小丽 ,  蒋琛

IPC: H01L51/40

Abstract: 一种用以改进结构性能的有机薄膜晶体管制备方法，其通过对栅绝缘层进行表面改性同时实现电极精细化和有机半导体层图形化，具体步骤为：1）在绝缘衬底之上制备栅电极；2）在绝缘衬底和栅电极之上制备栅极绝缘层；3）采用自组装单分子层修饰栅极绝缘层的上表面形成表面改性层；4）在表面改性层上打印精细化的源电极和漏电极；5）采用紫外光照射处于源电极与漏电极之间的沟道区域，除去该区域内的表面改性层；6）采用电极修饰材料修饰源电极和漏电极；7)在栅极绝缘层和电极修饰材料之上自组装形成图形化的有机半导体层。本发明与全溶液法加工工艺兼容，能有效降低成本，实现高效生产，提升有机薄膜晶体管的电学性能。

公开(公告)号：CN102891255A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210398578.8

申请日：2012-10-18

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 冯林润 ,  唐伟 ,  陈苏杰 ,  徐小丽 ,  郭小军

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种柔性薄膜晶体管的绝缘层及其制备方法，所述柔性薄膜晶体管的绝缘层为在基板上形成的碳氢聚合物的薄膜，该绝缘层的制备方法采用氢气和乙炔气体作为原料，在室温和真空条件下的PECVD系统中于所述基板之上沉积形成碳氢聚合物的薄膜，完成柔性薄膜晶体管的绝缘层的制备。本发明所述绝缘层具有良好的绝缘性能以及较高的电击穿强度，在室温条件下的制备方法使其能够很好地与柔性基板兼容，可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来加工，本发明能够用于柔性薄膜晶体管的制备，进一步促进了柔性电子的发展。

公开(公告)号：CN102881827A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210382839.7

申请日：2012-10-10

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 冯林润 ,  唐伟 ,  徐小丽 ,  邵宪一 ,  郭小军

IPC: H01L51/40 ,  B41M5/00

Abstract: 一种用于溶液法小分子有机薄膜晶体管的接触式印刷工艺，其采用由控制系统控制的进样器靠近和对准位于基板上两电极之间的沟道区域，并且进样器精确地完成半导体墨水出墨，实现有机小分子半导体的沉积；所述工艺包括如下步骤：1)进样器靠近和对准，2)半导体墨水出墨，3)完成有机小分子半导体的制备。本发明最大限度减缓了半导体墨水材料中溶剂的挥发速度，有利于小分子半导体的结晶，能够更好的和现有硅基电子工艺兼容，促进溶液法小分子有机薄膜晶体管的工艺可行性，具有节约成本、改善器件性能的优点，能够有效应用于有机小分子半导体的加工。