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公开(公告)号：CN108027541A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052503.0
申请日：2016-09-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G09F9/30 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1259 , H01L27/1288 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及TFT基板，像素具有：栅极电极，其选择性地配置在基板之上；栅极绝缘膜，其将栅极电极覆盖；半导体沟道层，其选择性地配置在栅极绝缘膜之上；保护绝缘膜，其配置在半导体沟道层之上；第1层间绝缘膜，其设置在基板之上；源极电极及漏极电极，它们经过将第1层间绝缘膜及保护绝缘膜贯通的接触孔，相互分离地与半导体沟道层接触；以及像素电极，其是从漏极电极延伸出的，在俯视观察时，以至少与沟道区域重叠的方式在保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜，在俯视观察时，以与半导体沟道层及所1遮光膜重叠的方式在源极电极之上及漏极电极之上配置有第2遮光膜。
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公开(公告)号：CN100385706C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200410036690.2
申请日：2004-04-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L51/0021 , H01L51/5218 , H01L2251/5315
Abstract: 一种有机电致发光元件，具备：衬底(1)；在衬底(1)的上侧用绝缘体形成的阳极分离膜(3)；在由阳极分离膜(3)所划分的区域内在衬底(1)的上面形成的阳极导电层(2)；以及用绝缘体形成的元件分离膜(4)，该元件分离膜包围阳极分离膜(3)并且向下变宽。进而，在阳极分离膜(3)的上面还形成与阳极导电层(2)相同种类的导电层(7)，该导电层(7)还被元件分离膜(4)所覆盖。最好是，阳极分离膜(3)的上面比下面大。
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公开(公告)号：CN1543285A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410036690.2
申请日：2004-04-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L51/0021 , H01L51/5218 , H01L2251/5315
Abstract: 一种有机电致发光元件，具备：衬底(1)；在衬底(1)的上侧用绝缘体形成的阳极分离膜(3)；在由阳极分离膜(3)所划分的区域内在衬底(1)的上面形成的阳极导电层(2)；以及用绝缘体形成的元件分离膜(4)，该元件分离膜包围阳极分离膜(3)并且向下变宽。进而，在阳极分离膜(3)的上面还形成与阳极导电层(2)相同种类的导电层(7)，该导电层(7)还被元件分离膜(4)所覆盖。最好是，阳极分离膜(3)的上面比下面大。
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公开(公告)号：CN107104153B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201710086113.1
申请日：2017-02-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 小田耕治
IPC: H01L29/861 , H01L29/417 , H01L27/12 , H01L21/84
Abstract: 本发明的目的是提供能够提高二极管电阻且实现窄边框化的非线性元件及阵列基板。本发明所涉及的非线性元件的特征是，具有：第1绝缘膜(5)，其形成为将遮光体(30)覆盖；氧化物半导体膜(31)，其形成于第1绝缘膜之上，俯视观察时与遮光体重叠；源极电极(7)及漏极电极(10)，它们形成为在氧化物半导体膜之上具有彼此分离的分离部分；第2绝缘膜(11)，其形成为将氧化物半导体膜、源极电极以及漏极电极覆盖；以及第1背电极(24)，其形成于第3绝缘膜(12)之上，经由第1接触孔(13)与源极配线(9)连接，第1背电极(24)形成为，俯视观察时与源极电极(7)和氧化物半导体膜(31)之上的分离部分的一部分重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107112367B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201680005079.4
申请日：2016-01-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及构成液晶显示装置的薄膜晶体管基板，具备薄膜晶体管、第一电极、栅极布线以及源极布线，所述薄膜晶体管具有：栅电极；栅极绝缘膜，覆盖栅电极；半导体层，设置于隔着栅极绝缘膜而与栅电极相向的位置；沟道保护膜，覆盖半导体层；保护膜，覆盖沟道保护膜上；以及源电极和漏电极，经由以贯通保护膜及沟道保护膜的方式设置的第一接触孔而与半导体层相接，所述第一电极与漏电极电连接，所述栅极布线从栅电极延伸，所述源极布线与源电极电连接，源极布线和源电极以及第一电极和漏电极分别经由贯通保护膜的第二接触孔而电连接，第一电极和源极布线具有在第一绝缘膜上形成的第一透明导电膜，第一绝缘膜用与沟道保护膜相同的材料形成。
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公开(公告)号：CN107112367A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680005079.4
申请日：2016-01-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及构成液晶显示装置的薄膜晶体管基板，具备薄膜晶体管、第一电极、栅极布线以及源极布线，所述薄膜晶体管具有：栅电极；栅极绝缘膜，覆盖栅电极；半导体层，设置于隔着栅极绝缘膜而与栅电极相向的位置；沟道保护膜，覆盖半导体层；保护膜，覆盖沟道保护膜上；以及源电极和漏电极，经由以贯通保护膜及沟道保护膜的方式设置的第一接触孔而与半导体层相接，所述第一电极与漏电极电连接，所述栅极布线从栅电极延伸，所述源极布线与源电极电连接，源极布线和源电极以及第一电极和漏电极分别经由贯通保护膜的第二接触孔而电连接，第一电极和源极布线具有在第一绝缘膜上形成的第一透明导电膜，第一绝缘膜用与沟道保护膜相同的材料形成。
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公开(公告)号：CN104102059A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410131136.6
申请日：2014-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/124
Abstract: 针对在平坦化绝缘膜上方配置有共通电极及像素电极这种构造的液晶显示装置，防止接触孔中的连接不良和电阻增大。TFT阵列基板具有使用感光性有机树脂材料形成的有机绝缘膜（10）。在有机绝缘膜上方形成共通电极（12）及引出配线（11），在共通电极的上方隔着层间绝缘膜（15）而形成有像素电极（16）。像素电极经由形成在层间绝缘膜中的接触孔（35）而与引出配线连接。引出配线（11）及共通电极（12）分别通过形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）而与漏极电极（8）及共通配线（3）连接。在形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）内，在共通电极（12）及引出配线（11）的上方设置有金属覆盖膜（13、14）。
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公开(公告)号：CN101611345B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200880004975.4
申请日：2008-02-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1345 , G02F1/1343 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/133555 , G02F1/136227 , G02F2001/136295 , G02F2201/40 , G02F2202/06 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明的显示装置(1B)包括：在衬底(3)上形成的金属导电层(21)；在同一衬底上形成的与上述金属导电层接合的透明导电膜(39)；把金属导电层(21)与透明导电膜(39)隔离的层间绝缘膜(25)。金属导电层(21)具有：由铝或铝合金构成的下层铝层(40a)；由含有杂质的铝或铝合金构成的、在下层铝层(40a)的上表面的大致整个表面上形成的中间杂质含有层(41a)；由铝或铝合金构成的、在中间杂质含有层(40a)上形成的上层铝层(42a)，在层间绝缘膜(25)和上层铝层(42a)中以局部地露出中间杂质含有层(41a)的方式贯通设置接触孔(27)，透明电极膜(39)通过从接触孔(27)露出的中间杂质含有层(41a)与金属导电层(21)接合。
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公开(公告)号：CN101465296A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810178050.3
申请日：2008-12-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/285 , H01L29/786 , H01L29/51
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供良好地保持特性并且可靠性较高的薄膜晶体管及其制造方法和搭载了该薄膜晶体管的显示装置。本发明一实施方式的薄膜晶体管的制造方法具备在栅电极(2)上形成栅极绝缘膜(3)的工序，栅极绝缘膜(3)至少具备与氢化非晶硅膜(4)接触的第一区域(11)和与该第一区域(11)相比位于下层的第二区域(12)，第一区域(11)以及第二区域(12)使用由NH3、N2、SiH4构成的原料气体、和H2或由H2与He构成的气体形成，对于第一区域(11)来说，使NH3和SiH4的流量比(NH3/SiH4)为11以上且14以下进行成膜，对于第二区域(12)来说，使NH3和SiH4的流量比(NH3/SiH4)为4以下进行成膜。
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