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公开(公告)号:CN105070682A
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201510423748.7
申请日:2015-07-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76838
Abstract: 本发明公开一种高效制备硅基转接板的方法,步骤:1)旋涂光刻胶、光刻、显影;2)刻蚀;3)氧化;4)溅射Ti/Cu等种子层;5)键合干膜光刻胶、光刻、显影;6)填充TSV;7)去胶、种子层,制备的Cu-TSV与Cu-Pad是无暇连接。本发明能以更高的效率、更低的成本制备硅基转接板,结合牢固,且制备工艺更为灵活。
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公开(公告)号:CN105259733B
公开(公告)日:2019-11-01
申请号:CN201510729248.6
申请日:2015-10-30
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种用于曲面图形化的柔性掩膜板的制备方法,步骤:将基片表面预处理;在基片表面贴上干膜;在干膜上溅射一层Cr/Cu种子层;电镀Ni金属膜于基片种子层上;NaOH溶液中浸泡,超声处理释放Ni金属膜;Ni金属掩膜固定于玻璃上,贴一层干膜;对干膜进行曝光显影处理;进行刻蚀或激光切割使Ni金属膜图形化;再把Ni金属膜贴在基片上,溅射所需金属图案;取下Ni膜,得到所需金属的图形结构。本发明使用了柔性金属掩膜代替了传统的硬掩膜,能在曲面表面制造出精细的图形结构。本发明可实现曲面的图形化,柔性Ni膜可重复使用,成本低,操作灵活方便。
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公开(公告)号:CN105259733A
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201510729248.6
申请日:2015-10-30
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种用于曲面图形化的柔性掩膜板的制备方法,步骤:将基片表面预处理;在基片表面贴上干膜;在干膜上溅射一层Cr/Cu种子层;电镀Ni金属膜于基片种子层上;NaOH溶液中浸泡,超声处理释放Ni金属膜;Ni金属掩膜固定于玻璃上,贴一层干膜;对干膜进行曝光显影处理;进行刻蚀或激光切割使Ni金属膜图形化;再把Ni金属膜贴在基片上,溅射所需金属图案;取下Ni膜,得到所需金属的图形结构。本发明使用了柔性金属掩膜代替了传统的硬掩膜,能在曲面表面制造出精细的图形结构。本发明可实现曲面的图形化,柔性Ni膜可重复使用,成本低,操作灵活方便。
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公开(公告)号:CN105070682B
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201510423748.7
申请日:2015-07-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种高效制备硅基转接板的方法,步骤:1)旋涂光刻胶、光刻、显影;2)刻蚀;3)氧化;4)溅射Ti/Cu等种子层;5)键合干膜光刻胶、光刻、显影;6)填充TSV;7)去胶、种子层,制备的Cu‑TSV与Cu‑Pad是无暇连接。本发明能以更高的效率、更低的成本制备硅基转接板,结合牢固,且制备工艺更为灵活。
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