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公开(公告)号：CN101156285A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200680011679.8
申请日：2006-03-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藏本恭介
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/3406 , H01S5/34333 , H01S2301/185 , H01S2304/04
Abstract: 本发明所涉及的半导体发光元件具有：由氮化镓系化合物半导体构成的活性层；与活性层相比设置在p层一侧，由受到拉伸变形的Inx1Aly1Ga1－x1－y1N(0≤x1≤1、0≤y1≤1)构成的第1半导体层；由能带间隙比第1半导体层小的Inx2Aly2Ga1－x2－y2N(0≤x2≤1、0≤y2≤1)构成的第2半导体层；位于第1半导体层和第2半导体层之间，由能带间隙比第1半导体层的能带间隙小、比第2半导体层的能带间隙大的Inx3Aly3Ga1－x3－y3N(0≤x3≤1、0≤y3≤1)构成的第3半导体层。
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公开(公告)号：CN101118945A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710152625.X
申请日：2007-07-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藏本恭介
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种可通过对发光层均匀地注入电流并提高光的取出效率来获得高发光效率的半导体发光二极管。其包括：相对于发光波长透明的导电性基板；在基板上形成的、包含发光层的半导体层；在半导体层上形成的表面电极；以及在基板的背面形成的、具有开口的背面电极，当设开口的宽度为L、背面电极和发光层的距离为t时，L≤2t，背面电极的面积相对于基板的背面面积的比例为40％以下。
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公开(公告)号：CN113228432B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201980082036.X
申请日：2019-01-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/02315 , H01S5/40
Abstract: 本发明的半导体激光装置(1)构成为，在半导体激光器芯片(5)与次基台(3)的各对置面、以及次基台(3)与散热器(2)的各对置面中的至少任一个，设置有根据多个活性层(4a、4b、4c)的排列方向上的位置，改变光的行进方向上的设定范围，来降低用于接合的接合材料(6)或接合材料(7)的附着性的处理区域(例如，处理区域(R5t))。
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公开(公告)号：CN111937257B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201880091961.4
申请日：2018-04-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/022
Abstract: 具有以下工序：准备载体；将具有发光条带区域和相邻区域的激光芯片搭载于焊料之上，使该激光芯片位于该第1端面的正上方和该第2端面的正上方；以及使加热后的该焊料在其浸润扩展由于该毛刺而受到限制的同时，在该第1端面或者该第2端面的方向浸润扩展而形成延伸部，该延伸部将该激光芯片与该阻挡层直接连接，该载体具有：载体基板，其具有第1端面和第2端面；电极层，其设置于该载体基板之上；阻挡层，其设置于该电极层之上，在俯视观察时仅达到至该载体基板的端面中的该第1端面或者该第2端面的至少一者；毛刺，其位于该阻挡层的侧面，比该阻挡层高；以及该焊料，其在该阻挡层之上，在俯视观察时从该载体基板的全部端面退后地设置。
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公开(公告)号：CN110537138A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201780089813.4
申请日：2017-04-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/015
Abstract: 光调制装置具备：具有第一电容的第一光调制器、具有比第一电容大的第二电容的第二光调制器、具有第一电感且一端与第一光调制器连接的第一供电路径、具有比第一电感大的第二电感且一端与第二光调制器连接的第二供电路径。在将横轴设为电感，将纵轴设为电容值的曲线图中，对预先确定的下限直线和预先确定的上限直线之间的预先确定的规定范围进行设定。以由第一电容和第一电感决定的第一坐标及由第二电容和第二电感决定的第二坐标落在该规定范围内的方式，规定第一电容、第一电感、第二电容及第二电感。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105210246B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201380076542.0
申请日：2013-05-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02236 , H01S5/022 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/02469 , H01S5/06817 , H01S5/3214 , H01S5/32316
Abstract: 在设副固定件厚度为t时，在多个开口部(10a、10b)中的至少1个开口部的开口端与副固定件(8)端的水平方向最短距离x是且与开口部不同的其它开口部中的至少1个是
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公开(公告)号：CN102214895A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110085019.7
申请日：2011-04-06
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/0224 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/32507 , H01L2224/83385 , H01L2924/01322 , H01S5/0202 , H01S5/02272 , H01S5/32341
Abstract: 本发明涉及能够确保高的散热性并且提高成品率的半导体装置及其制造方法。半导体激光器（1）以结向下方式隔着焊料（11）安装在副固定件（12）上。半导体激光器（1）具有：n型GaN衬底（2）；半导体层叠结构（3），形成在n型GaN衬底（2）上并含有pn结；电极（8），形成在半导体层叠结构（3）上。电极（8）隔着焊料（11）接合在副固定件（12）上。在副固定件（12）和半导体层叠结构（3）之间，以包围电极（8）的周围的方式配置有高熔点金属膜（10）。
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公开(公告)号：CN100592589C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200510119489.5
申请日：2005-11-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藏本恭介
Abstract: 本发明的课题是通过减少越过有源层内封闭电子用的电子势垒而溢出的电子来提供具备阈值电流小、微分效率高的良好的特性的半导体发光元件。使作为构成有源层20的阻挡层中最接近于p侧的阻挡层的最终阻挡层1的能带间隙比阻挡层2的能带间隙小。与使用与阻挡层2相同的能带间隙的材料作为最终阻挡层1的情况相比，可增大与电子势垒层3的能带不连续量(电子势垒)。其结果，可减少越过电子势垒而溢出的电子。
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公开(公告)号：CN101290963A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810092602.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01S5/2201 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S2304/04
Abstract: 本发明涉及一种抑制工作电压的氮化物半导体元件，目的在于提供一种适于在较低的电压下的利用的由氮化物系半导体构成的半导体激光器或发光二极管等发光元件。具有：p型接触层(28)；形成在p型接触层(28)下层的p型中间层(26)；形成在p型中间层的下层的p型覆盖层(24)。p型接触层(28)和所述p型中间层(26)之间、以及p型中间层(26)与所述p型覆盖层(24)之间的带隙差分别为200meV以下。
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公开(公告)号：CN101160700A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012137.2
申请日：2006-03-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藏本恭介
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/0206 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 减小穿透位错部的电流泄漏，由此，可得到静电耐压较高、应对电源电涌较强并且长期可靠性也较高的半导体激光器。该半导体激光器包括：具有位错密度为1×105cm－2以上的高位错区域的衬底；设置在衬底上且具有活性层的半导体晶体；设置在半导体晶体上的绝缘膜；表面电极，设置在绝缘膜上，为对活性层注入电流而与半导体晶体导通；设置在衬底下的背面电极，其中，将激光共振器长设为L时，表面电极的面积为120×Lμm2以下。
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