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公开(公告)号：CN101752783A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910226581.X
申请日：2009-11-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , Y10S117/915
Abstract: 本发明得到一种能够防止真空吸附时的GaN基板的破裂的氮化物半导体装置的制造方法。在将n型GaN基板(10)搭载在基板支持器(56)上的状态下，使由GaN类材料构成的半导体层(12)在n型GaN基板(10)的Ga面外延生长，然后用真空吸附装置(76)真空吸附n型GaN基板(10)的N面。但是，在使半导体层(12)外延生长时，n型GaN基板(10)翘曲使得Ga面的中央凹陷，半导体层(12)的原料气体绕入到n型GaN基板(10)的N面，并在n型GaN基板(10)的N面堆积外延沉积物(58)。因此，在使半导体层(12)外延生长之后，而且在真空吸附n型GaN基板(10)的N面之前，除去外延沉积物(58)。
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公开(公告)号：CN101442184A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810173377.1
申请日：2008-11-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体装置及其制造方法。其目的在于在半导体装置、特别是在激光二极管的制作中使用的氮化物半导体装置中，抑制工艺的复杂化或成品率的下降、并抑制电极剥离。本发明的氮化物半导体装置具备：在表面具有脊(2)的P型半导体层(1)；至少覆盖脊(2)侧面的SiO2膜(3)；形成在SiO2膜(3)的表面的将硅作为主要成分的粘合层(4)；形成在脊(2)的上表面以及粘合层(4)的表面上的P型电极(5)。
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公开(公告)号：CN101442094A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810176804.1
申请日：2008-11-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0021 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 本发明“氮化物半导体发光元件的制造方法”，是一种能够减小p型电极的接触电阻率的氮化物半导体发光元件的制造方法。在GaN单晶衬底(1)上形成层叠有p型GaN接触层(11)等的半导体层叠结构。在p型GaN接触层上(11)形成具有Pd层(16)和Ta层(17)的p型电极(15)。在形成了p型电极(15)后，在含氧气氛中在400℃～600℃的温度进行热处理。在热处理后，在p型电极(15)上形成含Au的平头电极(18)。
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公开(公告)号：CN101272037A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810083071.7
申请日：2008-03-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 阿部真司
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/162 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/34333
Abstract: 利用简单的方法制造在GaN系材料的LD中具有高COD耐性的窗结构的LD。包括如下步骤：在GaN系衬底(12)上依次层叠分别由GaN材料形成的缓冲层(14)、第一n－覆盖层(16)、第二n－覆盖层(18)、第三n－覆盖层(20)、n侧光引导层(22)、作为量子阱结构的活性层(26)、以及p侧SCH层(28)、电子势垒层(30)、p侧光引导层(32)、p－覆盖层(34)和接触层(36)，形成半导体叠层结构(55)；解理包含半导体叠层结构(55)的半导体晶片，使半导体叠层结构(55)的解理端面(58)露出；在所露出的解理端面上形成SiO2膜，利用基于预定的热处理Ga空位扩散，使活性层(26)无序化。
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公开(公告)号：CN103259192A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210561002.9
申请日：2012-12-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 阿部真司
CPC classification number: H01S5/162 , B82Y20/00 , H01S5/2063 , H01S5/2068 , H01S5/3432
Abstract: 本发明涉及能稳定地形成使半导体激光器高输出化的窗结构的半导体激光器的制造方法。在n型GaAs基板（1）上依次形成n型包覆层（2）、活性层（3）、p型包覆层（4）以及p型接触层（5）。形成仅在端面附近的窗区域与p型接触层（5）相接触并从p型接触层（5）吸收Ⅲ族原子以促进Ⅲ族空位的产生的促进膜（8）。向窗区域的p型接触层（5）注入离子，造成损伤。在形成促进膜（8）并注入了离子之后，进行热处理，由此，使Ⅲ族空位扩散，在窗区域使活性层（3）无序化，形成窗结构（13）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101950924B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010298304.2
申请日：2007-10-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种半导体光学元件的制造方法。在波导路径脊的上表面稳定地防止半导体层和电极层的接触面积的减少，并防止该半导体层中的蚀刻损伤。在半导体层上层叠金属保护层(75)形成波导路径(40)，用SiO2膜(78)将其覆盖，涂敷抗蚀剂后，使波导路径脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，并且借助于具有比波导路径脊(40)的金属保护层(75)表面高且比波导路径脊(40)的SiO2膜(78)的表面低的表面的抗蚀剂膜来埋设沟道(38)的SiO2膜(78)，形成抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩膜，利用干蚀刻去除SiO2膜(78)，进而，利用湿蚀刻去除金属保护层(75)，使波导路径脊(40)的p-GaN层(74)表面露出，来形成电极层(46)。
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公开(公告)号：CN101752783B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200910226581.X
申请日：2009-11-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , Y10S117/915
Abstract: 本发明得到一种能够防止真空吸附时的GaN基板的破裂的氮化物半导体装置的制造方法。在将n型GaN基板(10)搭载在基板支持器(56)上的状态下，使由GaN类材料构成的半导体层(12)在n型GaN基板(10)的Ga面外延生长，然后用真空吸附装置(76)真空吸附n型GaN基板(10)的N面。但是，在使半导体层(12)外延生长时，n型GaN基板(10)翘曲使得Ga面的中央凹陷，半导体层(12)的原料气体绕入到n型GaN基板(10)的N面，并在n型GaN基板(10)的N面堆积外延沉积物(58)。因此，在使半导体层(12)外延生长之后，而且在真空吸附n型GaN基板(10)的N面之前，除去外延沉积物(58)。
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公开(公告)号：CN101262119B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810096314.0
申请日：2008-02-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/02 , H01L21/301
CPC classification number: H01L2924/01013 , H01L2924/01014
Abstract: 本发明提供一种能够在期望的位置上劈开晶片的半导体激光器的制造方法。在GaN晶片(11)上形成设置了多个脊部(13)的半导体层。在脊部(13)和划线标记(16)之间，与划线标记(16)在同一条直线上设置槽(19)。槽(19)相对于划线标记(16)设置在劈开方向的下流侧上。槽(19)成劈开方向的下流侧端部向外侧凸出的形状，优选该形状的顶点位于要劈开的线上，同时从该顶点延伸的轮廓线不与劈开方向成(60)度的方向平行。
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公开(公告)号：CN102148477A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110034238.2
申请日：2011-02-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2933/0016 , H01S5/0425 , H01S5/22
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。在n型GaN衬底（10）上形成有半导体层叠结构（12）。在半导体层叠结构（12）的上部形成有脊部（26）。沟道部（28）与脊部（26）相邻。平台部（30）与沟道部（28）的脊部（26）的相反侧相邻。第一绝缘膜（32）覆盖沟道部（28）。第一绝缘膜（32）在脊部（26）以及平台部（30）上具有开口。在第一绝缘膜（32）上形成有单层粘接层（34）。Pd电极（36）覆盖脊部（26）以及单层粘接层（34）的一部分，并且与脊部（26）的p型GaN接触层（24）连接。第二绝缘膜（38）覆盖单层粘接层（34）的未被Pd电极（36）覆盖的部分以及平台部（30）。
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公开(公告)号：CN101867157A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010165214.6
申请日：2010-04-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 阿部真司
CPC classification number: H01S5/4025 , H01L2224/48091 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种光学设计简单、散热特性优良，且容易制造的多波长半导体激光装置。多波长半导体激光装置(100)构成为具备：板状的管座(10)；底面承载于管座(10)上的柱状的副座架(21)；设置在副座架(21)侧面上并且振荡波长不同的多个LD(31～33)；以及贯穿管座(10)地设置并且配置在与副座架(21)侧面的棱角线(21a～21c)对置的位置的引脚端子(41～43)，多个LD(31～33)的各发光点(31a～33a)到管座(10)的中心轴(10z)之间的距离实质上相等。
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