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公开(公告)号：CN110707059A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910917369.1
申请日：2019-09-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种多维度网状混合微通道流体散热器，包括上层盖板、下层盖板、内部流道和散热工质，其中，内部流道设置于下层盖板内；内部流道包括若干个扰流柱、若干个网状微结构，若干个扰流柱呈阵列排布，相邻扰流柱侧面之间通过网状微结构连接，若干个扰流柱的侧面通过网状微结构交织连接形成多维度流道；扰流柱侧面上设有凹型和/或凸型结构，使多维度流道的侧壁上形成微流道结构，使呈阵列排布的若干扰流柱之间构成多维度网状混合微通道；工质入口与内部流道接通，散热工质通过工质入口进入内部流道内；上层盖板使热量经内部流道传递至散热工质中，通过散热工质带出，散热工质通过工质出口排出。本发明解决大功率芯片的散热问题。
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公开(公告)号：CN109336408A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811091644.0
申请日：2018-09-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种有序掺杂纳米材料强化热导率复合材料及制备方法，包括：薄膜基底；纳米材料阵列，有序分散生长于薄膜基底上；基体，用于填充于有序分散的纳米材料阵列之间，完全包裹纳米材料阵列且完全填充薄膜基底未生长纳米材料阵列的区域。粘结层，用于将纳米材料阵列和基体通过化学键或物理化学能连接起来；制备时：薄膜基底表面生长有序分散的纳米材料阵列，在纳米材料阵列上制备粘结层，以降低界面热阻，在纳米材料阵列的孔隙区域填充基体材料，使其紧密包裹纳米材料。本发明可高效地制备上述复合材料，纳米材料阵列与基体结合牢固、界面粘结良好，纳米阵列的排布密度和位置易于控制，制备过程灵活性强，并且具有良好的热导率。
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公开(公告)号：CN105070682A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510423748.7
申请日：2015-07-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76838
Abstract: 本发明公开一种高效制备硅基转接板的方法，步骤：1)旋涂光刻胶、光刻、显影；2)刻蚀；3)氧化；4)溅射Ti/Cu等种子层；5)键合干膜光刻胶、光刻、显影；6)填充TSV；7)去胶、种子层，制备的Cu-TSV与Cu-Pad是无暇连接。本发明能以更高的效率、更低的成本制备硅基转接板，结合牢固，且制备工艺更为灵活。
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公开(公告)号：CN104789964A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510133719.7
申请日：2015-03-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种高温合金表面高温绝缘涂层的制备方法，步骤：1)将高温合金基片表面预处理；2)在高温合金基片表面沉积一层Ti金属层；3)在Ti金属层上继续沉积一层Al金属层；4)将高温合金基片表面的Al金属层完全氧化，直至氧化部分Ti金属层；5)选用高温绝缘材料对氧化后的涂层表面进行多次封孔处理，将涂层中的孔洞填充；6)在表面涂层上溅射Al2O3，将表面涂层中剩余的缝隙填充；7)将高温合金基片热处理，使涂层中Al2O3的晶型向α—Al2O3转化。本发明能以更高的效率制备一种在高温下仍具有较好绝缘性的涂层，结合牢固，且制备工艺更为灵活。
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公开(公告)号：CN118064942A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410211368.6
申请日：2024-02-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种铜基高深宽比微结构快速成型制造方法，包括刚性微模具制备、柔性微模具复制、微模具表面金属化加工、铜粉填充柔性微模具、填充物电镀一体化成型、铜基微结构与柔性微模具机械分离等六个工序，可实现铜基高深宽比微结构的批量低成本制造。本发明采用铜粉预填充结合高深宽比结构镀铜技术，解决了传统UV‑LIGA工艺(光刻‑电镀)去胶难题，克服了制备铜基高深宽比微结构耗时过长的缺点，大幅度缩短电镀时间，有利于降低制作时间成本，且可以通过控制电镀时间和参数来精确控制微结构的机械性能。此外，刚性微模具可以多次复制柔性微模具，柔性微模具可以重复利用，进一步降低制造成本。本发明的制造方法不受尺寸和形状限制，拥有批量制造潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110707059B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910917369.1
申请日：2019-09-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种多维度网状混合微通道流体散热器，包括上层盖板、下层盖板、内部流道和散热工质，其中，内部流道设置于下层盖板内；内部流道包括若干个扰流柱、若干个网状微结构，若干个扰流柱呈阵列排布，相邻扰流柱侧面之间通过网状微结构连接，若干个扰流柱的侧面通过网状微结构交织连接形成多维度流道；扰流柱侧面上设有凹型和/或凸型结构，使多维度流道的侧壁上形成微流道结构，使呈阵列排布的若干扰流柱之间构成多维度网状混合微通道；工质入口与内部流道接通，散热工质通过工质入口进入内部流道内；上层盖板使热量经内部流道传递至散热工质中，通过散热工质带出，散热工质通过工质出口排出。本发明解决大功率芯片的散热问题。
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公开(公告)号：CN104789964B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201510133719.7
申请日：2015-03-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种高温合金表面高温绝缘涂层的制备方法，步骤：1)将高温合金基片表面预处理；2)在高温合金基片表面沉积一层Ti金属层；3)在Ti金属层上继续沉积一层Al金属层；4)将高温合金基片表面的Al金属层完全氧化，直至氧化部分Ti金属层；5)选用高温绝缘材料对氧化后的涂层表面进行多次封孔处理，将涂层中的孔洞填充；6)在表面涂层上溅射Al2O3，将表面涂层中剩余的缝隙填充；7)将高温合金基片热处理，使涂层中Al2O3的晶型向α—Al2O3转化。本发明能以更高的效率制备一种在高温下仍具有较好绝缘性的涂层，结合牢固，且制备工艺更为灵活。
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公开(公告)号：CN105529299A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510582137.7
申请日：2015-09-14
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76838
Abstract: 本发明公开一种电镀填充硅基TSV转接板的方法，步骤包括：1)制备的带有双面干膜光刻胶的通孔晶圆，在其单面粘贴绝缘膜；2)单面电镀；3)去除步骤1)中的单面绝缘膜；4)将步骤3)中去除单面绝缘膜的一面对应阳极；5)继续填充未被填充的部分；6)去除光刻胶、种子层，制备无暇连接的Cu-TSV与Cu-Pad。通过本发明可以将TSV盲孔填充工艺移植到TSV通孔电镀填充工艺中，大大降低了TSV通孔电镀填充的难度；以更高的效率、更低的成本填充硅基转接板，结合牢固，且制备工艺更为灵活。
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公开(公告)号：CN117015216A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311079860.4
申请日：2023-08-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种具有定向输运特征的超薄相变传热器件，包括：上壳板，其具有凹槽；下壳板，其具有凹槽，其中所述下壳板与所述上壳板固定连接，且下壳板的凹槽和上壳板的凹槽组合形成蒸汽腔；工作介质，其位于所述蒸汽腔内；以及吸液芯通道，其位于所述下壳板的凹槽的底部，且被配置为将工作介质从相变传热器件的冷凝端定向运输至蒸发端。通过设计终端势阱和周期性的Janus梯度结构组成的吸液芯通道，克服了超薄相变传热器件的蒸汽腔内输运系统中工质定向输运驱动力的不足的问题，实现了兼具快速和远距离的高性能液滴定向输运。
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公开(公告)号：CN115421229A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211147350.1
申请日：2022-09-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B3/00 , H01S5/02253 , H01S5/183
Abstract: 本发明涉及一种SU‑8微透镜阵列的光刻‑抛光直接成型制造方法，包括：在基片上布置光刻胶SU‑8，然后通过光刻工艺，使其成型为SU‑8微柱阵列；以及利用化学机械抛光技术，对SU‑8微柱阵列抛光，使其成型为SU‑8微透镜阵列。该方法适用于将微透镜阵列直接原位集成制造在已成型的器件上，无需额外的对准、转移、键合步骤，制备出的SU‑8微透镜阵列具有形貌良好、尺寸可控、化学稳定性和热稳定性好等优点。
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