公开(公告)号：CN105070682A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510423748.7

申请日：2015-07-17

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 丁桂甫 ,  张亚舟 ,  孙云娜 ,  汪红 ,  吴凯峰 ,  王慧颖 ,  罗江波

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76838

Abstract: 本发明公开一种高效制备硅基转接板的方法，步骤：1)旋涂光刻胶、光刻、显影；2)刻蚀；3)氧化；4)溅射Ti/Cu等种子层；5)键合干膜光刻胶、光刻、显影；6)填充TSV；7)去胶、种子层，制备的Cu-TSV与Cu-Pad是无暇连接。本发明能以更高的效率、更低的成本制备硅基转接板，结合牢固，且制备工艺更为灵活。

公开(公告)号：CN105070682B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510423748.7

申请日：2015-07-17

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 丁桂甫 ,  张亚舟 ,  孙云娜 ,  汪红 ,  吴凯峰 ,  王慧颖 ,  罗江波

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种高效制备硅基转接板的方法，步骤：1)旋涂光刻胶、光刻、显影；2)刻蚀；3)氧化；4)溅射Ti/Cu等种子层；5)键合干膜光刻胶、光刻、显影；6)填充TSV；7)去胶、种子层，制备的Cu‑TSV与Cu‑Pad是无暇连接。本发明能以更高的效率、更低的成本制备硅基转接板，结合牢固，且制备工艺更为灵活。

公开(公告)号：CN103762182B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201310675641.2

申请日：2013-12-11

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 鹿雯 ,  丁桂甫 ,  罗江波 ,  汪红

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/18162

Abstract: 本发明提供了一种基于水玻璃‑陶瓷复合介质的TSV封装再分布层制备方法，包括以下步骤：（1）混合水玻璃和陶瓷粉末，使陶瓷粉末均匀分散在水玻璃中；（2）将混合物均匀涂覆在再分布互连线已经完成的晶圆表面；（3）通过程序控温烘干固化上述混合浆料，形成水玻璃‑陶瓷复合介质；（4）再次用少量水玻璃涂覆前述复合介质表面以填充其中存在的空隙，并烘干固化；（5）对成型的复合介质层进行研磨平坦化处理，露出金属连接柱，即可完成单层再分布层制备。本发明采用湿法工艺制备无机绝缘介质，流程简便、工艺成本低廉，可与常规工艺兼容。介质材料与晶圆及金属布线热匹配性好，化学稳定性高，导热性良好，可以有效提高TSV互连的可靠性。

公开(公告)号：CN104681485A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510024240.X

申请日：2015-01-16

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 丁桂甫 ,  罗江波 ,  鹿雯 ,  汪红

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76822 ,  H01L23/5329

Abstract: 本发明提供了一种基于AlN改性聚合物复合介质的TSV再分布层制备方法，包括以下步骤：(1)混合聚合物介质材料和AlN粉末；(2)在TSV晶圆上制备再分布层布线及上下层金属连接柱；(3)将混合浆料涂覆在再分布线已完成的晶圆表面；(4)固化混合浆料，形成AlN改性聚合物复合介质；(4)对复合介质层研磨平坦化，露出连接柱，即完成单层再分布层制备；(5)重复步骤(2)到步骤(4)即可获得多层再分布层。该方法流程具有简便、高效、低成本的优势，与常规工艺兼容。与传统聚合物介质相比，AlN改性聚合物介质具有更高的机械强度和热导率、更低的热膨胀系数，拥有明显的比较优势，在微电子封装领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102368837B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201110273368.1

申请日：2011-09-15

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 李以贵 ,  廖哲勋 ,  罗晨晨 ,  罗江波 ,  陈丹丹 ,  胡锦洋

IPC: H04R19/04

Abstract: 一种基于表面微细加工工艺的电容式微麦克风及其制备方法，采用基于反应离子刻蚀和以HF为刻蚀液的湿法刻蚀工艺，反应离子干法刻蚀用于形成高深宽比结构，形成具有垂直侧壁的方腔结构，然后利用刻蚀液HF的湿法刻蚀，将振动膜与固定的电极膜之间的磷硅玻璃牺牲层刻蚀至穿通，形成一个内部中空侧壁有声孔的结构，支撑其上的振动薄膜，从而利用其电容变化将声音能量转化为电能。本发明在麦克风结构侧壁上刻蚀出声孔，不需要复杂的体微加工技术和精确的沉积工艺，能够比较容易地控制振动膜与电极之间的间隙距离，而且反应离子刻蚀和HF湿法刻蚀操作相对简单，整套工艺流程简单易行。

公开(公告)号：CN103762182A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201310675641.2

申请日：2013-12-11

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 鹿雯 ,  丁桂甫 ,  罗江波 ,  汪红

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/18162 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291

Abstract: 本发明提供了一种基于水玻璃-陶瓷复合介质的TSV封装再分布层制备方法，包括以下步骤：（1）混合水玻璃和陶瓷粉末，使陶瓷粉末均匀分散在水玻璃中；（2）将混合物均匀涂覆在再分布互连线已经完成的晶圆表面；（3）通过程序控温烘干固化上述混合浆料，形成水玻璃-陶瓷复合介质；（4）再次用少量水玻璃涂覆前述复合介质表面以填充其中存在的空隙，并烘干固化；（5）对成型的复合介质层进行研磨平坦化处理，露出金属连接柱，即可完成单层再分布层制备。本发明采用湿法工艺制备无机绝缘介质，流程简便、工艺成本低廉，可与常规工艺兼容。介质材料与晶圆及金属布线热匹配性好，化学稳定性高，导热性良好，可以有效提高TSV互连的可靠性。

公开(公告)号：CN102410996A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110248090.2

申请日：2011-08-26

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 李以贵 ,  罗晨晨 ,  廖哲勋 ,  罗江波

IPC: G01N21/64

Abstract: 本发明公开一种基于全反射的平面并行荧光生物检测芯片及其制备方法，该芯片中：样品台由玻璃片和PDMS芯片键合而成，位于整个芯片的最上面，样品台的下面是位于同一水平面的棱镜，透镜，光纤阻止，光纤支撑以及光纤，所述棱镜，透镜，光纤阻止以及光纤支撑都由PDM一体制得；当激光经耦合进入单模光纤时，光束在光纤中传播，出射后由透镜进行校正，到达空气/棱镜界面时发生折射，折射光随后到达棱镜/玻璃界面进一步折射，折射光进入玻璃后在玻璃/水界面发生全反射，在全反射区域产生倏逝波激发水中的样品发生荧光反应。该芯片利于和微分析系统集成，不需要体激光源，生物材料消耗低，荧光背景噪音小，灵敏度高。

公开(公告)号：CN102368837A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201110273368.1

申请日：2011-09-15

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 李以贵 ,  廖哲勋 ,  罗晨晨 ,  罗江波 ,  陈丹丹 ,  胡锦洋

IPC: H04R19/04

Abstract: 一种基于表面微细加工工艺的电容式微麦克风及其制备方法，采用基于反应离子刻蚀和以HF为刻蚀液的湿法刻蚀工艺，反应离子干法刻蚀用于形成高深宽比结构，形成具有垂直侧壁的方腔结构，然后利用刻蚀液HF的湿法刻蚀，将振动膜与固定的电极膜之间的磷硅玻璃牺牲层刻蚀至穿通，形成一个内部中空侧壁有声孔的结构，支撑其上的振动薄膜，从而利用其电容变化将声音能量转化为电能。本发明在麦克风结构侧壁上刻蚀出声孔，不需要复杂的体微加工技术和精确的沉积工艺，能够比较容易地控制振动膜与电极之间的间隙距离，而且反应离子刻蚀和HF湿法刻蚀操作相对简单，整套工艺流程简单易行。

公开(公告)号：CN105679701B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201610030998.9

申请日：2016-01-18

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 孙云娜 ,  王艳 ,  王博 ,  牛迪 ,  罗江波 ,  丁桂甫

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种高效电镀填充硅基TSV的方法，具体为：在晶圆上刻蚀制备TSV；在刻蚀TSV的晶圆上制备绝缘层；在含有绝缘层的晶圆上制备种子层；接着在晶圆双面贴干膜，单面光刻、显影；去除TSV侧壁端口部位的种子层；在图形化的一面粘贴干膜、另一面光刻显影；再次去除另一端口部位的种子层；再次通过光刻、显影；接着双向同步电镀填充铜，使TSV‑Cu与TSV‑pad一体成型无分离界面；去除干膜光刻胶、种子层。本发明将TSV通孔电镀填充工艺转化为两个类盲孔电镀填充工艺，TSV结构结合牢固且工艺更为灵活、方便，大大降低了高深宽比TSV通孔电镀填充难度，同时有效提高电镀速率，使低成本高效制备TSV成为可能。

公开(公告)号：CN105679701A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610030998.9

申请日：2016-01-18

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 孙云娜 ,  王艳 ,  王博 ,  牛迪 ,  罗江波 ,  丁桂甫

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明公开一种高效电镀填充硅基TSV的方法，具体为：在晶圆上刻蚀制备TSV；在刻蚀TSV的晶圆上制备绝缘层；在含有绝缘层的晶圆上制备种子层；接着在晶圆双面贴干膜，单面光刻、显影；去除TSV侧壁端口部位的种子层；在图形化的一面粘贴干膜、另一面光刻显影；再次去除另一端口部位的种子层；再次通过光刻、显影；接着双向同步电镀填充铜，使TSV-Cu与TSV-pad一体成型无分离界面；去除干膜光刻胶、种子层。本发明将TSV通孔电镀填充工艺转化为两个类盲孔电镀填充工艺，TSV结构结合牢固且工艺更为灵活、方便，大大降低了高深宽比TSV通孔电镀填充难度，同时有效提高电镀速率，使低成本高效制备TSV成为可能。