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公开(公告)号：CN118103952A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280058868.X
申请日：2022-09-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 西泽弘一郎
IPC: H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/45
Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法，其目的在于提供不使金属层的材料向半导体基板扩散的半导体装置及其制造方法。本公开的半导体装置具备：半导体基板，由GaAs形成；第一阻挡层，在半导体基板上，由包含Ni的合金形成；第二阻挡层，在第一阻挡层上，由包含Co的合金或Co形成；以及，金属层，形成于第二阻挡层上。第一阻挡层的Ni浓度为80at％以下。
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公开(公告)号：CN107924881A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048269.4
申请日：2016-03-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/04 , H01L21/338 , H01L23/02 , H01L23/10 , H01L23/12 , H01L23/14 , H01L27/095 , H01L29/812
Abstract: 保持中空部的气密性，使成品率及耐久性提高。半导体装置(1)具备器件基板(2)、半导体电路(3)、封装框(7)、罩基板(8)、通路部(10)、电极(11)、(12)、(13)以及凸块部(14)等。在器件基板(2)和罩基板(8)之间，设置以气密状态收容半导体电路(3)的中空部(9)。凸块部(14)将全部通路部(10)和罩基板(8)连结。由此，能够使用凸块部(14A)将通路部(10)加固。
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公开(公告)号：CN106663615A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201480081636.1
申请日：2014-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/288
Abstract: 本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序：催化剂工序，在由例如硅等形成的半导体衬底的表面析出催化剂金属；氧化物去除工序，将在该催化剂工序中形成于该半导体衬底的表面处的氧化物去除；追加催化剂工序，在通过该氧化物去除工序而露出的该半导体衬底的表面处析出催化剂金属；以及镀敷工序，在该追加催化剂工序之后，通过无电解镀敷法，在该半导体衬底的表面形成金属膜。
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公开(公告)号：CN103789764B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310518846.X
申请日：2013-10-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: C23C28/00 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L29/45
CPC classification number: H01L21/76874 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/31 , C23C18/34 , C23C18/36 , C23C18/54 , C25D3/16 , C25D3/18 , C25D3/38 , C25D3/50 , C25D5/10 , C25D7/123 , C25D15/00 , H01L21/288 , H01L21/4875 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76898 , H01L23/36 , H01L23/49811 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法、半导体元件。本发明的目的在于提供一种在基板与金属层之间具有覆盖性好的层并且用该层能抑制作为金属层的成分的Cu等向基板扩散的半导体元件的制造方法及半导体元件。具备：将基板（10）浸渍在包含金属离子的液体中，使金属催化剂（12a）附着在该基板的表面的工序；将附着有该金属催化剂的该基板浸渍在无电解电镀液中以在该基板形成无电解电镀层（14）的工序；将该基板浸渍在电解电镀液中，将该无电解电镀层作为供电层在该无电解电镀层上形成电解电镀层（16）的工序；以及在该电解电镀层上用Cu或Ag形成金属层（18）的工序。该电解电镀层用与该金属层不同的材料形成。
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公开(公告)号：CN110494963B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201780088937.0
申请日：2017-03-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 西泽弘一郎
Abstract: 通过金属膏的图案化在第1基板(1)的主面同时形成凸块(4)和环状的封装框(3)。在第2基板(5)的主面形成具有比封装框(3)的宽度窄的宽度的环状的凸部(8)。使基板(1)的主面和第2基板(5)的主面相对而进行对准，将封装框(3)和凸部(8)接合，并且将凸块(4)与第2基板(5)电接合。凸部(8)的高度是接合后的基板(1)和第2基板(5)的间隔的0.4～0.7倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924881B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201680048269.4
申请日：2016-03-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/04 , H01L21/338 , H01L23/02 , H01L23/10 , H01L23/12 , H01L23/14 , H01L27/095 , H01L29/812
Abstract: 保持中空部的气密性，使成品率及耐久性提高。半导体装置(1)具备器件基板(2)、半导体电路(3)、封装框(7)、罩基板(8)、通路部(10)、电极(11)、(12)、(13)以及凸块部(14)等。在器件基板(2)和罩基板(8)之间，设置以气密状态收容半导体电路(3)的中空部(9)。凸块部(14)将全部通路部(10)和罩基板(8)连结。由此，能够使用凸块部(14A)将通路部(10)加固。
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公开(公告)号：CN110494963A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201780088937.0
申请日：2017-03-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 西泽弘一郎
Abstract: 通过金属膏的图案化在第1基板(1)的主面同时形成凸块(4)和环状的封装框(3)。在第2基板(5)的主面形成具有比封装框(3)的宽度窄的宽度的环状的凸部(8)。使基板(1)的主面和第2基板(5)的主面相对而进行对准，将封装框(3)和凸部(8)接合，并且将凸块(4)与第2基板(5)电接合。凸部(8)的高度是接合后的基板(1)和第2基板(5)的间隔的0.4～0.7倍。
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公开(公告)号：CN107045978A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710069042.4
申请日：2017-02-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 得到一种即使在形成通路孔后进行加热，也能够确保基板表面侧和背面侧的导通的半导体装置。在半导体基板(1)设置有从背面起贯穿至表面的通路孔(2)。电极(3)以将通路孔(2)堵塞的方式设置于半导体基板(1)的表面。金属膜(4)设置于半导体基板(1)的背面、通路孔(2)的侧壁(2a)以及电极(3)的下表面。在半导体基板(1)的背面，在金属膜(4)设置有开口(5)。开口(5)仅与通路孔(2)的外周的一部分接触。在开口(5)露出通路孔(2)的侧壁(2a)和金属膜(4)之间的界面(A)。
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公开(公告)号：CN106133887A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201480077591.0
申请日：2014-09-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 西泽弘一郎
IPC: H01L21/3205 , C23C18/50 , C23C28/00 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：半导体衬底，其由GaAs形成；密接层，其在该半导体衬底之上由Pd或者包含Pd的合金而形成；阻挡层，其在该密接层之上由Co或者包含Co的合金而形成；以及金属层，其在该阻挡层之上由Cu、Ag、或者Au而形成。
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公开(公告)号：CN113474881A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201980089376.5
申请日：2019-03-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/02
Abstract: 在器件基板(1)的上表面形成有器件(2)。由无电解电镀反应的催化剂金属构成的密封框(16)在器件基板(1)的上表面形成为包围器件(2)。经由密封框(16)将器件基板(1)的上表面与盖基板(10)的下表面以中空状态接合。多个电极(8、11、12)与器件(2)连接并引出至器件基板(1)以及盖基板(10)的外侧。金属膜(20)形成于密封框(16)的外侧面，未形成于器件基板(1)以及盖基板(10)。
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