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公开(公告)号:CN115421229A
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN202211147350.1
申请日:2022-09-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B3/00 , H01S5/02253 , H01S5/183
Abstract: 本发明涉及一种SU‑8微透镜阵列的光刻‑抛光直接成型制造方法,包括:在基片上布置光刻胶SU‑8,然后通过光刻工艺,使其成型为SU‑8微柱阵列;以及利用化学机械抛光技术,对SU‑8微柱阵列抛光,使其成型为SU‑8微透镜阵列。该方法适用于将微透镜阵列直接原位集成制造在已成型的器件上,无需额外的对准、转移、键合步骤,制备出的SU‑8微透镜阵列具有形貌良好、尺寸可控、化学稳定性和热稳定性好等优点。
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公开(公告)号:CN115421229B
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202211147350.1
申请日:2022-09-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B3/00 , H01S5/02253 , H01S5/183
Abstract: 本发明涉及一种SU‑8微透镜阵列的光刻‑抛光直接成型制造方法,包括:在基片上布置光刻胶SU‑8,然后通过光刻工艺,使其成型为SU‑8微柱阵列;以及利用化学机械抛光技术,对SU‑8微柱阵列抛光,使其成型为SU‑8微透镜阵列。该方法适用于将微透镜阵列直接原位集成制造在已成型的器件上,无需额外的对准、转移、键合步骤,制备出的SU‑8微透镜阵列具有形貌良好、尺寸可控、化学稳定性和热稳定性好等优点。
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公开(公告)号:CN108598061B
公开(公告)日:2020-09-01
申请号:CN201810420392.5
申请日:2018-05-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷转接板结构,包括:陶瓷基板;设置在所述陶瓷基板第一面的第一表面绝缘层;设置在所述陶瓷基板与第一面相对的第二面的第二表面绝缘层;以及设置在所述陶瓷基板内且贯穿所述陶瓷基板的导电通孔。
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公开(公告)号:CN108598061A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201810420392.5
申请日:2018-05-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷转接板结构,包括:陶瓷基板;设置在所述陶瓷基板第一面的第一表面绝缘层;设置在所述陶瓷基板与第一面相对的第二面的第二表面绝缘层;以及设置在所述陶瓷基板内且贯穿所述陶瓷基板的导电通孔。
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